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[发明专利]晶片的加工方法-CN202010933777.9在审
发明人：西田吉辉;饭田英一;千东谦太 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，能够抑制器件芯片的抗弯强度降低。该晶片的加工方法是在正面侧具有功能层的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，照射激光束而沿着间隔道将功能层去除，并且沿着间隔道形成激光加工槽；切削槽形成步骤，利用切削刀具对晶片进行切削，沿着间隔道在激光加工槽的内侧形成切削槽；磨削步骤，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化，使切削槽在晶片的背面侧露出而将晶片分割成多个器件芯片；以及加工应变去除步骤，向晶片的背面侧提供等离子状态的气体，将形成于多个器件芯片的背面侧和侧部的加工应变去除，在加工应变去除步骤中，将形成于激光加工槽的周边的热影响层去除。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010088142.3在审
发明人： 饭田英一;西田吉辉;千东谦太 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴保护带；磨削步骤，隔着保护带将晶片保持在卡盘工作台上，对晶片的背面侧进行磨削而薄化至规定的厚度；研磨步骤，利用研磨垫对通过磨削步骤进行了磨削的晶片的背面侧进行研磨，将通过磨削步骤而形成的破碎层去除；以及等离子体加工步骤，向通过研磨步骤进行了研磨的晶片的背面侧提供处于等离子体状态的惰性气体，将晶片的背面侧的加工应变的表层去除。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201911139490.2在审
发明人：西田吉辉;饭田英一;千东谦太;金永奭 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，使对晶片进行加工而制造器件芯片的工序简化。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片埋设有贯通电极，形成有覆盖贯通电极的第1绝缘膜，其中，晶片的加工方法具有如下步骤：磨削步骤，按照覆盖贯通电极的第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从背面侧磨削晶片；电极突出步骤，对晶片的背面进行蚀刻而使被第1绝缘膜覆盖的贯通电极在背面侧突出；应变层形成步骤，对贯通电极已突出的该晶片的背面提供等离子化的惰性气体，在晶片的背面上形成应变层；绝缘膜形成步骤，在晶片的背面上形成第2绝缘膜；和电极形成步骤，在与贯通电极重叠的区域中，将第1绝缘膜和第2绝缘膜去除，形成与在晶片的背面侧露出的贯通电极连接的背面侧电极。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201910260247.X在审
发明人：西田吉辉;饭田英一;横尾晋;高桥宏行;千东谦太 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除，并且形成激光加工槽；在激光加工槽的内侧形成深度超过晶片的完工厚度的切削槽；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使切削槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。
晶片背面等离子加工激光加工槽破碎层切削槽加工磨削去除图案多个器件惰性气体晶片薄化晶片分割图案去除激光束间隔道金属层应变层放电种晶破损照射芯片

[发明专利]晶片的加工方法-CN201910260665.9在审
发明人：西田吉辉;饭田英一;横尾晋;高桥宏行;千东谦太 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除并且形成深度超过晶片的完工厚度的激光加工槽；将保护部件粘贴于形成有激光加工槽的晶片的正面侧；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使激光加工槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。
晶片激光加工槽背面等离子加工破碎层加工磨削去除图案保护部件多个器件惰性气体晶片薄化晶片分割图案去除激光束间隔道金属层应变层放电粘贴种晶破损照射芯片

[发明专利]减压处理装置-CN201610143581.3有效
发明人： 饭田英一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种减压处理装置，在将晶片吸附保持于静电卡盘上而进行等离子蚀刻的情况下，不需要切换对下部电极所施加的电压。在搬入构件(8)将晶片(W)搬入到腔室内并使保持部(82)所保持的晶片(W)与静电卡盘(3)的吸附面(32)接触的状态下，将保持部(82)与地线连接并且对下部电极(33)施加直流电压，解除保持部(82)对晶片(W)的吸附并且使保持部(82)离开晶片(W)，由此使静电卡盘(3)与晶片(W)带有极性相互不同的电荷，由吸附面(32)对晶片(W)进行吸附保持。
减压处理装置

[发明专利]静电卡盘-CN201810744977.2在审
发明人：千东谦太;饭田英一;山田智広;西田吉辉;高桥宏行;藤谷凉子;横尾晋 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供静电卡盘，该静电卡盘抑制了在带与保持面之间产生气泡，防止带灼烧。静电卡盘(4)利用保持面(41)对在下表面粘贴有带(T)的晶片(W)进行保持，该静电卡盘(4)包含：多个细孔(40)，它们形成于保持面，与吸引源(43)连通；凹凸(D)，其形成在保持面上，与多个细孔连接；以及电极(44)，其配设在该静电卡盘(4)的内部。在使细孔与吸引源连通而对晶片进行吸引保持时，凹凸成为保持面上的吸引路。
静电卡盘细孔吸引源晶片连通表面粘贴电极灼烧吸引

[发明专利]减压处理装置-CN201711088584.2在审
发明人： 饭田英一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种减压处理装置，防止在对腔室内进行减压时产生结露，并且缩短减压时间。在减压状态下对晶片(W)进行处理的减压处理装置(1)构成为具有：腔室(10)，其具有对室内进行减压的减压单元(50)；开闭门(17)，其将供晶片相对于减压室搬入和搬出的搬入搬出口(12)打开或关闭；以及惰性气体提供源(37)，其向腔室内提供惰性气体，在开闭门被打开的状态下持续提供惰性气体而将腔室内维持为干燥状态。
减压处理装置惰性气体减压室内开闭门搬入晶片持续提供干燥状态减压单元减压状态搬出口减压室搬出结露腔室

