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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多层自选择存储器装置-CN201880079654.4有效
发明人： A·雷达埃利;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本申请案涉及一种多层自选择存储器装置。描述与多层自选择存储器装置有关的方法、系统及装置。自选择存储器单元可存储由所述自选择存储器单元的不同阈值电压表示的一或多个数据位。可改变编程脉冲以通过修改于其期间跨所述自选择存储器单元维持固定电压电平或固定电流电平的一或多个持续时间而建立所述不同阈值电压。所述自选择存储器单元可包含硫属化物合金。所述硫属化物合金中的元素的非均匀分布可确定所述自选择存储器单元的特定阈值电压。所述编程脉冲的形状可经配置以基于所述自选择存储器单元的所要逻辑状态修改所述硫属化物合金中的所述元素的分布。
多层选择存储器装置

[发明专利]存取自选择存储器装置的技术-CN201880079650.6有效
发明人： I·托尔托雷利;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹;M·阿莱格拉;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及存取自选择存储器装置的技术。描述与存取自选择存储器装置的技术有关的方法、系统及装置。自选择存储器单元可存储通过所述自选择存储器单元的不同阈值电压表示的一或多个数据位。可改变编程脉冲以通过修改于其期间跨所述自选择存储器单元维持固定电压或电流电平的一或多个持续时间而建立所述不同阈值电压。所述自选择存储器单元可包含硫属化物合金。所述硫属化物合金中的元素的非均匀分布可确定所述自选择存储器单元的特定阈值电压。所述编程脉冲的形状可经配置以基于所述自选择存储器单元的所要逻辑状态修改所述硫属化物合金中的所述元素的分布。
存取选择存储器装置技术

[发明专利]自我选择存储器中的编程加强-CN201880027808.5有效
发明人： A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请案涉及自我选择存储器中的编程加强。本发明描述用于存储器单元中的编程加强的方法、系统及装置。经不对称塑形的存储器单元可加强特定电极处或附近的离子拥挤，此可经利用以用于精确地读取所述存储器单元的经存储值。编程所述存储器单元可使所述存储器单元内的元件分离，从而引起离子迁移朝向特定电极。所述迁移可取决于所述存储器单元的极性，且可在所述存储器单元内产生高电阻率区及低电阻率区。可通过跨所述存储器单元施加电压来感测所述存储器单元。所得电流可接着遇到所述高电阻率区及低电阻率区，且所述区的定向可表示所述存储器单元的第一逻辑状态或第二逻辑状态。
自我选择存储器中的编程加强

[发明专利]极性经调节的存储器单元写入操作-CN201880083539.4有效
发明人：王虹美;L·克雷斯皮;D·马哈拉那比斯;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请案是针对极性经调节的存储器单元写入操作。可通过执行写入操作向存储器单元写入逻辑状态，所述写入操作包含：跨所述存储器单元施加具有第一极性的第一写入电压，并且在施加所述写入操作的所述第一写入电压之后，跨所述存储器单元施加第二写入电压，所述写入操作的所述第二写入电压具有不同于所述第一极性的第二极性。在一些实例中，与具有单个极性的电压的写入操作相比，在存储器单元上执行跨所述存储器单元具有不同电压极性的写入操作可允许在较短时间内完成这类写入操作。
极性调节存储器单元写入操作

[发明专利]用于存储器装置的解码-CN202180082319.1在审
发明人： P·凡蒂尼;L·弗拉汀;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：描述用于存储器装置的解码的方法、系统及装置。解码器可包含在相对于存储器阵列的裸片的第三方向上延伸的第一垂直n型晶体管及第二垂直n型晶体管。所述第一垂直n型晶体管可经配置以选择性地将存取线与源极节点耦合且所述第二n型晶体管可经配置以选择性地将所述存取线与接地节点耦合。为激活与所述第一及第二垂直n型晶体管耦合的所述存取线，可激活所述第一垂直n型晶体管，可撤销激活所述第二垂直n型晶体管，且与所述第一垂直n型晶体管耦合的所述源极节点可施加有不同于接地电压的电压。
用于存储器装置解码

[发明专利]具有不对称电极界面的存储器单元-CN201980011809.5有效
发明人： A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列别涅茨基;A·M·孔蒂;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请的主题涉及具有不对称电极界面的存储器单元。描述了用于具有不对称电极界面的存储器单元的方法、系统和装置。具有不对称电极界面的存储器单元可以减轻邻近字线中的短路，这可以用于准确读取所述存储器单元的所存储值。存储器装置可以包含具有与顶部电极接触的顶表面区域和与底部电极接触的底表面区域的自选择性存储器组件，其中与所述顶部电极接触的所述顶表面区域的大小不同于与所述底部电极接触的所述底表面区域的大小。
具有不对称电极界面存储器单元

[发明专利]三维存储器阵列-CN201880055601.9有效
发明人： A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利;F·佩里兹;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在实例中，一种存储器阵列可包含多个第一电介质材料及多个堆叠，其中每一相应第一电介质材料及每一相应堆叠交替，且其中每一相应堆叠包括第一导电材料及存储材料。第二导电材料可穿过所述多个第一电介质材料及所述多个堆叠。每一相应堆叠可进一步包含所述第一导电材料与所述第二导电材料之间的第二电介质材料。
三维存储器阵列

