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[发明专利]MRAM器件及其形成方法-CN202310358975.0在审
发明人：莫竣杰;郭仕奇;李宗宪;翁武安;林重佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种MRAM器件，包括：第一介电层，位于衬底上方且具有第一开口；第二介电层，位于第一介电层上方并且具有第二开口；可变电阻存储单元，包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层，第一电极位于第一开口中且具有矩形截面，第一电极的顶面与磁性隧道结层的底面接触，第二电极和磁性隧道结层位于第二开口中；磁性隧道结层具有U‑形状截面并且包围第二电极的侧壁和底面；第二电极的顶面与第二介电层的顶面共面；第二介电层包括蚀刻停止层和位于蚀刻停止层上方的中间层，第一电极的外围宽度小于或等于磁性隧道结层的U‑形状截面的外围宽度。本发明实施例涉及MRAM器件的形成方法。
mram 器件及其形成方法

[发明专利]处理工具、自动检测工具及其使用方法-CN201810797093.3有效
发明人：林佳汉;李建法;刘旭水;白峻荣;庄胜翔;苏伦德拉·库马尔·索尼;郭守文;翁武安;蔡元诚;廖建科;薛雅熏;廖姣柔;余承霏;蔡明吉;刘国义 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及一种处理工具。该工具包括围绕工艺处理室的外壳、以及配置为通过外壳将晶圆传送进入工艺处理室和传送出工艺处理室之外的输入/输出端口。后侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为使晶圆的后侧成像。前侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据第一图像分辨率使晶圆的前侧成像。前侧微观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据高于第一图像分辨率的第二图像分辨率使晶圆的前侧成像。本发明还提供了自动检测工具及其使用方法。
处理工具自动检测工具及其使用方法

[发明专利]MRAM器件及其形成方法-CN201710167690.3在审
发明人：莫竣杰;郭仕奇;李宗宪;翁武安;林重佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种MRAM器件及其形成方法。一种MRAM器件，包括介电层、可变电阻存储单元以及导电层。介电层位于衬底上方并且具有开口。可变电阻存储单元位于开口中并且包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层。导电层填充开口的保留部分并且电连接至可变电阻存储单元的第一电极和第二电极中的一个。本发明实施例涉及MRAM器件及其形成方法。
mram 器件及其形成方法

[发明专利]选择性应力记忆作用的半导体元件及其制造方法-CN200710185177.3无效
发明人：王美匀;薛正诚;翁武安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性应力记忆作用的半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括半导体衬底，具有第一区域与第二区域，各个该第一与第二区域具有第一掺杂区域与第二掺杂区域并被相隔以绝缘区。PMOS晶体管设置于该第一掺杂区域上，且NMOS晶体管设置于该第二掺杂区域上。第一顶盖层覆盖该NMOS晶体管于该第一区域上，以及第二顶盖层覆盖该PMOS晶体管于该第一区域上。该第一顶盖层的厚度与该第二顶盖层的厚度不同，由此分别作用不同的应力于该PMOS晶体管与该NMOS晶体管。位于该第二区域上的该PMOS晶体管与该NMOS晶体管被硅化。本发明的优点在于省略传统SMT或SSMT方法所需使用的保护抗氧化层，降低工艺步骤所需的制造成本，且元件电性能及工艺窗口或裕度皆得以提升。
选择性应力记忆作用半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法及在其内制造电容器的方法-CN200510069391.3有效
发明人： 翁武安 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及在其内制造电容器的方法。先提供一半导体基底。接着，形成至少一个浅沟渠隔离结构。然后，形成穿隧氧化层。之后，沉积第一多晶硅层。继之，在第一多晶硅层上沉积氮化硅层。之后，沉积第一光阻层。接着，图案化与定义第一光阻层以暴露至少一部分的氮化硅层。然后，蚀刻氮化硅层暴露的部分以及氮化硅层暴露部分底下的第一多晶硅层。继之，去除第一光阻层，再形成第二氧化层。接着，在第二氧化层上提供第二光阻层。之后，去除一部分的第二光阻层与一部分的氮化硅层。然后，去除残余的第二光阻层与残余的氮化硅层以暴露出至少第一多晶硅层的一部分。继之，图案化与定义第二多晶硅层。
半导体元件制造方法其内电容器

[发明专利]监控晶圆缺陷的方法-CN200310121831.6有效
发明人： 翁武安;许旺财;刘坤祐;赖怡洁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明是关于一种监控晶圆缺陷的方法。该方法是首先提供一晶圆，该晶圆上存在有一缺陷，接着进行一化学处理步骤，以扩大晶圆上的缺陷，之后在晶圆上形成一共形材料层，然后使用扫描仪器找出晶圆上的缺陷。本发明因为采用化学处理步骤，以扩大晶圆上的缺陷处，因此可以彰显晶圆上的缺陷处，突破了现有的扫描仪器的侦测极限，能够及早反应出产品上小于奈米级以下的缺陷，不需额外添购昂贵的扫描仪器，即可达到比原先只利用扫描仪器例如是亮场检知器(Brightfield inspector)更好的效果。
监控缺陷方法