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[发明专利]W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法-CN201610883450.9在审
发明人：陆海燕;王维波;程伟;郭方金;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明是W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法，其结构包括处理器、探针台、噪声仪、电源，其中处理器的第一信号输出/输入端与探针台的信号输入/输出端对应相接，处理器的第二信号输出/输入端与噪声仪的信号输入/输出端对应相接，噪声仪的A信号输出端连接W波段低噪声源的信号输入端，噪声仪的B信号输出端连接下变频模块的信号输入端，电源的电源输出端接处理器、直流探卡的电源信号输入端。优点避免了装架噪声系数测试效率低下的问题，同时避免了传统在片测试由于系统损耗过大,在该频段无法实现噪声系数归零的问题。通过噪声级联公式处理相应数据计算出低噪声芯片的实际噪声系数、增益等关键指标。
波段噪声功率放大芯片测试系统方法

[发明专利]含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法-CN201310578349.9有效
发明人：倪金玉;李忠辉;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法1）采用111面单晶硅为衬底；2）在氢气气氛下采用低的温度对硅衬底进行10分钟的退火处理；3）采用低的温度生长氮化铝成核层；4）在氮化铝成核层上生长过渡层和氮化镓层。优点可降低III族金属原子的扩散系数，减小扩散进入硅衬底的III族金属原子的剂量，寄生导电层具有差的导电性。由此研制的微波功率器件，漏电和微波能量损失小，可获得良好的击穿性能、功率输出性能、信号增益和工作效率。
含高阻寄生导电 iii 氮化物薄膜生长方法

[发明专利]铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法-CN201410353330.9有效
发明人：孙高峰;任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法，包括，1）在指定区域注入掺杂离子，并且在高温下退火激活这些离子；采用光刻的方法定义注入区域的图形，淀积金属掩膜并剥离，将需要注入的地方暴露出来；注入时采用金属作为掩膜定义注入区域，注入离子采用Si离子；2）将注入区部分地方的AlGaN势垒层刻蚀掉，然后在AlGaN被刻蚀掉的地方淀积金属直接与GaN层接触。优点：可具有很低的欧姆接触电阻率，金属电极具有良好的表面平整度和可靠性；无需采用含Al的多层金属体系来实现AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触，避免Al金属由于化学性质活泼，后续工艺引起对欧姆接触的破坏作用，提升欧姆接触可靠性。
铝镓氮氮化电子迁移率晶体管欧姆接触制作方法

[发明专利]低寄生参数铝镓氮化合物/氮化镓高迁移率晶体管的制造方法-CN201510917427.2在审
发明人：任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种低寄生参数铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在依次完成源电极、漏电极、栅电极的制作和第二介质层的淀积后，在第二介质层之上涂覆第四光刻胶层，并经过曝光、显影等操作之后在源电极和漏电极之间的第四光刻胶层中形成第四窗口，第四窗口完全覆盖栅电极，去除第四窗口下的介质层后去除第四光刻胶层，完成对栅电极周围介质层的减薄，然后再淀积一层较薄的介质层对栅电极进行保护，完成AlGaN/GaN HEMT的制作。本发明通过减薄器件栅电极栅周围介质层的厚度来实现对寄生效应的降低。第四光刻胶层同时可实现对电容、电阻和电感等器件的保护，因此本发明的方法与基于AlGaN/GaN HEMT微波单片集成电路制造兼容，具有很好的适用性。
寄生参数氮化迁移率晶体管制造方法

[发明专利]一种AlGaN/GaN HEMT晶体管及其制造方法-CN201510922949.1在审
发明人：任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提出一种AlGaN/GaN HEMT晶体管及其制造方法，其中器件源电极和漏电极通过一高热导率的材料直接实现与器件所采用SiC衬底的连接，器件栅电极下产生的热量经过与源电极和漏电极相连的高热导率材料实现向SiC衬底的散热；本发明中的AlGaN/GaN HEMT器件还存在一高热导率的材料将器件栅电极与SiC衬底相连接，器件栅电极下产生的热量经过与栅电极相连的高热导率材料实现向SiC衬底的散热，进一步增强器件的散热能力。
一种 algan gan hemt 晶体管及其制造方法

