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[发明专利]氟化氯的供给方法-CN201780021363.5有效
发明人： 高桥至直;加藤惟人;樱井義将;滝泽浩树;菊池翔;川口真一;池谷庆彦;澁泽幸伸 -专利权人：关东电化工业株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B7/24 文献下载
摘要：提供稳定地产生产业上可利用的氟化氯(ClF)、可以控制流量、连续地供给的氟化氯供给装置及供给方法。本发明的氟化氯的供给方法为供给氟化氯的供给方法，所述氟化氯是通过将含有氟原子的气体和含有氯原子的气体导入到流通式的加热反应装置或等离子体反应装置而产生的，对于难以高压填充、可以填充到储气瓶等气体容器的量有限的氟化氯而言，通过使能够安全地液化填充到气体容器的2种以上的气体原料反应、或这种气体原料与固体原料反应，能够稳定地产生氟化氯并安全地连续长时间供给。
氟化供给方法

[发明专利]使用酰基卤的原子层蚀刻-CN201880003680.9有效
发明人：加藤惟人;深江功也;高桥至直 -专利权人：关东电化工业株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种对硅氧化膜、硅氮化膜进行原子层蚀刻的方法。通过重复进行以下3个步骤而进行原子层蚀刻(ALE)，所述3个步骤为：氢化步骤(1)，对硅氧化膜、硅氮化膜等照射包含H的等离子体而对表面进行氢化；酰基卤吸附步骤(2)，进行式Rf‑COX(式中，Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或‑COX，各X独立地为F、Cl、Br、I中任意卤素原子)所示的酰基卤暴露，使酰基卤与氢化后的表面反应而使Rf‑COX化学吸附于表面；蚀刻步骤(3)，照射包含稀有气体(至少为He、Ar、Ne、Kr、Xe中的任一种)的等离子体，引起吸附有酰基卤的硅氧化膜、硅氮化膜表面的化学反应、进行一原子层厚的蚀刻。
使用酰基卤原子蚀刻

[发明专利]硅化合物用蚀刻气体组合物及蚀刻方法-CN201580055015.0有效
发明人： 高桥至直;加藤惟人 -专利权人：关东电化工业株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供在薄膜形成时可以对对象基板等目标物有效地进行精密加工，且可通过无等离子体蚀刻有效地去除沉积或附着于除该对象基板等目标物以外的硅系化合物的蚀刻气体组合物及蚀刻方法。一种蚀刻气体组合物，其特征在于，包含(1)XF(X为Cl、Br或I)所示的氟化卤素化合物作为主要成分，还包含：(2)F2、(3)XFn(X为Cl、Br或I，n为3以上的整数)所示的氟化卤素化合物、(4)HF、(5)O2以及(6)选自Cl2、Br2和I2中的1种以上的卤素气体单质。
化合物蚀刻气体组合方法

[发明专利]使用了包含硫原子的气体分子的等离子体蚀刻方法-CN201980041905.4在审
发明人：加藤惟人;高桥至直;下田光春;池谷庆彦 -专利权人：关东电化工业株式会社
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种等离子体蚀刻方法，其在半导体制造工艺中，可以对掩模材料选择性地加工由SiO2、SiN之类的单独的材料、或SiO2、SiN的复合材料形成的膜，而且加工时得到良好的垂直加工形状。将包含通式(1)：Rf1‑S‑Rf2(1)(式中，Rf1为CxHyFz所示的一价的有机基团，Rf2为CaHbFc所示的一价的有机基团)式(1)所示的具有硫醚骨架的气体化合物的混合气体、或将单独进行等离子体化，对由SiO2、SiN之类的单独的材料、或复合材料形成的膜进行蚀刻，从而与使用通常的氢氟碳气体的情况相比，氟原子的含量少，而且包含硫原子的保护膜沉积，从而可以实现改善与掩模材料、其它非蚀刻对象材料的选择性、降低对侧壁的损伤、抑制向横向的蚀刻等。
使用包含原子气体分子等离子体蚀刻方法

[发明专利]干蚀刻方法或干式清洗方法-CN201880021009.7在审
发明人： 高桥至直;深江功也;加藤惟人 -专利权人：关东电化工业株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供将多晶硅(Poly‑Si)、单晶硅(单晶Si)、非晶硅(a‑Si)这些以Si作为主要成分的膜选择性地蚀刻的方法。另外提供不会对装置内部造成损伤地将堆积、附着于化学气相沉积(CVD)装置等进行成膜的装置的试样室内的以Si作为主要成分的堆积物、附着物去除、清洗的方法。将单氟卤间化合物气体(XF、此处X为Cl、Br、I中的任意一种)和一氧化氮(NO)同时导入到进行蚀刻或成膜的装置内部，通过热激发，由此可以边降低SiN、SiO₂的蚀刻速率边将Poly‑Si、单晶Si、a‑Si等以Si作为主要成分的膜选择性地且高速地蚀刻。另外，能够不会对装置内部造成损伤地将堆积、附着于CVD装置等进行成膜的装置的内部的以Si作为主要成分的堆积物、附着物去除、清洗。
蚀刻成膜附着物去除堆积物单晶附着堆积清洗损伤化学气相沉积卤间化合物单晶硅多晶硅非晶硅热激发氧化氮单氟室内

[发明专利]半导体制造用反应室的清洗方法-CN201780043539.7在审
发明人：羽深等;高桥至直;深江功也 -专利权人：国立大学法人横滨国立大学;关东电化工业株式会社
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种有效地除去用三氟化氯清洗半导体制造用反应室之后所残留的氟原子的方法。将制造了半导体后的半导体制造用反应室内暴露于三氟化氯中，在除去了所述反应室内所残存的除去对象物之后，将所述反应室内用选自氮、氩、氦和氢中的至少1种气体进行热处理。优选的是，一边测定所述反应室内的温度一边将所述反应室内暴露于三氟化氯中，所述反应室内的温度下降至设定温度后，停止向所述反应室内供给三氟化氯。
室内三氟化氯半导体制造反应室清洗热处理对象物氟原子有效地暴露优选半导体残留制造

[发明专利]半导体制造装置的清洁方法-CN201780021239.9在审
发明人： 高桥至直;加藤惟人 -专利权人：关东电化工业株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供使用了含有XF(X为Cl、Br或I)所示的单氟卤素化合物作为主要成分的半导体制造装置的清洁气体组合物的清洁方法，提供通过该单氟卤素化合物，可以不会对处理室或处理容器内部造成损伤地、控制性良好地将堆积于处理室或处理容器内部的不需要的膜清洁的方法。一种清洁方法，其特征在于，在半导体装置的制造中使用的处理室或处理容器的内部，将在处理操作后附着于处理室或处理容器内部的含有Si的堆积物去除时，向该处理室或处理容器内供给XF(X为Cl、Br或I)所示的单氟卤素气体，由此将含有Si的堆积物去除，向处理室或处理容器内供给前述单氟卤素气体时的处理室或处理容器内的温度为400℃以上。
处理容器单氟半导体制造装置卤素化合物卤素气体堆积物清洁去除半导体装置处理操作清洁气体控制性膜清洁附着堆积损伤制造