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[发明专利]雄激素受体的N-末端结构域的抑制剂-CN201880012231.0有效
发明人： M·雷蒂格;M·E·荣格;D·E·N·G·拉尔拉格;J·安 -专利权人：加利福尼亚大学董事会;美国政府退伍军人事务部
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07C225/16 文献下载
摘要：本公开提供用于抑制或降解雄激素受体的N‑末端结构域的化合物和方法，以及用于治疗诸如前列腺癌的癌症的方法。
激素受体末端结构抑制剂

[发明专利]玻璃-玻璃层合体及其制造和切割方法-CN202180063956.4在审
发明人： J·安;洪才善;李龟洙;文亨修;朴承用 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B32B17/10 文献下载
摘要：公开了玻璃‑玻璃层合体。玻璃‑玻璃层合体包括：下玻璃层；下玻璃层上的粘合剂层；粘合剂层上的上玻璃层；以及下玻璃层与粘合剂层之间或者上玻璃层与粘合剂层之间的装饰层，其中上玻璃层的厚度小于下玻璃层的厚度，且上玻璃层的热膨胀系数小于下玻璃层的热膨胀系数层。
玻璃合体及其制造切割方法

[发明专利]具有射频（RF）放大器的快速转变时间的包络追踪系统-CN202080087746.4在审
发明人： I·米雷亚;G·J·维潘尼;陆静学;J·安 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种包络追踪系统包括：包络信号发生器；被耦合至所述包络信号发生器的电源调制器，所述电源调制器包括开关调节器路径，所述开关调节器路径被配置为当处于平均功率追踪(APT)模式时将输出节点处的输出电压提供给功率放大器，所述开关调节器路径被配置为当处于包络追踪(ET)模式时与线性路径一起操作以将所述输出节点处的所述输出电压提供给所述功率放大器；电容器，具有第一端子和第二端子，所述第一端子被耦合到地；开关，在所述输出节点与所述电容器的所述第二端子之间耦合，所述开关被配置为选择性地将所述电容器与所述输出节点断开；以及电路，在所述输出节点与所述电容器的所述第二端子之间耦合，所述电路包括双向限流开关，所述电路被配置为对所述电容器充电或放电，使得跨所述电容器的电压从第一电压改变为第二电压。
具有射频 rf 放大器快速转变时间包络追踪系统

[发明专利]雄激素受体N端结构域的抑制剂-CN202080038581.1在审
发明人： M·雷蒂格;M·E·荣格;D·E·N·G·拉尔拉格;J·安 -专利权人：加利福尼亚大学董事会;美国政府退伍军人事务部
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C07C49/235 文献下载
摘要：本公开提供用于抑制或降解雄激素受体的N‑端结构域的化合物和方法，以及用于治疗诸如前列腺癌等癌症的方法。
激素受体结构抑制剂

[发明专利]用于延释组合物的疏水性肽盐-CN202080064831.9在审
发明人： J·安;S·K·巴图;J·拉贝;K·埃斯特拉达;J·勒伯维兹;J·周 -专利权人：生物马林药物股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： A61K38/22 文献下载
摘要：本发明大体上涉及亲水性肽的疏水性盐，其在水溶液中形成低溶解度物质，且当向个体施用时能够延续或持续释放肽组分。还公开了C型利钠肽的疏水性盐和其用途。
用于组合疏水性肽盐

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110531734.2在审
发明人：朴瑞龙;韩升煜;J·安;李基硕;崔允荣;洪智硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：衬底,其具有单元阵列区、第一界面区和第二界面区，单元阵列区设有有源区；单元阵列区和第二界面区上的位线；电介质图案，其位于位线的顶表面上，并沿着位线的顶表面延伸，并且还延伸至第一界面区上；器件隔离图案，其位于衬底上，并且包括单元阵列区上的第一部分和第一界面区上的第二部分，第一部分限定有源区，第二部分设有第一凹部，并且每个第一凹部布置在两个邻近的电介质图案之间；以及第一牺牲半导体图案，其布置在第一界面区上，并且在第一凹部中。第一牺牲半导体图案包括多晶硅。
半导体存储器装置