[发明专利]铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法-CN201410108984.5在审
发明人：任春江;孙高峰;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：1）在AlGaN势垒层上淀积第一介质层；2）在第一介质层上涂覆第一光刻胶层；3）蒸发作为注入掩膜用的金属掩膜层到去除了第一光刻胶层的第一介质层上和第一光刻胶层的表面，剥离去除第一光刻胶层其上的金属掩膜层留下的金属层；4）利用金属掩膜层作为掩膜对需要进行离子注入的区域注入Si⁺离子形成注入区；5）去除第一介质层及其上的金属掩膜层后，淀积第二介质层到AlGaN势垒层的表面，在保护气体中高温退火激活注入的Si⁺离子形成掺杂。优点在于研制的器件欧姆接触电极表面及边缘的形貌良好，器件的有效源漏间距通过重掺杂得以减小从而提升器件的微波性能。
氮化电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]一种低噪声GaN HEMT器件的制备方法-CN201410001507.9有效
发明人：周建军;孔岑;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是一种低噪声GaN HEMT器件的制备方法，包括，1）生长含组分渐变背势垒的AlGaN/GaN异质结材料；2）制作介质场板；3）制作欧姆接触；4）形成器件的隔离区域；5）通过正胶剥离的方法形成TaN基的Γ型栅；6）利用等离子沉积方法，在样品表面沉积Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄多层表面钝化介质；7）通过等离子体刻蚀方法去除源漏以及栅电极上的介质材料，形成测试窗口。优点：1）结构和功率GaN HEMT兼容，有利于工艺集成；2）有效提高器件耐压，防止频率特性的恶化；3）提高器件对高输入功率的承受能力；4）降低钝化工艺对器件频率的影响，同时提高栅的稳定性。
一种噪声 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种制备自对准栅GaN HEMT器件及方法-CN201310641375.1有效
发明人：周建军;孔岑;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是一种制备自对准栅GaNHEMT器件及方法，其结构包括GaNHEMT的沟道层、势垒层、源漏金属、Al2O3介质、离子注入隔离区和栅金属；其制备方法，1）在洁净的GaN外延材料上沉积Si3N4介质牺牲层；2）刻蚀Si3N4介质牺牲层，漏出源漏区域；3）蒸发剥离源漏金属5；4）淀积一层Al2O3介质、刻蚀；5）获得隔离图形后进行注入隔离；6）去除隔离掩模；7）掩模刻蚀Si3N4介质牺牲层，漏出栅区域；8）蒸发剥离栅金属，形成自对准栅；9）蒸发剥离金属Au实现电极测试区域金属加厚。优点工艺兼容性高；无电子束刻写工艺；降低源漏寄生电阻；不存在栅套准的问题；Al2O3侧墙介质可抑制栅源和栅漏存在的漏电。
一种制备对准 gan hemt 器件方法

[发明专利]一种均匀散热的串管结构GaN管芯-CN201310717636.3无效
发明人：张斌;余旭明;陈堂胜;任春江 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种均匀散热的串管结构GaN管芯。包括设置在衬底上的有源区、功率分配网络、功率合成网络，在衬底上垂直于栅条的方向设置有至少一个散热槽，散热槽将有源区隔离为至少两个以上的有源子区，每个有源子区之间相互串联连接并共用源条接地通孔，每个有源子区的输入端均与功率分配网络连接，每个有源子区的输出端均与功率合成网络连接。本发明在保持管芯尺寸基本不变的情况下，有效降低有源区的最高结温，改善了管芯的热稳定性，从而进一步提高管芯的可靠性。
一种均匀散热结构 gan 管芯

[发明专利]一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法-CN201310165347.7无效
发明人：陈谷然;王雯;任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理；4）对光刻胶层2进行曝光；5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理；6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液；7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理。优点：本发明获得开口具有鹰嘴型的光刻剖面图形，可防止蒸发过程中光刻胶表面层金属与光刻图形底部金属相连，有助于金属剥离。比采用多层胶实现金属剥离具有工艺来的简单，同时又比采用负性光刻胶具有更好的图形分辨率，可实现可小线宽的图形剥离工艺。
一种应用于金属剥离单层光刻方法

