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[实用新型]双光融合成像装置及电子设备-CN202320187908.2有效
发明人： 高安然;陆逊;徐庆 -专利权人：北京瞰瞰智域科技有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03B11/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种双光融合成像装置，包括滤光组件、转动组件和成像组件，初始光线穿过滤光组件形成第一入射光或者第二入射光，第一入射光的波长和第二入射光的波长不同；转动组件用于交替性地将第一入射光和第二入射光入射至成像组件，成像组件每次仅对第一入射光或者第二入射光进行曝光以得到目标图像。此外，本申请还提供了一种电子设备。本申请提供的双光融合成像装置能够有效解决成像时间久、目标图像质量低等问题。
融合成像装置电子设备

[发明专利]适用于barcode测序的转录组空间位置信息的检测方法及其应用-CN202210586945.0有效
发明人：曹罡;戴金霞;吴小凤;徐伟泽;王忠超;李月;王昊棋;高安然;张凌凯 -专利权人：鲲羽生物科技（江门）有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C12Q1/682 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于barcode测序的转录组空间位置信息的检测方法及其应用，该方法通过杂交探针的设计、探针预处理、样品杂交、连接反应、滚环扩增，仅需4轮连接测序即可解读上万种基因的原位空间转录表达谱。依据其探针设计特点又可应用于点突变以及甲基化位点原位检测。可实现单细胞、单分子、单碱基分辨的高通量基因原位解读。该方法的信号解读不依赖超分辨成像平台，推动了高通量原位空间转录组的普及和发展。
适用于 barcode 转录空间位置信息检测方法及其应用

[发明专利]一种动态调节频响特性的磁电换能装置-CN202111520720.7有效
发明人： 高安然;胡立志;段纯刚;张千十 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态调节频响特性的磁电换能装置，本发明通过复合磁电内芯在永磁体及线圈的交变磁场的磁感应作用下产生谐振、生成交变电荷，交变电荷经由谐振功率放大器放大，在信号分析仪上产生信号波谱图，本发明的复合磁电内芯在磁场环境下将磁能转换为电能，以获得固有的复合磁电内芯的谐振频率。为控制和调节复合磁电内芯的谐振频率，本发明采用将夹持装置上一件或数件磁力夹爪与复合磁电内芯夹持，通过动态调节磁力夹爪的位置及数量，改变复合磁电内芯的应力边界条件，使得复合磁电内芯的固有频率产生变化，得到低于固有频率的谐振频率，从而实现复合磁电内芯的频响特性的动态可调，最终获得可动态调控频响特性的磁电换能器。
一种动态调节特性磁电装置

[发明专利]双光融合成像装置及其方法-CN202310084361.8在审
发明人： 高安然;陆逊;徐庆 -专利权人：北京瞰瞰智域科技有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03B11/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种双光融合成像装置，包括滤光组件和摄像头，摄像头包括镜片；滤光组件包括转动组件、第一滤光片和第二滤光片，初始光线穿过第一滤光片形成第一入射光、穿过第二滤光片形成第二入射光，第一入射光的波长和第二入射光的波长不同；转动组件用于交替性地将第一入射光和第二入射光入射至镜片，双光融合成像装置每次仅对第一入射光或者第二入射光进行曝光。此外，本申请还提供了一种双光融合成像方法。本申请提供的双光融合成像装置能够有效解决成像时间久、目标图像质量低等问题。
融合成像装置及其方法