[发明专利]充电辊、充电装置、处理盒、成像装置及充电辊的制造方法-CN201410082977.2有效
发明人：星尾拓郎;星崎武敏;增田升一;饭田英一;服部高彦;和田昇 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： G03G15/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种充电辊，其中导电性弹性层和导电性粘合层的优异的粘合性和尺寸稳定性并存。一种充电辊121，具有表面上含有金属的圆筒状基材30；在所述基材30上的导电性粘合层33，其包含含有卤原子的树脂且外周表面侧的表面粗糙度Rz为0.5μm以上8μm以下；以及导电性弹性层31，其以与该导电性粘合层33的外周表面接触的方式布置，并包含含有卤原子的橡胶。本发明还提供了一种充电装置、处理盒、成像装置以及充电辊的制造方法。
充电装置处理成像制造方法

[发明专利]橡胶辊制造机以及橡胶辊制造方法-CN201210061858.X有效
发明人： 饭田英一 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B29C47/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种橡胶辊制造机和橡胶辊制造方法，橡胶辊制造机包括外部件，其形成为圆筒形形状；内部件，其布置在所述外部件的内部以便在内部件和外部件之间形成环形通道，该内部件具有外周表面，在形成环形通道的部分中外周表面相对于橡胶材料的摩擦系数比外部件的内周表面的摩擦系数大，并且该内部件具有形成于其中央部的插孔以便供轴部件插入该插孔中；以及排出部，其允许从环形通道流出的橡胶材料与来自插孔的轴部件接触，并且使橡胶材料和轴部件形成一体的状态并排出到外部。
橡胶制造以及方法

[发明专利]橡胶辊制造装置及橡胶辊制造方法-CN201210279245.3有效
发明人： 饭田英一 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B29C47/02 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制橡胶辊的端部处的未硫化的橡胶材料的变形的橡胶辊制造装置及橡胶辊制造方法。橡胶辊制造装置构成为具备排出机（12），其将辊芯（22）隔开间隔地依次送入到呈圆筒状被挤出的未硫化的橡胶材料的中心部，并交替地排出由橡胶材料包覆辊芯（22）的外周面而成的橡胶辊部（56）和因橡胶材料使辊芯（22）之间成为中空的中空部（58）；挤压机（14），其将中空部（58）的橡胶材料向内侧挤压，从而由从排出机（12）排出的中空部（58）的橡胶材料覆盖辊芯（22）的端面（68）的至少周缘部。
橡胶制造装置方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201510767562.3在审
发明人： 饭田英一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种蚀刻方法。使附着于被加工物的水分在短时间内干燥并且防止氟酸的生成。作为被加工物的蚀刻方法，包含如下的工序：使腔室(11)内的压力成为负压状态、将惰性气体等离子化而去除附着于被加工物的水分的工序；以及在去除了水分之后、取代惰性气体而使用氟系稳定气体、将氟系稳定气体等离子化而对被加工物进行干法蚀刻的工序。
蚀刻方法

[发明专利]橡胶辊的制造方法以及橡胶组合物-CN201410384257.1在审
发明人： 饭田英一 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C08L71/00 文献下载
摘要：一种橡胶辊的制造方法，其包含下述工序：准备橡胶组合物的工序，橡胶组合物含有表氯醇－环氧乙烷－烯丙基缩水甘油醚三元共聚物即表氯醇橡胶和导电剂，并且相对于表氯醇橡胶100重量份的氧化钙的含量为1重量份以下，表氯醇－环氧乙烷－烯丙基缩水甘油醚三元共聚物以全体的40摩尔％～60摩尔％的范围含有衍生自环氧乙烷的结构单元；按照使橡胶组合物中所含的挥发成分的比例相对于橡胶组合物全体为0.8重量％以下的方式除去挥发成分的工序；将挥发成分的比例达到0.8重量％以下的橡胶组合物覆盖于芯体的外周而形成橡胶组合物层的工序；以及将橡胶组合物层在常压下硫化而在芯体的外周形成橡胶层的工序。
橡胶制造方法以及组合

[发明专利]充气轮胎-CN200480039976.4无效
发明人： 饭田英一 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： B60C15/00 文献下载
摘要：以遍及胎体帘布层的方式配置在左右一对胎圈芯间的充气轮胎，其中：上述胎圈芯，由以使胎体帘布层的端部折返的方式进行卡定的卡定用胎圈芯和不进行卡定的非卡定用胎圈芯构成。非卡定用胎圈芯的内周半径R₂形成得比在卡定用胎圈芯处折返的胎体帘布层端部的内周半径R₁小。
充气轮胎

[发明专利]轮胎/车轮组装体-CN03814057.8无效
发明人：张替绅也;饭田英一 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B60C17/06 文献下载
摘要：一种轮胎/车轮组装体，它是在环状壳体4的腿端部上形成向外侧弯曲的弯曲部4f，在与该环状壳体4的周方向正交的剖面中，将从弯曲部4f的轴方向外端P3通过轮辋上的隆起1h的顶点P1的线段L1与垂直轮胎轴的方向所成的倾斜角度α1设定在±5°以内，将从环状壳体的半径方向内端到至少剖面高度A的35％的高度B的区域4s形成为直线状，将沿着该直线状区域4s的内面的延长线L2与垂直轮胎轴的方向所成的倾斜角度α2设为向轴方向内侧倾斜15°～30°，同时使之通过隆起1h的顶点P1和轮胎胎缘部的胎趾前端P2之间。
轮胎车轮组装

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