“松本裕史”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多射束描绘方法及多射束描绘装置-CN202010660659.5有效
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：实施方式涉及多射束描绘方法以及多射束描绘装置。多射束描绘方法具备：形成对基板进行多重描绘的多射束的射束阵列的工序；针对每个所述描绘，对将所述基板上的区域分割而得到的多个子条纹区域的每一个，分配将所述射束阵列分割而得到的所述子射束阵列的工序；针对每个所述子射束阵列，计算应用于子射束阵列内的各射束的照射时间调制率的工序；对于与相互重叠的所述子条纹区域的组分别对应的所述子射束阵列，基于所述子射束阵列内的射束的照射时间调制度，对每个所述子射束阵列计算权重并分配的工序；及将分配给各所述子射束阵列的权重与所述子射束阵列内的各射束的照射时间相乘，描绘各所述子条纹区域，对各所述子条纹区域进行多重描绘的工序。
多射束描绘方法装置

[发明专利]多带电粒子射束描绘装置及其调整方法-CN202210259329.4在审
发明人：七尾翼;松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供能够简便且高精度地进行多射束的像散校正的多带电粒子射束描绘装置及其调整方法。多带电粒子射束描绘装置具备：物镜，调整多射束的焦点位置；像散校正元件，校正多射束的像散；检查孔径，使多射束中的一根通过；偏转器，使多射束偏转，在检查孔径上扫描多射束；电流检测器，检测通过检查孔径后的多射束的各射束的射束电流；射束图像制作部，基于射束电流制作射束图像；特征量计算部，在第一方向上将射束图像的亮度相加而生成第一波形，根据第一波形计算第一特征量，在与第一方向不同的第二方向上将射束图像的亮度相加而生成第二波形，根据第二波形计算第二特征量；及参数计算部，基于第一及第二特征量，计算对像散校正元件设定的激励参数。
带电粒子描绘装置及其调整方法

[发明专利]半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置-CN202210149389.0在审
发明人：小原佳;东和幸;岛田美代子;下冈义明;山口人美;五岛嘉国;森田博文;松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束照射装置，能够抑制不希望的带电粒子束的偏转。实施方式的半导体装置具备：基板，沿着基板面内的第1方向以及基板面内的与第1方向交叉的第2方向具有以规定间隔设置的多个贯通孔；绝缘层，设置在基板上，多个贯通孔贯通该绝缘层；多个第1电极，设置在绝缘层上，相对于多个贯通孔分别在第1方向上邻接；多个第2电极，设置在绝缘层上，相对于多个贯通孔分别在第1方向上邻接，设置成与多个第1电极对置，被保持为规定电位；以及布线层，设置在绝缘层上，将相邻的多个第2电极之间电连接。
半导体装置带电粒子束描绘以及照射

[发明专利]多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法-CN201910710420.1有效
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。本发明的一个形态的多带电粒子束描绘装置，具有：减法运算处理电路，以使得与由缺陷束带来的过剩剂量同样的剂量被缺陷束的周围的束群分担的方式，从缺陷束的周围的束群的各自的剂量减去对应的分担剂量，上述缺陷束是多带电粒子束中的、无法进行束的剂量控制而照射的剂量达到过剩的缺陷束；以及描绘机构，具有载置样本的工作台及使多带电粒子束偏转的偏转器，使用与上述缺陷束的上述过剩剂量同样的剂量被分担而被从上述周围的束群的剂量减去后得到的剂量的多带电粒子束，对上述样本描绘图案。
带电粒子束描绘装置方法

[发明专利]多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置-CN202110284684.2在审
发明人：山下浩;五岛嘉国;森田博文;松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止在防带电膜上产生局部的带电以及电位梯度，并提高描绘精度的多射束用的消隐装置以及具备这样的消隐装置的多带电粒子束描绘装置。本发明的一方式的多射束用的消隐装置具备：半导体基板；绝缘膜，设于所述半导体基板上；防带电膜，设于所述绝缘膜上；多个单元，分别具有消隐电极和接地电极，该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上；以及接地布线，设于所述绝缘膜中。所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接，该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。
多射束用装置以及带电粒子束描绘

[发明专利]多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法-CN202110185082.1在审
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明关于多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。本发明的一形态的多带电粒子束描绘装置具备：可移动的台，供基板配置；发射数据生成部，生成多带电粒子束的各发射的发射数据；移位量计算部，至少基于与第k+1次(k是自然数)以后所照射的多带电粒子束的发射有关的参数，计算用于将第k次的发射的多带电粒子束整体一起进行位置修正的移位量；以及描绘机构，具有将多带电粒子束偏转的偏转器，上述描绘机构一边根据该移位量将第k次的发射的多带电粒子束整体通过一起偏转而移位，一边使用多带电粒子束对基板进行上述第k次的发射。
带电粒子束描绘装置方法

[发明专利]多射束描绘方法以及多射束描绘装置-CN202110190014.4在审
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及多射束描绘方法和多射束描绘装置。一个方式的多射束描绘方法基于像素尺寸和射束阵列信息，取得用于使担当射束向试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束在各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在经过跟踪控制期间后进行将跟踪开始位置复位的跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量，制作使用多个偏转坐标、在各跟踪控制期间中进行曝光的像素数以及进行跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量而定义的偏转次序，一边根据偏转次序使多射束偏转一边对试样描绘图案。
多射束描绘方法以及装置

