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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]评估背景泄漏以选择存储器装置中的写入电压-CN202280012991.8在审
发明人： N·N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里;鹿中原 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置的控制器评估背景泄漏，以便选择用于在执行编程操作时施加到所述存储器单元的写入电压。从两个或更多个写入电压动态选择所述写入电压。这些写入电压包含作为正常或默认电压的第一写入电压，以及作为升高的写入电压的第二写入电压。所述控制器将预感测电压及预读取电压施加到所述存储器单元，且确定源自施加这些电压的第一及第二相应电流。响应于确定所述第一电流超过第一阈值(指示背景泄漏)，且所述第二电流低于大于所述第一阈值的第二阈值(指示所述存储器单元不跳变)，所述控制器选择所述第二(升高的)写入电压。
评估背景泄漏选择存储器装置中的写入电压

[发明专利]用于改进均匀性的加权损耗均衡-CN202211564311.1在审
发明人：鹿中原;K·萨尔帕特瓦里;N·N·加杰拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及用于改进均匀性的加权损耗均衡。存储器装置可包含多个存储器胞元及处理装置，所述处理装置与所述存储器装置操作地耦合以执行操作，所述操作包含：基于反应存储器胞元距电压源的电气距离的度量来将所述存储器胞元分组成组，及针对每一组，确定相应写入操作份额，其中所述写入操作份额与所述组的存储器胞元的所述度量的聚合值相关。所述操作还可包含根据针对所述组确定的所述写入操作份额来将所述写入操作分布到每一组。
用于改进均匀加权损耗均衡

[发明专利]存储器单元的多状态编程-CN202180050121.5在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;N·N·加杰拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开包含用于存储器单元的多状态编程的设备、方法及系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器，以及经配置以通过以下操作而将所述多个存储器单元中的存储器单元编程为四种可能数据状态中的一者的电路系统：向所述存储器单元施加第一电压脉冲，其中所述第一电压脉冲具有第一极性及第一量值；及向所述存储器单元施加第二电压脉冲，其中所述第二电压脉冲具有第二极性及第二量值，且施加所述第二电压脉冲的持续时间比施加所述第一电压脉冲的持续时间短。
存储器单元状态编程

[发明专利]存取多电平存储器单元-CN202180048845.6在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;X-A·特兰;J·陈;J·A·杜兰德;N·N·加杰拉;李延纯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明描述用于存取多电平存储器单元的方法、系统及装置。存储器装置可执行包含预读取部分及读取部分的读取操作以存取所述多电平存储器单元。在所述预读取部分期间，所述存储器装置可将多个电压施加到多个存储器单元以识别存储第一逻辑状态的存储器单元的可能分布。在所述读取部分期间，所述存储器装置可基于执行所述预读取部分将第一读取电压施加到存储器单元。所述存储器装置可在基于所述第一读取电压的所述读取部分期间将第二读取电压施加到所述存储器单元。所述存储器装置可基于施加所述第一读取电压及所述第二读取电压而确定由所述存储器单元存储的所述逻辑状态。
存取电平存储器单元

[发明专利]用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法-CN202210898101.X在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;F·佩里兹;N·N·加杰拉;李延纯;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请针对用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法。方法和系统包含具有包括多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置。所述存储器装置包含控制电路，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且被配置成接收针对数据的读取请求，并基于所述读取请求将多个读取电压施加到所述存储器阵列。所述控制电路进一步被配置成执行基于所述多个读取电压的所述施加读取的第一数据集的数据分析，且基于所述数据分析导出分界偏置电压VDM。所述控制电路还被配置成将所述VDM施加到所述存储器阵列以读取第二数据集合。
用于存储器装置读取扫描系统方法

[发明专利]读取刷新操作-CN202180026633.8在审
发明人： F·佩里兹;K·萨尔帕特瓦里;I·托尔托雷利;N·N·加杰拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开描述用于读取刷新操作的方法、系统及装置。存储器装置可包含多个存储器胞元子块。每一子块可经历一定数量的存取操作(例如，读取操作、写入操作)。基于在一段时间内对任何一个子块执行的存取操作的所述数量，可对所述子块的所述存储器胞元执行读取刷新操作。读取刷新操作可刷新及/或恢复存储到所述子块的所述存储器胞元的所述数据，且基于所述存储器装置接收到操作代码(例如，从主机装置)而启动。
读取刷新操作

[发明专利]三维存储器阵列及其形成方法-CN202180033886.8在审
发明人：杨玲明;K·萨尔帕特瓦里;F·佩里兹;N·N·加杰拉;韦磊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种实例设备包含三维(3D)存储器阵列，所述存储器阵列包含感测线及多个竖直堆叠。所述竖直堆叠中的每一相应者包含所述感测线的不同相应部分、耦合到所述感测线的所述部分的第一存储器单元、耦合到所述感测线的所述部分的第二存储器单元、耦合到所述第一存储器单元的第一存取线，及耦合到所述第二存储器单元的第二存取线。所述第一存取线及所述第二存取线垂直于所述感测线。
三维存储器阵列及其形成方法

[发明专利]具有双侧不对称解码器的存储器操作-CN202180019755.4在审
发明人： F·佩里兹;N·N·加杰拉;J·F·施雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：如所描述，一种设备可包含对应于存储器地址的存储器单元及形成所述存储器单元的至少一部分的存取线。所述设备可包含与耦合到所述存取线的第一末端的第一递送驱动器相关联的第一解码器及与耦合到所述存取线的另一末端的第二递送驱动器相关联的第二解码器。
具有不对称解码器存储器操作

