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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用电池组信标的设备定位-CN202280015951.9在审
发明人： C·德乔瓦因;S·贾殷;M·罗布斯泰利 -专利权人：斑马技术公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：基于确定用户设备是非活动的，电池组可以使信标发射与定位用户设备和/或电池组相关联的信标信号。
使用电池组标的设备定位

[发明专利]用于存储器装置的掺杂剂调制蚀刻-CN201980011242.1有效
发明人： I·托尔托雷利;M·罗布斯泰利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请案涉及用于存储器装置的掺杂剂调制蚀刻。描述基于使用掺杂剂调制蚀刻的方法及装置。在制造期间，存储器单元的存储器存储元件可使用影响所述存储器存储元件的后续蚀刻速率的掺杂剂不均匀掺杂。在蚀刻之后，所述存储器存储元件可具有对应于所述不均匀掺杂浓度的不对称几何结构或锥形轮廓。也可使用掺杂剂调制蚀刻形成多层叠存储器装置。不同存储器层叠上的存储器存储元件可具有不同锥形轮廓及不同掺杂梯度。
用于存储器装置掺杂调制蚀刻

[发明专利]使用非对称电流脉冲来对存储器单元进行编程-CN202180050139.5在审
发明人： M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;R·K·道奇 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开包含用于使用非对称电流脉冲来对存储器单元进行编程的设备及方法。实施例包含具有多个自选择存储器单元的存储器，及经配置以通过将第一电流脉冲或第二电流脉冲施加到所述存储器的自选择存储器单元来对所述自选择存储器单元进行编程的电路系统，其中所述第一电流脉冲被施加比所述第二电流脉冲更长的时间量，且所述第一电流脉冲具有比所述第二电流脉冲更低的幅值。
使用对称电流脉冲存储器单元进行编程

[发明专利]读取多层级存储器单元-CN202180049074.2在审
发明人： M·罗布斯泰利;F·佩里兹;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：描述用于读取多层级存储器单元的方法、系统及装置。所述存储器单元可经配置以存储三个或更多个逻辑状态。所述存储器装置可将第一读取电压施加到存储器单元以确定通过所述存储器单元存储的逻辑状态。所述存储器装置可基于施加所述第一读取电压而确定是否发生第一突返事件且基于确定未能发生所述第一突返事件而施加第二读取电压。所述存储器装置可确定是否发生第二突返事件且基于是否发生所述第一突返事件或所述第二突返事件而确定所述逻辑状态。
读取多层存储器单元

[发明专利]用于精简电池更换的方法和装置-CN202180011646.8在审
发明人： R·施瓦拉鸠;B·蒂克库塔希尔;M·罗布斯泰利;M·特鲁辛斯基 -专利权人：斑马技术公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H04W52/02 文献下载
摘要：一种移动计算设备，包括：电池舱，被构造为可移除地固定第一电池组；输出设备；以及处理器，该处理器被配置为：检测移动计算设备附近的第二电池组；响应于检测到第二电池组，将移动计算设备置于低功率操作模式；控制输出设备以生成电池更换准备就绪通知；并且响应于第二电池组代替第一电池组固定在电池舱中，将移动计算设备返回到全功率操作模式。
用于精简电池更换方法装置

[发明专利]存储器装置的自适应写入操作-CN202080059703.5在审
发明人： M·博尼亚蒂;R·K·道奇;I·托尔托雷利;M·罗布斯泰利;M·阿莱格拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明描述用于存储器装置的自适应写入操作的方法、系统及装置。在实例中，所述技术可包含：识别对存储器阵列执行的存取操作的数量；基于存取操作的所述经识别数量修改写入操作的一或多个参数；及通过根据所述一或多个经修改参数执行所述写入操作而将逻辑状态写入到所述存储器阵列。在一些实例中，所述存储器阵列可包含与例如硫族化物材料的可配置材料元件相关联的存储器单元，所述可配置材料元件基于所述材料元件的材料性质存储逻辑状态。在一些实例中，所述技术可至少部分补偿归因于随着时间的老化或其它降级或改变(例如，归因于经积累存取操作)的存储器材料性质的改变。
存储器装置自适应写入操作

[发明专利]在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案-CN202080051193.7在审
发明人： M·博尼亚蒂;A·M·孔蒂;M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;M·阿莱格拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明描述在存储器装置中存储熔丝数据的方法、系统、装置及其它实施方案。一些实施方案可包含具有用于存储数据的不同单元部分的存储器单元阵列。所述阵列的第一部分可存储熔丝数据且可含有一硫属化物存储元件，而所述阵列的第二部分可存储用户数据。感测电路系统可与所述阵列耦合且可使用各种发信号技术确定所述熔丝数据的值。在一些情况中，所述感测电路系统可实施差分存储及差分发信号以确定存储于所述阵列的所述第一部分中的所述熔丝数据的所述值。
存储器装置存储数据实施方案

[发明专利]用于数据结构的专用读取电压-CN201911072543.3有效
发明人： M·斯福尔津;M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;M·阿莱格拉;P·阿马托 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案针对于用于数据结构的专用读取电压。在实例中，可以专用于第一数据结构的第一读取电压读取所述第一数据结构。可以专用于第二数据结构的第二读取电压读取所述第二数据结构，所述第二数据结构存储数量比所述第一数据结构大的数据。可响应于在读取所述第一数据结构时的错误数量大于或等于第一阈值数量而以第三读取电压读取所述第一数据结构。可响应于在读取所述第二数据结构时的错误数量大于或等于第二阈值数量而以所述第三读取电压读取所述第二数据结构。所述读取电压可基于包含所述第一数据结构及所述第二数据结构的设备的温度。
用于数据结构专用读取电压

[发明专利]用于对多电平自选择存储器单元进行编程的技术-CN201980037775.7在审
发明人： M·罗布斯泰利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供用于对包含硫属化物材料的多电平自选择存储器单元进行编程的技术。为了将一或多个中间存储器状态编程到所述自选择存储器单元，可使用包含两个脉冲的编程脉冲序列。所述编程脉冲序列的第一脉冲可具有第一极性及第一量值，且所述编程脉冲序列的第二脉冲可具有不同于所述第一极性的第二极性及不同于所述第一量值的第二量值。在施加所述编程脉冲序列中的两个脉冲之后，所述自选择存储器单元可存储表示两个数据位(例如，逻辑‘01’或逻辑‘10’)的中间状态。
用于电平选择存储器单元进行编程技术

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