[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201180041118.3 | 申请日： | 2011-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103081139A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 金艺瑟;郑多娟;金京完;尹馀镇;吴尚炫 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构。该LED的电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构，其中，电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。
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至
的Al厚度的Al/Ag/Al、具有
的Al厚度的Ag/Al以及具有
的Al厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al，在热处理之后反射率为95％或更大，并且该反射率等于或大于Ag的反射率。
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