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[发明专利]用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式-CN201680090571.6有效
发明人： R·L·布里斯托尔;K·L·林;J·M·布莱克韦尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式和所得的结构。在示例中，一种集成电路结构包括衬底。多条交替的第一和第二导电线沿着衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向。导电过孔在多条交替的第一和第二导电线中的导电线之一上并与其电耦合，导电过孔在所述导电线之一之上居中。第二ILD层在多条交替的第一和第二导电线上方并在横向上与导电过孔相邻。第二ILD层具有与导电过孔的平坦顶表面基本共面的最上表面。
用于后段工艺 beol 互连制造表面对准光刻图案方式

[发明专利]用于半导体结构的后端线金属化层及其制造方法-CN201680085027.2有效
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;R·E·申克尔 -专利权人：太浩研究有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于基于后端线(BEOL)间隔物的互连的利用光桶的消减性插塞和片图案化。在范例中，用于半导体结构的后端线(BEOL)金属化层包括：层间电介质(ILD)层，其被设置在基板上面；多根导电线，其沿着第一方向被设置在所述ILD层中；导电片，其被设置在所述ILD层中，所述导电片沿着与所述第一方向正交的第二方向耦合所述多根导电线中的两根导电线；以及导电过孔，其被耦合到所述多根导电线中的一根导电线，所述导电过孔具有位于其上的过孔硬掩模，所述ILD层、所述多根导电线、所述导电片和所述过孔硬掩模中的每个的最上层表面彼此成平面。
用于半导体结构端线金属化及其制造方法

[发明专利]用于调制电桶敏感度的差异化硬掩模-CN201680091058.9有效
发明人： K·L·林;R·L·布里斯托尔;J·M·布莱克韦尔;R·胡拉尼;M·克雷萨克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了基于用于调制针对半导体结构制造的电桶敏感度的差异化硬掩模的方法，以及所得到的结构。在一个示例中，一种制造用于集成电路的互连结构的方法包括在形成于衬底上方的层间电介质(ILD)层上方形成硬掩模层。在所述硬掩模层上形成多个电介质间隔体。所述硬掩模层被构图为形成多个第一硬掩模部分。与第一硬掩模部分交替地形成多个第二硬掩模部分。在交替的所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分上以及在多个电介质隔离物之间的开口中形成多个电桶。多个电桶中的选定电桶被暴露于光刻曝光并去除以限定过孔位置的集合。
用于调制敏感度异化硬掩模

[发明专利]用于后段工艺（BEOL）互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化-CN201910419015.4有效
发明人： R·L·布里斯托尔;K·林;K·J·辛格;A·M·迈尔斯;R·E·申克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：说明了用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化。在示例中，用于集成电路的互连结构包括被布置在衬底上之上的互连结构的第一层，所述第一层具有由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅。集成电路还包括被布置在互连结构的第一层上之上的互连结构的第二层。所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅，第二方向垂直于第一方向。
用于后段工艺 beol 互连借助对准图案

[发明专利]定向自组装结构和技术-CN202180032640.9在审
发明人： J·M·布莱克韦尔;R·L·布里斯托尔;X·陈;L·E·多伊尔;F·格瑟特莱恩;E·韩;B·J·霍利比;M·克雷萨克;T·迈赫迪;R·E·申克尔;G·辛格;E·S·沃克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本文所公开的是利用定向自组装进行微电子装置制造的结构和技术。例如，一种微电子结构可以包括：包括第一导电线和第二导电线的图案化区域，其中，所述第二导电线与所述第一导电线相邻；以及具有无序层状图案的无序区域，其中，所述无序区域与所述图案化区域共面。
定向组装结构技术

[发明专利]用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化-CN202210111900.8在审
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;A·M·迈尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例包括形成织物式图案化硬掩模的方法。在实施例中，以交替的图案在互连层的顶表面上方形成第一硬掩模和第二硬掩模。然后可以在第一硬掩模和第二硬掩模上方形成牺牲交叉光栅。在实施例中，去除第一硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分，以形成第一开口，并将第三硬掩模沉积至第一开口中。实施例然后可以包括蚀刻通过第二硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分以形成第二开口。可以利用第四硬掩模填充第二开口。根据实施例第一硬掩模、第二硬掩模、第三硬掩模和第四硬掩模相对于彼此具有蚀刻选择性。在实施例中，然后可以去除牺牲交叉光栅。
用于对准互连织物图案

[发明专利]用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转-CN201580080204.3有效
发明人： R·L·布里斯托尔;J·M·布莱克韦尔;R·胡拉尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：说明了用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转。在示例中，一种包括金属化层的半导体结构，包括衬底上方的层间电介质(ILD)层中的多个沟槽。预催化剂层在多个沟槽中的一个或多个沟槽(但不是全部沟槽)的侧壁上。电介质材料的交联部分在多个沟槽中的一个或多个沟槽中靠近预催化剂层。导电结构在沟槽中的剩余沟槽中。
用于后端工艺 beol 互连借助使用向上交联电介质图像色调反转

[发明专利]用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化-CN201580080374.1有效
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;A·M·迈尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例包括形成织物式图案化硬掩模的方法。在实施例中，以交替的图案在互连层的顶表面上方形成第一硬掩模和第二硬掩模。然后可以在第一硬掩模和第二硬掩模上方形成牺牲交叉光栅。在实施例中，去除第一硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分，以形成第一开口，并将第三硬掩模沉积至第一开口中。实施例然后可以包括蚀刻通过第二硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分以形成第二开口。可以利用第四硬掩模填充第二开口。根据实施例第一硬掩模、第二硬掩模、第三硬掩模和第四硬掩模相对于彼此具有蚀刻选择性。在实施例中，然后可以去除牺牲交叉光栅。
用于对准互连织物图案

