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[发明专利]温度调节系统及调节方法-CN202310587481.X有效
发明人：汪秀山 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种温度调节系统及调节方法，其中，温度调节系统包括加热装置和控制装置，加热装置用于芯片键合时对芯片表面的焊料凸点加热，加热装置包括多个温度区域，每个温度区域设有多个调温腔室，每个调温腔室设有导热介质。控制装置根据预存的芯片键合时每个温度区域的加热温度，调节温度区域内的多个调温腔室内的导热介质的导热系数，以使与温度区域位置对应的焊料凸点在芯片键合时的温度等于目标温度。本公开在加热装置中设置具有导热介质的调温腔室，通过控制装置对每个温度区域内的调温腔室内的导热介质的导热系数进行调节，以使得焊料凸点在芯片键合时的温度等于目标温度，减小或消除各焊料凸点之间的温度差，提升芯片键合的可靠性。
温度调节系统方法

[发明专利]判决反馈均衡电路、数据接收电路及存储器-CN202310813952.4在审
发明人：李欣瑜;李思曼;严允柱 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：本公开提供一种判决反馈均衡电路、数据接收电路及存储器。判决反馈均衡电路包括；第一放大均衡电路，用于根据输入数据信号、第一参考电压信号和抽头信号输出第一数据信号；第二放大均衡电路，用于根据输入数据信号、第二参考电压信号和抽头信号输出第二数据信号；选择采样电路，选择采样电路与第一放大均衡电路和第二放大均衡电路均耦接，用于根据选择信号和采样时钟信号对第一数据信号和第二数据信号进行选择和采样，输出目标数据信号；其中，第一放大均衡电路和第二放大均衡电路根据选择信号择一运行。由于选择信号能够使第一放大均衡电路和第二放大均衡电路择一运行，减小了放大均衡电路的工作电流，从而降低了判决反馈均衡电路的功耗。
判决反馈均衡电路数据接收存储器

[发明专利]半导体图像轮廓提取方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310836343.0在审
发明人：贾若然;孙侠;刘忠明;杨益;王海睿;陈继华 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06V10/44 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体图像轮廓提取方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括：获取待处理图像和设计图像，设计图像包括至少一个多边图形，待处理图像包括与多边图形对应的待提取轮廓区域；基于预先训练的轮廓提取模型对待处理图像和多边图形进行处理，得到待处理图像的轮廓图像，轮廓图像包括与待提取轮廓区域对应的轮廓。本公开能够提高半导体图像轮廓提取的精确度和鲁棒性，实现根据提取的轮廓来分析半导体产品质量、制造工艺及设计图像是否符合要求的目的。
半导体图像轮廓提取方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310828744.1在审
发明人：谈亚丽 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于衬底上的至少一个柱状结构，柱状结构包含至少一个突出部。沟道层，沟道层至少覆盖柱状结构设置有突出部的部分的表面及柱状结构的顶表面，突出部至少包含第一边界，第一边界的尺寸大于第一边界在第一方向或第二方向上的正投影的尺寸中的任一者，其中，第一方向为平行于衬底平面的方向，第二方向为垂直于衬底平面的方向。介质层，介质层覆盖沟道层的部分表面，栅极层，栅极层覆盖介质层的表面。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]炉管设备及其清洁组件与方法-CN202310823476.4在审
发明人：王晓玲;汪银发 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种炉管设备及其清洁组件与方法，炉管设备的清洁组件包括：清洁管路、第一压力调整结构及控制器。清洁管路用于与炉管设备的反应腔室连通，以将清洁气体通入到反应腔室内部。第一压力调整结构与清洁管路相连，第一压力调整结构用于调整清洁管路通入到反应腔室内部的气体压力大小。控制器与第一压力调整结构电性连接，控制器用于控制第一压力调整结构按照第一预设气压与第二预设气压交替往复运行，第一预设气压大于第二预设气压。如此，在第一压力调整结构按照第一预设气压与第二预设气压交替往复运行时，便能实现对炉管设备较好的清洗效果。
炉管设备及其清洁组件方法

[发明专利]均衡器版图及存储器版图-CN202310596337.2在审
发明人：刘旭升 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C11/4067 文献下载
摘要：本公开实施例涉及存储器领域，提供一种均衡器版图以及存储器版图，均衡器包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，均衡器版图包括：沿第一方向排布设置的第一晶体管版图和第二晶体管版图，其中，所述第一晶体管版图和所述第二晶体管版图构成第一子版图，所述第一晶体管版图和所述第二晶体管版图沿第一方向镜像对称；第三晶体管版图，沿第二方向，所述第三晶体管版图位于所述第一子版图的一侧，且所述第三晶体管版图沿所述第二方向的中心线和所述第一子版图的沿所述第二方向的中心线重合；其中，所述第一方向与第二方向相交。本公开实施例提供的均衡器版图以及存储器版图至少可以提升均衡器版图的面积利用率。
均衡器版图存储器

[发明专利]静电保护器件-CN202110808153.9有效
发明人：许杞安 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种静电保护器件，涉及半导体技术领域。该静电保护器件的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区位于P阱内，第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区位于第一N阱内，第二N型重掺杂区部分位于P阱内，部分位于第一N阱内，P阱和第一N阱位于P型衬底内；P型衬底上设有栅极结构，栅极结构、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成晶体管，第一N型重掺杂区和栅极结构连接第一电压，第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区连接第二电压。随着静电电流增大，第二P型重掺杂区与P阱所形成的PN结先击穿，晶体管导通，通过第二电压抬高第二N型重掺杂区的电压，加快晶体管导通，将部分静电电流泄放出去，从而降低触发电压，提高防护能力。
静电保护器件

