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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]数据生成方法以及带电粒子束照射装置-CN202110696247.1在审
发明人：安井健一 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及数据生成方法以及带电粒子束照射装置。本发明的一方式的数据生成方法将定义图案形状的参数曲线分割为多个参数曲线，分别对于分割后的多个参数曲线，计算连结该参数曲线的控制点的端点的线段以及该参数曲线所包围的区域的面积，将连结所述控制点的端点的线段作为一边，计算与计算出的所述面积具有相同的面积的图形的顶点的位置，使用所述顶点生成多边形，计算多个像素各自中的基于所述多边形的覆盖率，该多个像素是将带电粒子束的照射对象以规定尺寸分割而成的多个像素。根据本发明的一方式，能够高速且准确地进行包含曲线的图形的像素覆盖率计算。
数据生成方法以及带电粒子束照射装置

[发明专利]多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法-CN201910710420.1有效
发明人：松本裕史 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。本发明的一个形态的多带电粒子束描绘装置，具有：减法运算处理电路，以使得与由缺陷束带来的过剩剂量同样的剂量被缺陷束的周围的束群分担的方式，从缺陷束的周围的束群的各自的剂量减去对应的分担剂量，上述缺陷束是多带电粒子束中的、无法进行束的剂量控制而照射的剂量达到过剩的缺陷束；以及描绘机构，具有载置样本的工作台及使多带电粒子束偏转的偏转器，使用与上述缺陷束的上述过剩剂量同样的剂量被分担而被从上述周围的束群的剂量减去后得到的剂量的多带电粒子束，对上述样本描绘图案。
带电粒子束描绘装置方法

[发明专利]照射量校正量的取得方法、带电粒子束描绘方法及装置-CN201910529595.2有效
发明人：广濑晓;西村理惠子 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及照射量校正量的取得方法、带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置。本实施方式的照射量校正量的取得方法具备：使用带电粒子束描绘装置，通过路径数不同的多重描绘将带电粒子束向基板照射而描绘评价图案的工序；测定上述评价图案的尺寸的工序；根据与各路径数对应的评价图案的尺寸测定结果，计算每1路径的尺寸变动量的工序；及基于上述每1路径的尺寸变动量、及表示图案尺寸的变化量相对于带电粒子束的照射量的变化量的比的似然，计算每1路径的照射量变动量的工序。
照射校正取得方法带电粒子束描绘装置

[发明专利]描绘数据生成方法、计算机可读记录介质及多带电粒子束描绘装置-CN201910649368.3有效
发明人：坂本信二;安井健一;稻叶千晓;山村光;福岛悟;赤羽芳规 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及描绘数据生成方法、计算机可读记录介质及多带电粒子束描绘装置。本发明的描绘数据生成方法生成在多带电粒子束描绘装置中使用的描绘数据，参照登记有包含多个顶点的顶点列的库数据，抽出设计数据所包含的图形的外形线中的与上述顶点列对应的部分，用识别该顶点列的信息和表示该顶点列的多个顶点的连接形式的信息表现所抽出的部分，从而生成上述描绘数据。
描绘数据生成方法计算机可读记录介质带电粒子束装置

[发明专利]真空装置-CN202080053171.4在审
发明人：篠原义明;川口通广 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本实施方式的真空装置具备：腔室，内部被减压；以及输送机器人，向腔室内输送处理对象，输送机器人具备：臂部；支承部，设置在臂部的前端部，热传导率比该臂部的热传导率低；板，设置在支承部与处理对象之间，热传导率比支承部的热传导率高；以及支承垫，设置在支承部上，与处理对象接触并支承该处理对象，在支承部与板之间存在使支承部与板接触的接触区域以及使该支承部与该板之间分离的空间区域。
真空装置

[发明专利]多电子束描绘装置以及多电子束描绘方法-CN202110959464.5在审
发明人：岩崎光太;山田拓 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的一方式的多电子束描绘装置的特征在于，具备：产生激励光的激励光源；将激励光分割为多个光的多透镜阵列；从表面入射多个光并从背面射出多光电子束的光电面；通过使多光电子束的各束偏转从而进行独立地切换各束的束接通/切断的独立消隐控制的消隐孔径阵列机构；具有电子透镜，通过使用电子透镜控制为束接通的多光电子束来照射试样的电子光学系统；以及在多光电子束的每次发射时，使激励光的产生/停止的切换定时与各束的束接通/切断的切换定时连动的控制电路。
电子束描绘装置以及方法

[实用新型]成膜装置以及板-CN202120901736.1有效
发明人：醍醐佳明;梅津拓人;石黑晓夫 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出，将板的面内分隔为多个区域。
装置以及