[发明专利]涂有经表面处理的氧化铝的锂离子电池隔膜-CN202080033945.7在审
发明人：黄元璋;P-H·谢;D-W·金;J·安;S·李;T-S·柳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01M50/451 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于锂离子电池的隔膜，所述隔膜包括涂有包含粘接剂和用通式(I)或(Ia)的硅烷表面处理的氧化铝颗粒的涂层的有机基材；本发明涉及合成所述隔膜的方法；以及所述隔膜在锂电池中的用途。
涂有经表面处理氧化铝锂离子电池隔膜

[发明专利]形成磁性隧穿结的方法-CN201580010185.7在审
发明人： M·帕卡拉;M·巴尔塞努;J·杰曼;J·安;L·薛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：公开了一种用于制造MRAM位的方法，所述方法包括沉积间隔层，所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条件，防止对MRAM位的多层造成损伤。此非侵蚀性的处理条件可包括在不使用卤素类等离子体的情况下进行蚀刻。本文公开的实施例采用了简化处理的蚀刻‑沉积‑蚀刻顺序。
形成磁性隧穿结方法

[发明专利]高锰酸盐基转化涂料组合物-CN201480037277.X在审
发明人： E·L·莫里斯;J·安;K·基姆 -专利权人： PRC-迪索托国际公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C23C22/56 文献下载
摘要：公开了一种用于施用到基底的组合物，其包含载体、高锰酸盐离子源和腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂包括稀土离子、碱金属离子、碱土金属离子和/或过渡金属离子。还公开了基底或者制品(其包括用于施用到基底的组合物)，和一种处理基底的方法，其包括将该组合物施用到基底来形成该基底的经高锰酸盐处理的表面，和将含锂组合物施用到该经高锰酸盐处理的表面上。
高锰酸盐基转化涂料组合

[发明专利]在包括多个充电端口的电子设备中的功率路径切换-CN201380053700.0在审
发明人： J·安;E·B·泽塞尔;C·昆;J·A·哈格斯特伦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H03K3/0233 文献下载
摘要：示例性实施例涉及电子设备的多个充电端口之间的功率路径切换。设备可包括多个充电端口中的一充电端口以供经由过压保护电路耦合至电源。该设备可进一步包括比较单元，其被配置成至少部分地基于该过压保护电路的耦合至该充电端口的输入处的电压与该过压保护电路的耦合至该电源的输出处的电压之间的比较，将该充电端口耦合至电源。
包括充电端口电子设备中的功率路径切换

[发明专利]从雷公藤多苷中分离雷公藤内酯醇化合物的方法-CN200580004463.4无效
发明人： J·安;R·徐;J·H·马瑟 -专利权人：美国泛华医药公司
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： A61K36/37 文献下载
摘要：本发明涉及从雷公藤多苷中提取、分离和纯化具有医疗用途的化合物的方法。经证明，分别使用碱的水溶液和烃溶剂的提取步骤可提高该方法的效率，并减少了必须经层析除去的物质的量。
雷公藤多苷中分离内酯醇化方法

[发明专利]防风雨的热交换器-CN200580000890.5无效
发明人： A·P·迈斯纳;G·A·姆罗斯;R·A·林斯特罗斯;J·安 -专利权人：穆丹制造公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： F28D1/053 文献下载
摘要：一种热交换器，该热交换器包括：上部顶盖箱和下部顶盖箱；下部顶盖箱中的垂直挡板限定出第一和第二纵向室；单向阀；两个管排；及通到第一室中的冷却剂入口和第二室的出口。挡板包括通过其中的旁通孔。一个管排包括多个垂直管子，这些管子在上部顶盖箱和下部顶盖箱的第一室之间进行延伸；及另一个管排包括多个垂直管，这些管子在上部顶盖箱和下部顶盖箱的第二室之间进行延伸。单向阀在一般的工作模式期间产生防泄漏密封，从而防止顶盖箱的压力释放，并且在排出模式期间在顶盖箱和环境之间产生空气通道，从而允许顶盖箱的真空解除。
风雨热交换器

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