专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于晶圆背面的薄化装置-CN202022055336.1有效
  • 苏晋苗;苏冠暐 - 北京芯之路企业管理中心(有限合伙)
  • 2020-02-18 - 2021-10-15 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及电子技术领域,尤其是一种用于晶圆背面的薄化装置,包括晶圆握持装置、研磨装置、整修装置和研磨浆料供应系统,晶圆握持装置用于对晶圆进行固定维持晶圆凸出面接受研磨,研磨装置用于对晶圆凸出面研磨,整修装置用于对研磨装置进行研磨装置的研磨垫粗糙度整修与排除研磨废弃物,研磨浆料供应系统用于对研磨装置与晶圆凸出面之间进行定量供应研磨浆料,本实用新型提升产能及良率、提高自动化率使操作安全与优化质量、节省设备投资及维修费、减少原料耗材费用、金属层较佳的附着性等目标的解决方案,在产品良率与产能上均具有优势。
  • 一种用于背面化装
  • [实用新型]一种晶圆背面的金属化结构-CN202020179384.9有效
  • 苏晋苗;苏冠暐 - 北京芯之路企业管理中心(有限合伙)
  • 2020-02-18 - 2020-12-01 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及电子技术领域,尤其是一种晶圆背面的金属化结构,包括薄化后的集成电路晶圆,所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板,硅晶圆基板上表面为形成有集成电路,硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面,硅晶圆基板上位于集成电路的上方设置有保护胶层,晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层,本实用新型提升产能及良率、提高自动化率使操作安全与优化质量、节省设备投资及维修费、减少原料耗材费用、金属层较佳的附着性等目标的解决方案,在产品良率与产能上均具有优势。
  • 一种背面金属化结构
  • [实用新型]一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置-CN202020179385.3有效
  • 苏晋苗;苏冠暐 - 北京芯之路企业管理中心(有限合伙)
  • 2020-02-18 - 2020-12-01 - B24B37/10
  • 本实用新型涉及电子技术领域,尤其是一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置,包括晶圆握持器、晶圆握持环、研磨台、研磨抛光垫和研磨浆液与去离子水供应控制装置,晶圆握持环安装在晶圆握持器上,研磨抛光垫安装在研磨台上,晶圆握持环与研磨抛光垫对应配合设置,研磨抛光垫包括有研磨区和抛光区,研磨抛光垫呈圆形设置,抛光区位于研磨抛光垫的中心处,研磨区环绕在抛光区的外部,研磨区与抛光区之间环绕设置有沟槽,研磨浆液与去离子水供应控制装置分别对应于研磨区和抛光区单独供应管路设置,晶圆握持器上设置有用于带动晶圆握持器移动的移动装置,本实用新型具备简化制程步骤实现提升产能、自动化,并提供优化质量、降低成本。
  • 一种碳化硅研磨抛光装置
  • [实用新型]一种半导体制造研磨废水回收装置-CN202020228857.X有效
  • 苏晋苗;蔡坤颖 - 北京芯之路企业管理中心(有限合伙)
  • 2020-02-29 - 2020-12-01 - B01D36/04
  • 本实用新型涉及半导体研磨废水处理技术领域,尤其是一种半导体制造研磨废水回收装置,包括研磨废水回收装置的外壳主体,所述外壳主体内设置有过滤膜纤维组件,外壳主体的侧壁与过滤膜纤维组件之间为待过滤废水存储空间,过滤膜纤维组件的顶端侧壁与外壳主体的侧壁之间为密封连接,外壳主体的内部顶端与过滤膜纤维组件的顶端之间为过滤后回收水存储空间,外壳主体的下部连通设置有污泥回收装置,本实用新型实现资源回收再利用,从而减少水资源的使用量、降低制造成本,保护了环境,避免了环境污染情况。
  • 一种半导体制造研磨废水回收装置
  • [发明专利]一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法-CN202010098688.7在审
  • 苏晋苗;苏冠暐 - 北京芯之路企业管理中心(有限合伙)
  • 2020-02-18 - 2020-06-19 - B24B37/10
  • 本发明涉及电子技术领域,尤其是一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法,包括晶圆握持器、晶圆握持环、研磨台、研磨抛光垫和研磨浆液与去离子水供应控制装置,晶圆握持环安装在晶圆握持器上,研磨抛光垫安装在研磨台上,晶圆握持环与研磨抛光垫对应配合设置,研磨抛光垫包括有研磨区和抛光区,研磨抛光垫呈圆形设置,抛光区位于研磨抛光垫的中心处,研磨区环绕在抛光区的外部,研磨区与抛光区之间环绕设置有沟槽,研磨浆液与去离子水供应控制装置分别对应于研磨区和抛光区单独供应管路设置,晶圆握持器上设置有用于带动晶圆握持器移动的移动装置,本发明具备简化制程步骤实现提升产能、自动化,并提供优化质量、降低成本。
  • 一种碳化硅研磨抛光装置与其方法

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