[发明专利]一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法-CN201310165348.1有效
发明人：刘海琪;王泉慧;任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明是一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法，包括：1）介质层上涂覆光刻胶层，介质层的厚度在150nm-250nm；2）通过曝光显影在光刻胶层上形成A栅脚图形，A栅脚图形的线宽在50nm-250nm；3）采用ICP刻蚀的方法以光刻胶层为掩膜，对A栅脚图形中的介质层进行刻蚀，反应气体CHF3，气体流量5sccm-20sccm，反应气压0.1Pa-0.5Pa，上电极功率为0W，下电极功率30-100W，刻蚀去除介质层总厚度的60%-80%，4）对剩余介质层采用低损伤干法刻蚀的方法刻蚀去除。优点：线宽损失小、低损伤，在同样光刻线宽情况下获得更小的栅长，有助于获得更好的器件频率特性。
一种适合于微米半导体器件制造介质刻蚀方法

[发明专利]具有高热稳定性的AlGaN/GaN HEMT制造法-CN201310099827.8有效
发明人：任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是一种具有高热稳定性的AlGaN/GaNHEMT制造方法，其特征是AlGaN/GaNHEMT的栅电极采用了肖特基栅结构，其肖特基栅电极由势垒金属层和栅帽金属层构成，其中势垒金属层从势垒层表面开始依次由WN金属层和W金属层构成，栅帽金属层包括Ti/Pt/Au/Ti、Ti/Pt/Au/Pt/Ti和Ti/Pt/Au/Ni多层金属体系；栅电极还采用凹槽栅形式的肖特基栅结构，其肖特基栅电极同样由势垒金属层和栅帽金属层构成，其不同点在于与势垒金属层接触的势垒层的部分被去除后在势垒层中形成了一个凹槽。优点：在于容易制造实现，所制造的器件具有更好的耐温度特性，满足更高温度工作的需要。
具有高热稳定性 algan gan hemt 制造

[发明专利]低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法-CN201310013408.8无效
发明人：倪金玉;李忠辉;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明是低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法，结构包含硅衬底、氮化铝成核层、铝镓氮过渡层和III族氮化物层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和铝镓氮过渡层间，铝镓氮过渡层位于氮化铝成核层和III族氮化物层间；铝镓氮过渡层含第一铝镓氮层和第二铝镓氮层，第一铝镓氮层的Al组分高于第二铝镓氮层的Al组分，第一铝镓氮层的厚度小于第二铝镓氮层的厚度，且满足条件：两层铝镓氮层的厚度和铝组分乘积的比例大小在0.8~1.2；III族氮化物层的Al组分低于第二层铝镓氮层的Al组分。优点：本发明生长的III族氮化物外延片弯曲度低，满足圆片级器件工艺要求。
弯曲度硅基 iii 氮化物外延生长方法

[发明专利]一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法-CN201210572530.4有效
发明人：周建军;孔岑;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电镀工艺在GaN材料上制备细栅的方法，包括如下步骤：首先利用等离子体化学沉积方法在干净的AlGaN/GaN材料上生长SiN薄的介质保护层，然后利用电子束光刻工艺定义栅脚图形。利用反应离子刻蚀(RIE)设备刻蚀栅脚区域SiN，然后利用电子束蒸发系统蒸发势垒金属和电镀种子层。利用电子束光刻工艺定义栅帽图形，然后利用电镀工艺制备栅帽，最后将电子束胶去除。本发明可以大幅降低栅的电阻，有效提高栅的稳定性。
一种利用电镀工艺 gan 材料制备方法

[发明专利]一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法-CN201210178089.1无效
发明人：任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明是一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法，其结构是AlGaN/GaNHEMT的源电极16和漏电极17的欧姆接触采用TiSi/Al/Ni/Au或者Ti/AlSi/Ni/Au或者TiSi/AlSi/Ni/Au的多层金属系统，其中TiSi、AlSi合金由双源电子束蒸发或者溅射淀积，Al、Ni和Au采用电子束蒸发或者溅射淀积。本发明的优点是制作的欧姆接触具有较小的接触电阻，同时能够较好的控制工艺的重复性。
一种采用合金多层金属欧姆接触系统及其制造方法

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