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[发明专利]莫兰迪色彩珠光地板及其漆饰工艺-CN202111526675.6有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种莫兰迪色彩珠光地板,包括地板本体(1)，地板本体(1)的表面依次涂覆有水性着色层(2)、透明底漆层(3)、珠光层(4)和透明面漆层(5)，所述珠光层(4)由珠光漆或金属漆一次涂覆而成，珠光层(4)的涂布量为5～20g/m2；还公开了一种漆饰工艺，包括以下步骤：先对地板本体的表面涂覆水性着色层，然后对其表面涂覆透明底漆层，再对其表面涂覆珠光层，最后涂覆透明面漆层，得成品。本发明能够显示出地板表面的木纹效果，并提高表面珠光层的均匀度和立体感。
莫兰迪色彩珠光地板及其工艺

[发明专利]一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法-CN202211412472.9在审
发明人： 顾正豪;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成二维材料薄膜层；对所述二维材料薄膜层进行第一种掺杂类型的掺杂；在所述衬底上形成由掺杂后的所述二维材料薄膜层形成的沟道区，以形成薄膜晶体管；其中，在对所述二维材料薄膜层进行掺杂时，通过控制掺杂量，实现对形成后的薄膜晶体管的阈值电压的前置调节。本发明制备工艺简单稳定，有利于针对多种大面积二维材料薄膜层的掺杂，且与CMOS工艺兼容，有利于大规模量产。
一种实现阈值电压调节薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种柔光木地板工艺-CN202211121504.X有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B27M3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔光木地板工艺，包括以下步骤，a、素板砂光，对素板进行三辊砂光，辊的规格为60‑120目，得A品；b、防变色，A品用砂带抛光后用封闭底漆处理，得B品；c、上色，B品用抛光带抛光后，使用天然水溶性树脂油漆上色，得C品；d、C品顶面上依次喷涂附着力底漆、透明腻子底漆、透明腻子底漆、弹性底漆、透明底漆，得D品；e、D品喷涂砂光底漆后，使用380‑420目砂带打磨，得E品；f、E品顶面上依次喷涂耐磨底漆、加硬底漆得F品；g、F品喷涂砂光底漆后，用380‑420目砂带打磨，得G品；h、G品顶面上依次喷涂三道坚弗耐刮擦润色面漆，得成品。本发明具有反光柔和、通透性好、生产成本低和生产效率高的优点。
一种柔光木地板工艺

[发明专利]木地板工艺-CN202211156620.5在审
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B27M3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种木地板工艺，包括以下步骤，a、木基板砂光，使板面平整，得A品，b、A品上使用天然水性隐形底涂，型号WFD310，得B品，c、B品上使用净味耐黄变附着底漆，得C品，d、C品上使用砂光底漆，砂光底漆干燥后用380‑420目的砂带3磨平，得D品，e、D品上使用净味耐黄变附着底漆，得E品，f、E品上使用加硬底漆，F品，e、F品上使用砂光底漆，砂光底漆干燥后用380‑420目的砂带3磨平，得E品，g、E品上使用三道坚弗净味耐黄变漆，得成品；所述步骤b中，所述A品冷冻后，采用涂刷机将天然水性隐形底涂涂刷上A品上。本发明具有所得木地板清颜效果好的优点。
木地板工艺

[实用新型]一种水性漆木地板用喷边装置-CN202222480982.1有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水性漆木地板用喷边装置,包括呈相互垂直设置的第一输送部(1)和第二输送部(2)，第一输送部(1)和第二输送部(2)之间经倾斜的滑轨(3)相互连接，第一输送部(1)和第二输送部(2)上均设有喷漆工位(4)，喷漆工位(4)的两侧设有喷嘴(5)，喷嘴(5)的外部经漆管连接有喷漆机，喷嘴(5)内设有连接漆管的喷漆通道；所述喷漆通道包括进漆口(6)，进漆口(6)的两端分别连接有呈间隔设置的两个喷漆口(7)。本实用新型具有喷涂均匀度好、工作效率高的特点。
一种水性漆木地板用喷边装置

[实用新型]木材三次热波平衡装置-CN202222480985.5有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B27K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种木材三次热波平衡装置,包括烘干箱(1)，烘干箱(1)的顶部分别连接有第一循环风管(2)和第二循环风管(3)，第一循环风管(2)的两端分别连接烘干箱(1)的顶部两侧，第一循环风管(2)上设有第一循环风机(4)和加热器(5)，第二循环风管(3)的两端分别连接烘干箱(1)的顶部两侧，第二循环风管(3)上设有第二循环风机(6)和除湿器(7)，烘干箱(1)的一侧连接有湿气进管(8)，湿气进管(8)的外部连接有电热蒸汽发生器(9)。本实用新型具有含水率控制精度高、烘干效率高的特点。
木材三次平衡装置

[实用新型]一种抗变形的加固木门-CN202123140232.1有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： E06B3/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗变形的加固木门,包括门体(1)，门体(1)内侧连接有长条形的金属支撑件(2)，金属支撑件(2)呈多条并排设置在门体(1)内，相邻金属支撑件(2)之间形成空腔(3)。本实用新型通过在门体内侧设置的金属支撑件，能够有效提高门体的受力强度和抗变形能力；通过针对不同类型的门体对金属支撑件外形和排布结构的优化，则能够提高金属支撑件在各门体内的适用性和加固效果。
一种变形加固木门