[发明专利]图案检查装置及图案检查方法-CN202110709717.3在审
发明人：矢部诚;井上贵文 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本发明的一个方式的图案检查装置，其特征在于，具备：光学图像取得机构，取得形成有图案的被检查基板的多个区域的光学图像；多个比较电路，进行比较处理，在该比较处理中对光学图像和与光学图像对应的参照图像进行比较；异常判定电路，基于多个比较电路中的比较结果，从多个区域中判定检查异常的区域的有无；故障诊断电路，诊断已实施了多个区域中与其他区域不同并被判定为检查异常的区域的比较处理的比较电路的故障的有无；以及分配处理电路，对多个比较电路中未被诊断为故障的比较电路分配进行比较处理的区域，并且将被诊断为故障的比较电路从区域的分配对象中排除。
图案检查装置方法

[发明专利]气相生长方法及气相生长装置-CN202080031727.X在审
发明人：水岛一郎;石井成明 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：实施方式的气相生长方法为使用了气相生长装置的气相生长方法，所述气相生长装置具有反应室、从反应室排出气体的排气泵、调整反应室的压力的压力调整阀、和包含设置于反应室与压力调整阀之间的第1部分及第2部分的排气配管，其中，通过向反应室中搬入第1基板，将第1基板按照成为规定温度的方式加热，以规定流量供给工艺气体并控制压力调整阀而将反应室的压力调整为规定压力，从而在第1基板的表面形成碳化硅膜，同时在第1部分及第2部分的至少任一者中堆积包含碳的副产物，将第1基板从反应室搬出，控制排气配管的压力，向排气配管的至少一部分供给包含含有氟的气体的气体而将副产物除去后，向反应室中搬入第2基板，在第2基板的表面形成碳化硅膜。
相生方法装置

[发明专利]带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法-CN201910401907.1有效
发明人：野村春之;上久保贵司 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。带电粒子束描绘装置具备：描绘室，容纳载置描绘对象物的台；束照射部，向载置在上述台上的上述描绘对象物照射带电粒子束；台驱动部，使上述台移动；温度分布计算部，基于上述台的移动履历信息，计算由上述描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；变形量计算部，基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；以及位置修正部，基于计算出的上述变形量，将向上述描绘对象物的带电粒子束的照射位置修正。上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置照射上述带电粒子束。
带电粒子束描绘装置方法

[发明专利]成膜装置以及板-CN202110467079.9在审
发明人：醍醐佳明;梅津拓人;石黑晓夫 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内大致均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出，将板的面内分隔为多个区域。
装置以及

[外观设计]盖环-CN202130342454.8有效
发明人：梅津拓人;矢岛雅美;铃木邦彦 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：盖环。2.本外观设计产品的用途：在半导体制造装置（热化学气相沉积装置）中使用，被安装在圆筒状的腔室的顶板开口部。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.右视图与左视图相同，省略右视图;后视图与主视图相同，省略后视图。6.使用状态参考图中数字1~3分别表示气体环、顶板和本物品。

[发明专利]集尘装置以及集尘方法-CN201811299642.0有效
发明人：高桥洋介;安部勇仁;明野公信 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及集尘装置以及集尘方法。实施方式的集尘装置具备在第1面配置有第1电极的背面的主体、对上述第1电极、以及上述主体的装拆进行控制的固定部、向上述第1电极传送电压的第2电极、以及对向上述第2电极施加的电压的大小及定时进行控制的控制基板。
集尘装置以及方法

[发明专利]多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置-CN202110284684.2在审
发明人：山下浩;五岛嘉国;森田博文;松本裕史 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止在防带电膜上产生局部的带电以及电位梯度，并提高描绘精度的多射束用的消隐装置以及具备这样的消隐装置的多带电粒子束描绘装置。本发明的一方式的多射束用的消隐装置具备：半导体基板；绝缘膜，设于所述半导体基板上；防带电膜，设于所述绝缘膜上；多个单元，分别具有消隐电极和接地电极，该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上；以及接地布线，设于所述绝缘膜中。所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接，该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。
多射束用装置以及带电粒子束描绘

[发明专利]多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法-CN201811144885.7有效
发明人：悬樋亮一;饭塚修 -专利权人： 纽富来科技股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本实施方式的带电粒子束描绘装置，具备：台架位置检测器，用于检测供描绘对象的基板载置的能够移动的台架的位置；标记，设置于上述台架；检测器，通过使上述多束在上述标记上扫描，从而检测各束的束位置；束形状测定部，基于检测出的上述束位置和上述台架的位置，以规定的时间间隔测定照射到上述基板的多束的束形状；以及描绘数据处理部，基于测定出的上述束形状，计算用于校正上述束形状的上述各束的校正照射量。
带电粒子束描绘装置方法

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