[发明专利]用于化学辅助图案化的光可界定的对准层-CN201480083740.4有效
发明人： T·R·扬金;M·J·利森;J·M·布莱克韦尔;E·S·普特纳;M·克雷萨克;R·胡拉尼;E·韩;R·L·布里斯托尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。
用于化学辅助图案界定对准

[发明专利]将过孔与密集间距金属互连层的顶和底自对准的结构和方法-CN201480083615.3有效
发明人： R·E·申克尔;M·昌德霍克;R·L·布里斯托尔;M·J·科布林斯基;K·林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例包括具有与互连线自对准的顶上过孔和贯穿过孔的互连结构，以及形成这种结构的方法。在实施例中，在层间电介质(ILD)中形成互连结构。可以在ILD中形成一个或多个第一互连线。互连结构还可以包括ILD中的以与第一互连线交替的图案布置的一个或多个第二互连线。第一和第二互连线中的每一个的顶表面可以凹陷到ILD的顶表面下方。互连结构可以包括形成在第一互连线中的一个或多个或第二互连线中的一个或多个之上的自对准顶上过孔。在实施例中，自对准顶上过孔的顶表面与ILD的顶表面基本上共面。
密集间距金属互连对准结构方法

[发明专利]微电子器件及其形成方法-CN201480083628.0有效
发明人： R·胡拉尼;M·J·利森;T·R·扬金;E·韩;R·L·布里斯托尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例包括微电子器件和形成这样的器件的方法。在实施例中，一种微电子器件包括被形成到互连层中的一个或多个预图案化特征，具有形成在预图案化特征中的一个或多个的第一壁和第二壁之上的共形阻挡层。光致抗蚀剂层可以形成在所述阻挡层之上以及在预图案化特征中的一个或多个内，并且导电过孔可以形成在预图案化特征中的至少一个中。
微电子器件及其形成方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201480083608.3有效
发明人： R·L·布里斯托尔;M·昌德霍克;J·S·沙瓦拉;F·格瑟特莱恩;E·韩;R·胡拉尼;R·E·申克尔;T·R·扬金;K·林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例包括一种互连结构和用于形成这种结构的方法。在实施例中，所述互连结构可以包括层间电介质(ILD)，其中第一硬掩模层在所述ILD的顶表面之上。某些实施例包括所述ILD中的一条或多条第一互连线、以及置于所述第一互连线的每者上方的第一电介质盖。例如，所述第一电介质盖的表面可以接触第一硬掩模层的顶表面。实施例还可以包括在所述ILD中的以与所述第一互连线交替的图案布置的一条或多条第二互连线。在实施例中，在所述第二互连线的每者的顶表面之上形成第二电介质盖。例如，所述第二电介质盖的表面接触第一硬掩模层的顶表面。
互连结构及其形成方法

[发明专利]用于制造后段（BEOL）互连中改进的重叠的对角线硬掩模-CN201480063194.8有效
发明人： A·M·迈尔斯;K·J·辛格;R·L·布里斯托尔;J·S·沙瓦拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：说明了将对角线硬掩模用于制造后段(BEOL)互连中改进的重叠的自对准过孔和插塞。在实施例中，一种制造用于集成电路的互连结构的方法包括在布置于衬底上方的层间电介质层上方形成第一硬掩模层。所述第一硬掩模层包括多条第一硬掩模线，所述多条第一硬掩模线具有在第一方向上的第一光栅，以及包括与所述第一光栅交错的一个或多个牺牲材料。所述方法还包括在所述第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层。所述第二硬掩模层包括多条第二硬掩模线，所述多条第二硬掩模线具有在与所述第一方向成对角线斜交的第二方向上的第二光栅。所述方法还包括使用所述第二光栅作为掩模，蚀刻所述第一硬掩模层以形成图案化的第一硬掩模层。
用于制造后段 beol 互连改进重叠对角线硬掩模

[发明专利]用于后段(BEOL)互连的利用多色光桶的自对准过孔图案化-CN201480063066.3有效
发明人： R·L·布里斯托尔;J·M·布莱克韦尔;A·M·迈尔斯;K·J·辛格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于后段(BEOL)互连的利用多色光桶的自对准过孔图案化。在示例中，用于集成电路的互连结构包括设置在衬底上方的互连结构的第一层。互连结构的第二层设置在互连结构的第一层上方。第二格栅的电介质线与第一格栅的电介质线重叠并接触，但第二格栅的电介质线与第一格栅的电介质线不同。第一电介质区和第二电介质区设置在第一格栅的金属线与第二格栅的金属线之间并且与第一格栅的电介质线的上部和第二格栅的电介质线的下部处于同一平面。第一电介质区由第一交联的可光解材料组成，并且第二电介质区由不同的第二交联的可光解材料组成。
用于后段 beol 互连利用多色对准图案

[发明专利]用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化-CN201480062984.4有效
发明人： R·L·布里斯托尔;K·林;K·J·辛格;A·M·迈尔斯;R·E·申克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：说明了用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化。在示例中，用于集成电路的互连结构包括被布置在衬底上之上的互连结构的第一层，所述第一层具有由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅。集成电路还包括被布置在互连结构的第一层上之上的互连结构的第二层。所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅，第二方向垂直于第一方向。
用于后段工艺 beol 互连借助对准图案

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