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[发明专利]一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔-CN201410357204.0在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;郭浩 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔，用于在晶圆进行刻蚀后、清洗前，对晶圆进行前置净化处理，通过在净化腔的腔体内环绕腔体竖直中心设置的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，可从不同方向及可调整的角度和距离同时向晶圆支撑台上旋转的晶圆喷射净化气体，并通过腔体上方的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，应用本发明的净化腔既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。
一种改善刻蚀副产物凝结缺陷净化

[发明专利]监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法-CN201410253190.8在审
发明人：范荣伟;王洲男;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，包括：在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。
监控消除尺寸缺陷导致后续工艺扩散方法

[发明专利]通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法-CN201410217928.5在审
发明人：范荣伟;王恺;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留；在去除光阻残留后进行光刻工艺。通过应用本发明，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。
通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合剥落缺陷方法

[发明专利]提前监控并预防连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法-CN201410216681.5在审
发明人：范荣伟;袁增艺;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种提前监控并预防连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，包括：利用晶边扫描机台进行晶边光阻宽度检测处理，以便在有源区光刻工艺后对晶圆的光阻洗边情况进行监控；根据晶边扫描机台的扫描结果跟踪建立光阻洗边情况与剥落缺陷之间的关系，得出能够产生剥落缺陷的阈值光阻残留宽度；持续在线监控晶圆上的光阻的洗边情况，并将光阻残留宽度超过阈值光阻残留宽度的晶圆作为洗边不合格晶圆进行返工操作。通过应用本发明，可以有效地提前监控剥落缺陷，并通过适当的返工避免后续工艺中剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。
提前监控预防连接孔钨栓粘合剥落缺陷方法

[发明专利]采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法-CN201410060338.6有效
发明人：范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：建立电容测试结构；将所述测试结构放置于监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀；采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测，判断所述电容测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则电容测试结构不存在缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。
采用电容测试结构检测多晶栅极刻蚀缺陷方法

[发明专利]位错缺陷的检测方法及其应用-CN201410126968.9在审
发明人：范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种位错缺陷的检测方法，包括以下步骤：建立应力分布不均且形成有多个晶体管的测试结构，测试结构的有源区中形成有多个应力集中程度不完全相同的应力集中区域；在测试结构上形成多个连接孔并在其中填充金属，所述多个连接孔至少连接所述应力集中区域；通过电子束扫描仪扫描所述测试结构以得到所述连接孔的影像特征图；根据所述影像特征图检测所述测试结构中由应力引起的位错缺陷。本发明还提供了一种应用该位错缺陷检测的热处理工艺窗口检查方法。本发明能够快速有效地检测应力引起的位错缺陷，并为热处理工艺优化提供参考。
缺陷检测方法及其应用

[实用新型]端面密封式接头的冷却器-CN201320335232.3有效
发明人：卞红;吴海燕;顾晓芳 -专利权人：南通江华热动力机械有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B66F9/075 文献下载
摘要：端面密封式接头的冷却器，包括芯体，包括长接管、短接管，所述长接管设与芯体的左侧，短接管设与芯体的右侧，所述长接管上设有封头一，所述短接管上设有有孔封头；所述芯体的上端设有侧板，所述侧板上设有若干腰孔；所述芯体上设有风罩；所述芯体的右侧端面设有接头，所述接头上设有密封圈。本实用新型产品减轻了强烈震动带来的影响，保证了冷却器的正常有效工作；在端面嵌入O型密封圈式接头，使得冷却器与冷却系统的密封连接更可靠。
端面密封接头冷却器