[发明专利]适用于中通量核酸空间位置信息的检测方法及其应用-CN202211334802.7在审
发明人：曹罡;戴金霞;王忠超;杨莉瑶;吴小凤;徐伟泽;李月;蔡怀源;高安然 -专利权人：华中农业大学;鲲羽生物科技（江门）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C12Q1/6806 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于中通量核酸空间位置信息的检测方法及其应用，该方法首先设计出初级杂交探针，根据待检测细胞或组织的核酸种类数，设计Y×N条次级杂交探针，所述次级杂交探针与初级杂交探针中的锁式探针的部分区域互补连接；其中，Y×N数值需满足待检测细胞或组织的核酸种类数，进行N轮的荧光探针与靶基因杂交，解读每个组合两种荧光的共定位，确定空间上不同种类核酸分子的分布，该方法可通过N轮的杂交，达到了同时检测最多种核酸分子的目的，且信号强度高，信号的解读不依赖超分辨成像平台，实现了检测成本、检测轮数、检测通量和信号强度之间的平衡，推动了原位空间转录组的普及和发展。
适用于通量核酸空间位置信息检测方法及其应用

[发明专利]适用于高通量转录组空间位置信息的检测方法及其应用-CN202011291005.6有效
发明人：曹罡;戴金霞;吴小凤;徐伟泽;王忠超;李月;王昊棋;高安然;张凌凯 -专利权人：华中农业大学;鲲羽生物科技（江门）有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C12Q1/682 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高通量转录组空间位置信息的检测方法及其应用，该方法通过杂交探针的设计、探针预处理、样品杂交、连接反应、滚环扩增，仅需4轮连接测序即可解读上万种基因的原位空间转录表达谱。依据其探针设计特点又可应用于点突变以及甲基化位点原位检测。可实现单细胞、单分子、单碱基分辨的高通量基因原位解读。该方法的信号解读不依赖超分辨成像平台，推动了高通量原位空间转录组的普及和发展。
适用于通量转录空间位置信息检测方法及其应用

[发明专利]一种原位声补偿数字式磁场传感器-CN202011371072.9有效
发明人： 高安然;段纯刚;朱秋香;胡立志 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位声补偿数字式磁场传感器，其特点是该磁场传感器包括：压电材料、磁致伸缩材料、前置匹配电路、信号采集与处理电路和主控模块，所述压电材料上分布有补偿区以及与磁致伸缩材料耦合的敏感区；所述敏感区与补偿区若干独立区域的电极通过串并联方式引出后与多路前置匹配电路连接；所述前置匹配电路与信号采集与处理电路和主控模块依次串接后由输出接口将数字化的磁场测量数据输出；所述主控模块通过算法控制各路的闭合，并将求差信号的极小值所对应的状态锁定，实现原位声的补偿。本发明与现有技术相比具有灵敏度高，测量误差小，大大改善了阻尼特性和谐振特性，结构简单，制作成本低。
一种原位补偿数字式磁场传感器

[实用新型]一种智能微弱明火探测装置-CN202121387262.X有效
发明人： 高安然;吴珂妮 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能微弱明火探测装置，所述智能微弱明火探测装置包括启动开关、包装外壳、红外传感器、蜂鸣器、指示灯、蓝牙发射器、电路板、电池、固定部件、光路通孔、透明镜片。所述启动开关设置在所述包装外壳的表面，所述包装外壳为所述红外传感器留有小孔，所述包装外壳设有可固定在墙面的固定部件，所述指示灯和所述蜂鸣器和所述蓝牙发射器以及所述红外传感器设置并焊接在所述电路板上，所述电路板与所述电路板保护层连成一体，所述电路板有一定倾斜角度固定在所述包装外壳内部。本实用新型结构简单，无复杂光路和复杂电路，能在降低生产成本的同时提高明火检测的灵敏度和准确度。
一种智能微弱明火探测装置

[外观设计]书签（精彩在冀）-CN202130210245.8有效
发明人： 高安然;李洁;张盛耕 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： 19-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：书签（精彩在冀）。2.本外观设计产品的用途：用于阅读时标记进度。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计产品为薄型产品，省略左视图、右视图、俯视图和仰视图。
书签精彩

[外观设计]千斤顶支架-CN202030701060.2有效
发明人：党博;南旭东;唐璇;于凯;李媛;高安然;王欢;夏润璋;李瞳;谢徳顺 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： 12-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：千斤顶支架。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于可供举升重物的千斤顶。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
千斤顶支架