[发明专利]一种晶圆级二维材料生长方法-CN202111078973.3在审
发明人：朱颢;顾正豪;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级二维材料生长方法。以五氯化钼和六甲基二硅硫烷作为反应前驱体，通过控制原子层沉积工艺参数，使衬底交替暴露在五氯化钼和六甲基二硅硫烷的气体脉冲下，气体在衬底表面吸附并进行化学反应形成厚度精确可控的晶圆级MoS2薄膜；之后进行退火处理。本方法可以实现4英寸晶圆级大面积二硫化钼生长，并且基于此薄膜制备的器件开关比达到106，载流子迁移率为10cm2V‑1s‑1以上。
一种晶圆级二维材料生长方法

[发明专利]一种基于晶圆级二维材料的反相器、制备方法及逻辑电路-CN202111078992.6在审
发明人：朱颢;刘浩;顾正豪;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种基于晶圆级二维材料的反相器、制备方法及逻辑电路。采用原子层沉积法生长大面积且电学性能优异的二维材料薄膜，以此作为沟道，采用两个晶体管直接耦合的结构设计了反相器，并构建了NAND，NOR，AND，OR等逻辑电路。以上逻辑电路均能实现准确的布尔逻辑运算，其中反相器的电压增益在驱动电压为4V时可达到4以上，并能实现50Hz的翻转响应频率。
一种基于晶圆级二维材料反相器制备方法逻辑电路

[实用新型]实木地板用静音大力扣-CN202023117755.X有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种实木地板用静音大力扣,包括位于实木地板两侧的公槽(1)和母槽(2)，相邻实木地板经公槽(1)和母槽(2)相互扣合，所述公槽(1)的上下两侧设有凹陷部(3)，公槽(1)外侧包覆有柔性膜层(4)，柔性膜层(4)外部延伸至两侧凹陷部(3)，所述母槽(2)的上下两侧设有与凹陷部(3)对齐的凸出部(5)，母槽(2)外侧包覆有蜡层(6)，蜡层(6)外部延伸至两侧凸出部(5)，相邻实木地板在扣合处形成间隙部，间隙部内的蜡层(6)和柔性膜层(4)部分贴合。本实用新型能够有效提高实木地板的连接稳定性和降噪效果。
实木地板静音大力

[实用新型]一种芯三层实木复合地板-CN202020792023.1有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： E04F15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯三层实木复合地板,包括复合芯层，复合芯层的正面和背面分别设有面层(1)和背层(2)，所述复合芯层包括由白松制成的松木芯层(3)，松木芯层(3)的两侧分别设有桉木垫层(4)，松木芯层(3)和单层桉木垫层(4)之间的厚度比为10:1～2。本实用新型能够将白松作为地板主料的同时具有良好的含水率稳定性和结构强度。
一种三层实木复合地板

[实用新型]一种4K科技地板-CN202020517958.9有效
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： E04F15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4K科技地板,包括木质基板(1)，木质基板(1)的上表面依次设有遮盖层、喷印纹理层(2)、底漆层(3)和面漆层(4)，所述遮盖层由多层粘连层(5)和底色层(6)依次涂覆而成，遮盖层的底面和顶面分别经两层粘连层(5)连接木质基板(1)和喷印纹理层(4)，其中粘连层(5)为水性附着剂层，底色层(6)为有色UV加硬漆层。本实用新型具有耐久性好、喷印层不易破损的特点。
一种科技地板

[发明专利]一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法-CN201910618158.8有效
发明人：张卫;王晨;田梓良;何振宇;顾正豪;李涵;甘露荣;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底，具有第一掺杂类型，并有第二掺杂类型的重掺杂区；第一栅氧化层，部分覆盖重掺杂区；轻掺杂硅层，在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层；第一多晶硅层，具有第一掺杂类型，在第一栅氧化层上，并覆盖部分所述轻掺杂硅层；第二栅氧化层，在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上；第二多晶硅层，具有第二掺杂类型，在第二栅氧化层上；栅极侧墙；源区和漏区，在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率，使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿，从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率，提高器件的速度。
一种外延 tfet 沟道半浮栅晶体管及其制备方法

[发明专利]全能王型实木复合地板及加工工艺-CN201911402317.7在审
发明人：顾国华;顾正豪 -专利权人：浙江上臣家居科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种全能王型实木复合地板及加工工艺,包括由多层实木单板依次贴合而成的复合基板，复合基板上表面依次设有装饰纸和耐磨纸。本发明一方面能够有效提高地板的环保性能和稳定性；另一方面能够有效缓解地板在加工时的开裂和翘曲问题。
全能王实木复合地板加工工艺

[发明专利]一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法-CN201910618157.3在审
发明人：张卫;王晨;田梓良;何振宇;顾正豪;李涵;甘露荣;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明制备方法包括：在P型衬底的上部形成N型轻掺杂区；在轻掺杂区中刻蚀形成U型槽；在衬底表面以及U型槽表面形成栅氧化层；刻蚀所述栅氧化层；沉积栅极多晶硅层，对栅极多晶硅层进行P型离子注入并退火激活；刻蚀栅极多晶硅层；形成高K介质层；在高K介质层上沉积金属栅；定义源区和漏区的位置，对金属栅、高K介质层、栅极多晶硅层以及栅氧化层分别进行刻蚀；生长栅极侧墙；对源区、漏区进行自对准N型离子注入，并退火激活。本发明的采用高K/金属栅结构，减小了栅介质层的量子隧穿效应，改善了半浮栅晶体管的栅极漏电及其引起的功耗。
栅极多晶硅层浮栅晶体管金属栅结构高K介质层栅氧化层刻蚀制备退火漏区源区集成电路制造技术激活量子隧穿效应漏电表面形成沉积金属衬底表面多晶硅层刻蚀栅极轻掺杂区栅极侧墙栅介质层金属栅自对准衬底功耗减小沉积生长

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