[发明专利]一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构-CN202110817629.5有效
发明人：邱定中 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构，该制备方法包括：提供基底，基底表面具有多个盲孔或沟槽；于多个盲孔或沟槽内形成填充层，填充层的顶面与基底的顶面平齐；于填充层的顶面和基底的顶面上形成覆盖层；其中，覆盖层包括至少一个叠层结构，一个叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且第一覆盖层的掺杂材料源和第二覆盖层的掺杂材料源不同。这样，采用包含第一覆盖层和第二覆盖层的叠层结构实现覆盖层，不仅能够避免沉积过程中的应力累积问题，而且改善了覆盖层的均匀度和表面粗糙度，还能够平衡结构阻值，从而提高了半导体结构的性能。
一种半导体结构制备方法电容

[发明专利]腔室清洗方法-CN202210982669.X有效
发明人：郭宇峰 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种腔室清洗方法，包括：提供一腔室，所述腔室的内壁附着有多组分物质；向所述腔室内通入第一清洗气体，以与所述多组分物质中的第一组分反应生成第一气态产物；向所述腔室内通入第二清洗气体，以与所述多组分物质中的第二组分反应生成第二气态产物。本发明可以去除腔室内壁附着物，避免附着物以颗粒的形式掉落到腔室内而在工艺中形成缺陷。
清洗方法

[发明专利]存储器的焊盘结构及其制造方法-CN201810328852.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及存储器领域，公开了存储器的焊盘结构及其制造方法。焊盘结构可以包括底垫金属，形成在衬底上；多个第一导体栓塞，设置在所述底垫金属的周边区上；中间层缓冲垫，有间隔地对准并位于所述底垫金属上，所述第一导体栓塞纵向连接所述底垫金属与所述中间层缓冲垫；多个第二导体栓塞，设置在所述中间层缓冲垫的周边区上；以及表面接合垫，有间隔地对准并位于所述中间层缓冲垫上，所述第二导体栓塞纵向连接所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫；其中，所述中间层缓冲垫为网状结构，所述第一导体栓塞和所述第二导体栓塞相对偏离所述中间层缓冲垫的中央区的纵向投射区域。本申请提供的焊盘结构能够更好地释放键合应力。
存储器盘结及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010864006.9有效
发明人：陈龙阳;吴公一 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底和位于所述衬底上的多个分立的位线结构，相邻所述位线结构之间具有导电插塞，所述导电插塞顶面低于或平齐于所述位线结构顶面；着陆垫，所述着陆垫至少覆盖所述导电插塞顶面和部分侧壁表面。本发明有利于提高半导体结构的导电性能。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]套刻精度的控制方法和装置-CN202011101233.2有效
发明人：周晓方;章杏 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种套刻精度的控制方法和装置，在确定当前层的套刻误差补偿值之前，先判断当前层是否存在相似层，其中，当前层和相似层均相对于同一基准层对准，且二者的套刻精度要求均相对于基准层；如果当前层存在相似层，则根据当前批次晶圆在相似层的套刻误差值，和/或之前批次晶圆在相似层的套刻误差值，确定当前批次晶圆在当前层的套刻误差补偿值；利用当前批次晶圆在当前层的套刻误差补偿值对当前批次晶圆的当前层进行光刻工艺。该方法能够将当前批次晶圆，和/或之前批次晶圆在相似层的套刻误差值作为参考数据进而丰富了参考数据，提高了套刻误差补偿值的准确度。
精度控制方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011596138.4有效
发明人：朱一明;王晓光 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道区域、以及位于所述衬底表面的第一端，所述第一端用于与第一类型存储单元连接；第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道区域、以及位于所述衬底表面的第二端，所述第二端用于与第二类型存储单元连接，所述第一沟道区域与所述第二沟道区域的面积不同。本发明能够达到将所述第一晶体管的制造工艺与所述第二晶体管的制造工艺兼容的效果，简化了半导体结构的制造方法，有助于提高存储器中具有所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的存储单元的集成密度，并缩小存储单元的尺寸，提高了存储器的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶圆生产监控方法、系统与电子设备-CN202110761390.4有效
发明人：宋文康 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆生产监控方法、系统与电子设备。晶圆生产监控方法包括：在生产晶圆经过多个工艺站点到达光刻工艺站点后，获取所述生产晶圆当前层与参考层的多个套刻误差；将所述多个套刻误差满足预设条件的所述生产晶圆标记为待检晶圆；在所述待检晶圆的数量达到第一预设值时，根据每个所述生产晶圆中的所述多个套刻误差的特征确定待检工艺站点，所述待检工艺站点为对全部所述生产晶圆的套刻误差特征影响最大的工艺站点；根据所述待检工艺站点中的多个机台与所述待检晶圆的对应关系在所述待检工艺站点中确定待检机台。本公开实施例可以自动定位导致套刻误差超出工艺标准的机台。
生产监控方法系统电子设备

[发明专利]静电保护电路-CN202010395921.8有效
发明人：许杞安 -专利权人： 长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护电路，用于保护内部电路，包括：第一电路，连接于电源焊盘和输入焊盘之间，用于泄放第一静电电流；第二电路，连接于输入焊盘和接地焊盘之间，用于泄放第二静电电流；第三电路，连接于电源焊盘和输入焊盘之间，用于泄放第三静电电流；第四电路，连接于电源焊盘和接地焊盘之间，用于泄放第四静电电流；第五电路，连接于输入焊盘和接地焊盘之间，用于泄放第五静电电流；第六电路，连接于接地焊盘和电源焊盘之间，用于泄放第六静电电流。本发明的静电保护电路在不触发内部电路的前提下，实现了对静电电流进行快速地泄放，从而既不影响内部电路的正常功能，同时又提供了较强的静电保护能力。
静电保护电路