[发明专利]一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器-CN201510882994.9有效
发明人：李铁;王伊;高安然;张东伟;杨勋 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;北京正旦国际科技有限责任公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明涉及生物传感技术领域，特别是涉及一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器。本发明采用硅纳米线作为换能器，其比表面积高，对表面电荷密度改变极为敏感，可实现气相条件下气味分子的高灵敏检测，检测灵敏度达到ppb量级；工艺过程简单，可控性强，可与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产。
一种基于纳米气味识别生物传感器

[发明专利]三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法-CN201710734604.2在审
发明人： 高安然;李铁;赵兰天;薛忠营;赵清太;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法，晶体管制备包括：提供基底，并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层，第二材料层为含硅材料层；形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形；刻蚀叠层材料层，直至暴露出基底；腐蚀上述结构，得到三维硅纳米线阵列沟道、源区及漏区；于硅纳米线沟道表面沉积介质层；于源区、漏区的顶部表面以及纳米线沟道外围的基底上制作源电极、漏电极及栅电极。通过上述方案，本发明的生物传感器具有环栅式结构，可实现360°环绕式感应，硅纳米线场效应晶体管采用三维堆叠的阵列结构，可减小器件尺寸，实现信噪比的提升，省略源漏掺杂的步骤，工艺简单适于批量生产。
场效应晶体管硅纳米线阵列生物传感器基底漏区源区制备三维第二材料层叠层材料层硅纳米线沟道含硅材料层纳米线沟道表面沉积第一材料顶部表面硅纳米线基底表面三维堆叠阵列结构电极掺杂的沟道区环绕式环栅式交替的介质层漏电极信噪比栅电极制作源晶体管省略沟道减小刻蚀源漏沉积外围腐蚀暴露生产

[发明专利]基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器及其制备方法-CN201710024581.6在审
发明人：李铁;仝敬;王伊;张蕾;高安然;张东伟;宋海峰;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;北京正旦国际科技有限责任公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，所述制备方法包括：1)提供石墨烯及微加热器平台，并将所述石墨烯转移至所述微加热器平台上；2)将步骤1)所得到的结构置于化学气相沉积反应炉中退火；3)于退火后的所述石墨烯表面通过试剂进行修饰，形成具有活性基团的活性薄膜；4)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明通过采用悬膜式的加热结构连接石墨烯，并在石墨烯表面修饰光受体蛋白，一方面采用光受体蛋白实现波长选择性，提高光吸收率；另一方面采用悬膜式加热结构，减少衬底对石墨烯性能的影响，更可以通过加热电压来调节工作温度，从而调节光生载流子迁移率和浓度，以提高光探测器件的性能。
石墨烯光受体制备退火光探测器活性薄膜加热结构微加热器温度调节蛋白膜式化学气相沉积波长选择性光生载流子光探测器件表面形成表面修饰光吸收率活性基团加热电压反应炉迁移率衬底修饰

[发明专利]具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法-CN201710018051.0在审
发明人：李铁;王伊;仝敬;张蕾;高安然;张东伟;宋海峰;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;北京正旦国际科技有限责任公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
石墨烯退火波长选择性表面形成测试电极电极器件光探测器活性薄膜光受体基板制备吸收率蛋白本征石墨烯波长光辐射选择性吸收工艺过程供电电极供电引线活性基团灵敏度反应炉敏感响应覆盖恢复生产

[发明专利]基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及其制备方法-CN201810007579.2在审
发明人： 高安然;韩清华;赵兰天;赵清太;李铁;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。
场效应晶体管铁电漏区源区制备生物传感器电容掺杂的沟道区传感灵敏度导电层表面介质层表面铁电性材料亚阈值摆幅表面形成电容集成电容介质沟道图形降低器件器件功率无机铁电传统的导电层底层硅顶层硅介质层漏电极埋氧层氧化铪栅电极制作源电极衬底半导体离子兼容响应

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