[发明专利]包含存储器单元的设备及其操作方法-CN201780066749.8有效
发明人： A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利;A·雷达埃利;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种包含存储器元件及选择器装置的存储器单元。可使用具有第一极性的编程脉冲编程所述存储器单元及使用具有第二极性的读取脉冲读取所述存储器单元。可使用具有第一部分及第二部分的编程脉冲编程所述存储器单元。所述第一部分及所述第二部分可具有不同量值及极性。所述存储器单元可展现减小电压漂移及/或阈值电压分布。本发明描述一种充当存储器元件及选择器装置两者的存储器单元。可使用具有第一部分及第二部分的编程脉冲编程所述存储器单元。所述第一部分及所述第二部分可具有不同量值及极性。
包含存储器单元设备及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202080103079.4在审
发明人： L·弗拉汀;P·凡蒂尼;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：描述用于垂直3D存储器装置的方法、具有垂直3D存储器装置的设备及垂直3D存储器装置。垂直3D存储器装置可包括：多个接触件，其与多条数字线相关联且延伸穿过衬底；多个字线板，其通过相应介电层彼此分离且包含第一多个字线板及第二多个字线板；介电材料，其定位于所述第一多个与所述第二多个字线板之间，所述介电材料以蛇形形状延伸于所述衬底上方；多个柱，其形成于所述多个接触件上方且与所述多个接触件耦合；及多个存储元件，其各自包括定位于相应字线板与相应柱之间的凹部中的硫属化物材料，其中所述凹部具有拱形，且所述凹部中的所述硫属化物材料在所述凹部的中部处接触所述相应字线板且在所述凹部的底部处接触所述相应柱。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]用于存储器装置中的存储器单元存取的折叠存取线-CN202211434787.3在审
发明人： S·文卡特桑;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储器装置中的存储器单元存取的折叠存取线。与存储器阵列中的尖峰电流抑制相关的系统、方法和设备。在一种方法中，存储器装置包含具有交叉点存储器架构的存储器阵列。存储器阵列具有存取线(例如，字线和/或位线)，存取线被配置成存取存储器阵列的存储器单元。使用折叠存取线结构实施尖峰电流抑制。每一存取线包含整合式顶部和底部绝缘层，其限制通过存取线的较窄中间部分流到存储器单元的电流。对于上覆或下伏于绝缘层定位的近存储器单元，因为仅使用流经所述中间部分的曲折、折叠电路路径的较高电阻路径来存取单元，所以对每一存储器单元的电阻增加。当选择存储器单元时发生的尖峰放电通过此较高电阻路径减小。
用于存储器装置中的单元存取折叠

[发明专利]三维存储器设备及其使用方法-CN202310284073.7在审
发明人： F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开涉及三维存储器设备及其使用方法。本发明揭示一种三维3D存储器阵列。所述3D存储器阵列可包含电极平面及经安置穿过且耦合到所述电极平面的存储器材料。包含于所述存储器材料中的存储器单元在与所述电极平面相同的平面中对准，且所述存储器单元经配置以展现表示第一逻辑状态的第一阈值电压及表示第二逻辑状态的第二阈值电压。导电柱经安置穿过且耦合到所述存储器单元，其中所述导电柱及电极平面经配置以跨越所述存储器单元提供电压以将逻辑状态写入到所述存储器单元。本发明揭示用以操作及形成所述3D存储器阵列的方法。
三维存储器设备及其使用方法

[发明专利]读取多层级存储器单元-CN202180049074.2在审
发明人： M·罗布斯泰利;F·佩里兹;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：描述用于读取多层级存储器单元的方法、系统及装置。所述存储器单元可经配置以存储三个或更多个逻辑状态。所述存储器装置可将第一读取电压施加到存储器单元以确定通过所述存储器单元存储的逻辑状态。所述存储器装置可基于施加所述第一读取电压而确定是否发生第一突返事件且基于确定未能发生所述第一突返事件而施加第二读取电压。所述存储器装置可确定是否发生第二突返事件且基于是否发生所述第一突返事件或所述第二突返事件而确定所述逻辑状态。
读取多层存储器单元

[发明专利]三维存储器阵列-CN201880018878.4有效
发明人： F·佩里兹;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明包含三维存储器阵列及其处理方法。若干实施例包含：多个导线，其通过绝缘材料彼此分离；多个导电延伸部，其经布置以基本上垂直于所述多个导线延伸；及存储元件材料，其围绕所述多个导电延伸部中的每一相应者形成，且具有与所述多个导线中的每一相应者的两个不同接点，其中与所述多个导线中的每一相应者的所述两个不同接点位于所述相应导线的两个不同端处。
三维存储器阵列

[发明专利]用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法-CN202210898101.X在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;F·佩里兹;N·N·加杰拉;李延纯;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请针对用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法。方法和系统包含具有包括多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置。所述存储器装置包含控制电路，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且被配置成接收针对数据的读取请求，并基于所述读取请求将多个读取电压施加到所述存储器阵列。所述控制电路进一步被配置成执行基于所述多个读取电压的所述施加读取的第一数据集的数据分析，且基于所述数据分析导出分界偏置电压VDM。所述控制电路还被配置成将所述VDM施加到所述存储器阵列以读取第二数据集合。
用于存储器装置读取扫描系统方法

[发明专利]感测两个存储器单元以确定一个数据值-CN202110491692.4有效
发明人： F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本公开包含用于感测两个存储器单元以确定一个数据值的设备、方法及系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器及经配置以感测两个存储器单元中的每一个的存储器状态以确定一个数据值的电路系统。通过以下操作来确定一个数据值：在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第一感测电压来感测所述两个存储器单元中的第一个的所述存储器状态，且在所述感测窗中使用第二感测电压来感测所述两个存储器单元中的第二个的所述存储器状态。所述第一感测电压及所述第二感测电压在所述感测窗中选择性地更靠近于所述第一阈值电压分布或所述第二阈值电压分布。
两个存储器单元确定一个数据

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