本发明提供了一种提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统，属于信息存储器领域，方法包括：当待测3D NOR FLASH芯片目标扇区处于正常工作状态时，根据预设程序对目标扇区循环依次进行写入、读取和擦除操作，每隔若干次循环次数，记录目标扇区当前写入和擦除的时长；基于目标扇区当前写入和擦除的时长，若判断待测3D NOR FLASH芯片的工作状态已达到老化阈值，则控制加热时长和温度，对待测3D NOR FLASH芯片进行加热操作，提升待测3D NOR FLASH芯片读写擦速度。本发明解决了芯片老化后，擦写速度退化下降导致工作效率变低的问题。
本发明提供了一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统，属于信息存储领域，方法包括：S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；本发明提供的故障判断方法不需要频繁采集大量样本，简化了判断流程，更具有实用性。