[发明专利]双极性读取重试-CN202210564179.8在审
发明人：李延纯;K·萨尔帕特瓦里;N·N·加杰拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开提供用以实施双极性读取重试的系统、方法及设备。响应于使用第一量值的读取电压来读取一组存储器单元的第一结果是错误的确定，识别读取电压的大于所述第一量值的第二量值以进行所述双极性读取重试。在所述重试中，控制器使用电压驱动器以按第一极性将所述第二量值的第一电压施加到所述组存储器单元以获得读取所述组存储器单元的第二结果，且在产生所述第二结果之后并与对所述第二结果进行解码并行地，按与所述第一极性相反的第二极性施加所述第二量值的第二电压。
极性读取重试

[发明专利]多层级单元的可调编程脉冲-CN202210621016.9在审
发明人： X-A·特兰;N·N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里;A·马宗达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及多层级单元的可调编程脉冲。存储器装置可基于相关联存储器单元的可靠性度量而修改中间逻辑状态的编程脉冲的特征。经修改特征可增大读取窗口并逆转经移位阈值电压分布的移动(例如，通过将阈值电压分布移动得距一或多个其它电压分布更远)。所述可靠性度量可通过执行测试写入确定，可以是所述存储器单元使用的循环数量、位错误率和/或第一状态的读取数量。与经修改第二脉冲相关联的信息可存储在熔丝或存储器单元中，或者可由所述存储器装置的存储器装置控制器或电路系统实施。
多层单元可调编程脉冲

[发明专利]漂移感知读取操作-CN202210513618.2在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;N·N·加杰拉;杨玲明;J·F·施雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及漂移感知读取操作。用以读取具有相关联参考存储器单元的目标存储器单元的系统、方法和设备，所述相关联参考存储器单元被配置成表示所述目标存储器单元的阈值电压中的漂移或改变。在所述目标单元经编程以存储数据时，所述参考单元经编程到预定阈值电平。响应于用以读取所述目标存储器单元的命令，与施加初始电压脉冲以读取所述目标单元并行地执行对所述参考的阈值电压的漂移的估计。基于所述漂移估计的结果，用于读取所述目标单元的电压脉冲可经修改和/或添加以解决使用所述参考单元估计的所述漂移。
漂移感知读取操作

[发明专利]动态读取电压技术-CN202210462707.9在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;N·N·加杰拉;J·陈;杨玲明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C7/14 文献下载
摘要：本申请案是针对动态读取电压技术。在一些实例中，存储器装置可包含由存储器阵列的多个不相交子组构成的一或多个分区。所述存储器装置可接收读取所述一或多个分区的读取命令且进入漂移确定阶段。在所述漂移确定阶段期间，所述存储器装置可对每一不相交子组同时施加电压集合的相应电压且确定每一不相交子组中具有低于所述所施加电压的阈值电压的存储器单元的数量。基于所述确定的存储器单元数量与预定存储器单元数量之间的比较，所述存储器装置可从所述电压集合选择电压且利用所述所选择电压来读取所述一或多个分区。
动态读取电压技术

[发明专利]对存储器单元进行编程以存储数据的条件性漂移消除操作-CN202210265446.1在审
发明人：王虹美;崔铭栋;N·N·加杰拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及对存储器单元进行编程以存储数据中的条件性漂移消除操作。一种存储器装置，其具有存储器单元、电压驱动器和控制器，所述控制器配置成基于存储器单元的属性而确定是否施加处于编程脉冲的相反极性中的漂移消除脉冲，所述编程脉冲配置成将所述存储器单元放置在表示数据位的状态中。如果将所述存储器单元的所述状态从用以将数据写入到所述存储器单元中的前一编程操作中的漂移预测为不足以在施加所述编程脉冲期间防止选择所述存储器单元，那么跳过所述漂移消除脉冲。否则，在所述编程脉冲的所述相反极性中施加所述漂移消除脉冲。
存储器单元进行编程存储数据条件漂移消除操作

[发明专利]对存储器单元执行刷新操作-CN202210087703.7在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;杨玲明;N·N·加杰拉;J·C·M·桑肯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于对存储器单元执行刷新操作的设备、方法及系统。实施例包含存储器，所述存储器具有存储器单元群组及其数据状态指示是否刷新所述存储器单元群组的一或多个额外存储器单元；及电路系统，其经配置以：将第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组以感测所述群组的所述存储器单元的数据状态；在将所述第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组的同时，将具有比所述第一电压脉冲更大的量值的第二电压脉冲施加到所述一或多个额外存储器单元以感测所述一或多个额外存储器单元的数据状态；及基于所述一或多个额外存储器单元的所述经感测数据状态来确定是否对所述存储器单元群组执行刷新操作。
存储器单元执行刷新操作

[发明专利]存储器的选择性抑制-CN202110993542.3在审
发明人：王虹美;N·N·加杰拉;崔铭栋;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器的选择性抑制。一种实例设备可包含存储器阵列和控制电路系统。所述存储器阵列可包含包含第一多个存储器单元的第一部分。所述存储器阵列可进一步包含包含第二多个存储器单元的第二部分。所述控制电路系统可配置成响应于确定所述第一部分通过性能测试而将所述第一部分指定为活动的。所述控制电路系统可配置成响应于确定所述第二部分未通过所述性能测试而将所述第二部分指定为不活动的。
存储器选择性抑制

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