[发明专利]测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法-CN201310256206.6有效
发明人：范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的利用P型源结构测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法，包括：在半导体衬底上建立测试模块矩阵；对测试模块矩阵中的各个测试模块区域进行离子注入，使各个测试模块的结构均形成PMOS/N型阱区结构；经光刻和刻蚀工艺，在各个测试模块上形成接触孔；平坦化接触孔后，采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对接触孔进行缺陷检测，得到漏电影像特征图；根据漏电影像特征图测算栅极间的接触孔与多晶硅栅极的对准偏差值。本发明的方法不仅可以统计到接触孔和多晶硅栅极的对准偏差的缺陷分布图和严重程度，还可以为在线监控提供理论基础，为半导体器件的在线制造与良率提升提供保障。
测算接触多晶栅极对准偏差方法

[发明专利]半导体器件电性失效的检测方法-CN201210451871.6有效
发明人：范荣伟;顾晓芳;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件电性失效的检测方法，包括：步骤S1：灰阶收集；a、以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，通过程式设定为缺陷而被检测，并拍摄电子显微镜图谱；b、以半导体器件作为扫描对象，并在不同条件下扫描，进行灰阶分析；步骤S2：扫描条件筛选，进行电性测试；获得相似度数值；定义最优扫描条件；步骤S3：进行定点灰阶分析，获得电性有效的灰阶收集数据区间；步骤S4：电性失效区域预报。本发明通过电子束缺陷扫描仪所获得的灰阶收集数据与所述电性测试数据进行比较，可有效的预报电性失效区域和电性有效区域，为监测离子注入工艺优劣提供依据，并为即将采取的改善措施提供技术支持，为缩短半导体器件的研发周期提供有力的保障。
半导体器件失效检测方法

[发明专利]存储器同步缺陷检测方法-CN201210451663.6有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器同步缺陷检测方法，包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区最小重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。通过利用本发明的存储器同步缺陷检测方法，可以在同一个检测过程中对具有不同方向周期的存储器结构进行缺陷的检测，从而实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度。
存储器同步缺陷检测方法

[发明专利]一种预防晶圆滑落的装置及方法-CN201210375754.6有效
发明人： 顾晓芳;刘永波;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种预防晶圆滑落的装置及方法。本发明提出一种预防晶圆滑落的装置及方法，通过在晶圆固定器的管脚上设置与系统通信连接的光检测装置，当晶圆与管脚卡接不紧时，光检测装置的光信号接收装置就会接受到光信号，即能在进行晶圆检测分析工艺对晶圆的固定情况进行预警，根据预警信号对机台进行停机检查，进而有效避免因晶圆卡接不牢而导致title的时候发生晶圆从固定器上滑落而致使其破损，有效降低了工厂的生产检测分析成本。
一种预防圆滑装置方法

[发明专利]聚焦离子束装置-CN201210451653.2有效
发明人： 顾晓芳;刘永波;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：一种聚焦离子束装置，包括：真空腔室；离子源，在负性电场的牵引下导出所述镓离子束；离子光学系统，决定所述离子束的大小，所述离子束并经过二次聚焦达到位于所述样品台上的试片表面；样品台，用于承载所述试片；二次电子，由所述聚焦离子束照射到所述试片产生；显示装置，显示所述试片的二次电子图像，进行缺陷定位；电荷导出装置，设置在所述真空腔室上，并与所述试片之缺陷的附件区域电性连接。通过本发明所述的具有电荷导出装置的聚焦离子束装置进行缺陷定位时，聚集的电荷易于导出，对所述缺陷提供精确的定位。同时也使得由所述聚焦离子束装置的发送端发射并用于沉积或切割的电荷可控的到达所述试片表面，实现准确的定位并进行沉积或切割。
聚焦离子束装置

[发明专利]一种缺陷通报系统-CN201110307999.0无效
发明人：邵雄;娄晓祺;顾晓芳;陈旭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G06Q50/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缺陷通报系统，通过本发明将设计一个针对缺陷异常情况的处理平台，利用系统控制的方式记录、追踪异常的缺陷状况；并考虑各不同系统之间的整合，以及不同时段发生的缺陷异常状态之间的关联；同时还可以归纳和观看各类指标来指导缺陷检测的重点方向，合理安排检测设备的产能。
一种缺陷通报系统

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