[发明专利]多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法-CN201810870461.2有效
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供能够在多束描绘中缩短最大照射时间的多带电粒子束描绘装置及方法。该装置具备：组合设定处理电路，按成为多带电粒子束的设计上的照射位置的多个设计栅格的每个设计栅格，使用实际的照射位置与该设计栅格接近的4个以上的束，设定实际的照射位置包围该设计栅格的各3个束所组合的多个组合；第1分配系数运算处理电路，按照多个组合的每个组合，对构成该组合的3个束，运算对构成该组合的3个束的各束的第1分配系数，该第1分配系数用于以分配后的各分配剂量的重心位置以及总和与该设计栅格位置以及对该设计栅格照射的预定的剂量一致的方式分配对该设计栅格照射的预定的剂量；第2分配系数运算处理电路，按照4个以上的束的每个束，运算将对与该束对应的第1分配系数合计而得到的值除以多个组合的数而得到的、相对于该设计栅格的4个以上的束的各束的第2分配系数。
带电粒子束描绘装置以及方法

[发明专利]多射束描绘方法及多射束描绘装置-CN202010721545.7在审
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：实施方式涉及多射束描绘方法以及多射束描绘装置。实施方式的多射束描绘方法具备：取得与多个参数值对应的多个位置偏移数据的工序，该多个参数值是使照射到基板上的多射束的各射束的位置偏移量变化的参数的多个参数值；计算与所述多个位置偏移数据分别对应的多个基准系数数据的工序；使用与所述多个参数值对应的多个基准系数数据，计算与所述基板上的所述多射束的照射位置处的参数值对应的系数数据的工序；使用所述系数数据对所述各射束的每次发射的照射量进行调制的工序；以及向所述基板照射被调制后的所述照射量的多射束的至少一部分的所述各射束而描绘图案的工序。
多射束描绘方法装置

[发明专利]多射束描绘方法及多射束描绘装置-CN202010722441.8在审
发明人： 松本裕史;加藤靖雄 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：实施方式涉及多射束描绘方法以及多射束描绘装置。实施方式的多射束描绘方法，对在载置于在规定方向上行进的工作台上的基板上定义的每个像素照射所述多射束的各射束来形成图案。该多射束描绘方法，至少根据在所述规定方向上将所述多射束的阵列分割而成的多个子阵列中的每个子阵列的各射束的位置偏移量，取得每个子阵列的图案的位置校正量，计算基于位置校正量将针对每个所述子阵列描绘的所述图案的位置移位所用的、向所述各像素照射的所述各射束的照射量，控制为计算出的所述照射量，使用2个以上的所述子阵列各自的至少一部分进行多重描绘。
多射束描绘方法装置

[发明专利]多射束描绘方法以及多射束描绘装置-CN202010661012.4在审
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及多射束描绘方法及多射束描绘装置。本发明的一个方式的多射束描绘方法，进行基于射束偏转的第k次(k为自然数)的追踪控制，以使多射束的各射束统一并追随于工作台的移动，在进行第k次的追踪控制的同时，在各射束分别对应的以射束间间距尺寸包围的矩形的照射区域内，一边进行同时移位，一边进行多次束发射，在第k次的跟踪控制期间经过后，使跟踪位置返回到对第k次的跟踪控制开始的跟踪开始位置进一步附加了射束间间距尺寸的整数倍的偏移后的位置，作为第k+1次的跟踪控制的开始位置。
多射束描绘方法以及装置

[发明专利]多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法-CN201810869711.0有效
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供即使在多束描绘中存在缺陷束的情况下也能够抑制最大照射时间的增大的多带电粒子束描绘装置及方法。该装置具备：分配系数运算处理电路，使用能够识别缺陷束的缺陷束信息，按成为多带电粒子束的设计上的照射位置的多个设计栅格的每个设计栅格，对实际的照射位置与该设计栅格接近或者大致一致的除了缺陷束以外的3个以上的束，运算对该3个以上的束的各束的分配系数，该分配系数用于以分配后的各分配剂量的重心位置以及总和与该设计栅格位置以及对该设计栅格照射的预定的剂量一致的方式分配对该设计栅格照射的预定的剂量；及描绘机构，使用对各设计栅格照射的预定的剂量分别被分配给对应的3个以上的束的多带电粒子束，对样本描绘图案。
带电粒子束描绘装置以及方法

[发明专利]多波束用孔组及多带电粒子束描绘装置-CN201711443336.5有效
发明人： 松本裕史;山下浩;片冈宪一 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的多波束用孔组具备：成形孔阵列，形成有多个第1开口，在包含上述多个第1开口整体的区域中，接受从释放部释放的带电粒子束的照射，通过上述带电粒子束的一部分分别穿过上述多个第1开口来形成多波束；第1屏蔽板，形成有供穿过了上述多个第1开口的多波束中的分别对应的波束穿过的多个第2开口；以及消隐孔阵列，形成有供穿过了上述多个第1开口及上述多个第2开口的多波束中的分别对应的波束穿过的多个第3开口，在各第3开口处设有进行波束的消隐偏向的消隐装置。上述第2开口比上述第1开口宽。
波束用孔组带电粒子束描绘装置

[发明专利]多带电粒子束曝光方法以及多带电粒子束曝光装置-CN201711293676.4有效
发明人： 松本裕史 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及多带电粒子束曝光方法及多带电粒子束曝光装置，在使用基于带电粒子束的多束将按每束预先设定的多个控制照射时间对应的多个分割发射分别组合来对相同的照射位置持续进行多个分割发射，来对多重曝光中的每个通路的各束的照射位置分别进行所希望的照射时间的曝光的情况下，使用预先取得的消隐误差时间，按每个控制照射时间运算实效照射时间，创建表示控制照射时间与实效照射时间的关系的相关关系数据，使用相关关系数据，按试样的每个照射位置，选择与所希望的照射时间更接近的实效照射时间所对应的分割发射的组合，使用多束，进行按照对于试样的每个照射位置选择出的分割发射的组合的曝光。
带电粒子束曝光方法以及装置

1
共 14 条