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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种芯片生产用的检测治具-CN202320780738.9有效
发明人：张青;单星星;穆连和 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片生产用的检测治具，包括安装外壳，所述安装外壳顶部固定连接有安装支块，所述安装外壳上方设置有安装盖，所述安装盖底部开设有安装口，所述安装口内壁转动连接有安装转轴，所述安装支块与安装转轴外侧壁固定套接，所述安装外壳顶部开设有装配槽。本实用新型，利用限位组件可使定位挂钩、定位板、移动板、移动滑块、移动弹簧、移动拉板和移动卡环配合，以便通过拉动并偏转移动拉板上的移动卡环，使得移动卡环与定位挂钩分离，方便对检测模块进一步的快拆，使得可以对损坏的检测模块进行拆卸后的维修，提高使用效果。
一种芯片生产检测

[发明专利]一种既可调功又可调相的晶闸管交流开关控制电路-CN202311061136.9在审
发明人：许志峰;周建;穆连和;陈华 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02M1/06 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子控制技术领域，公开了一种既可调功又可调相的晶闸管交流开关控制电路，晶闸管交流开关串联设置在交流电源与负载之间，包括：触发功率输出模块、触发信号输出控制模块、基准电压产生模块、调功或调相控制模块、交流过零检测模块，所述交流过零检测模块的输出端分别与所述基准电压产生模块、触发信号输出控制模块连接，所述调功或调相控制模块与所述触发信号输出控制信号的控制端通过光信号隔离连接，所述触发信号输出控制模块的输出端与所述触发功率输出模块的控制端连接，所述触发功率输出模块的输出端与所述晶闸管交流开关的控制端连接。通过本发明可以实现对晶闸管交流开关进行调功或者调相。
一种可调调相晶闸管交流开关控制电路

[实用新型]具有保护结构的芯片生产用贴膜装置-CN202320418650.2有效
发明人：张青;曹善通;穆连和 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B65B33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供具有保护结构的芯片生产用贴膜装置，涉及芯片生产技术领域，包括工作台，所述工作台的上表面一侧安装有贴膜机，所述工作台的上表面还活动安装有移动板，所述工作台的一侧设置有控制移动板移动的控制机构，所述移动板的上表面开设有第二安装槽，所述第二安装槽的内部还设置有保护机构。本实用新型放置板通过连接弹簧与滑动安装套的连接作用的连接作用活动安装在第二安装槽的内部，当贴膜机在对芯片下压贴膜的过程中，使得放置板具有一定距离的避让空间，当贴膜机下压距离较大时，放置板能够进行有效避让，在对不同规格的芯片进行贴膜时都能起到较好的保护作用，不会使芯片因贴膜机下压距离较大出现损坏。
具有保护结构芯片生产用贴膜装置

[发明专利]一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法-CN201410038117.9有效
发明人：周明;申云;穆连和;顾理建 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaAs衬底，以及在GaAs衬底上沉积n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其中形成GaAs衬底的方法包括在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；对GaAs晶片加热的同时加压；停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。
一种 gaas 半导体发光二极管制造方法

[实用新型]一种具有PN结保护的硅台面半导体器件-CN201220413292.8有效
发明人：周明;穆连和;顾理建;王荣元 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种具有PN结保护的硅台面半导体器件，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO2保护膜层，在设有SiO2保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层，在SIPOS薄膜层外设置玻璃钝化膜层。本实用新型采用在SIPOS薄膜层上叠加玻璃钝化膜层的方式代替传统单一的玻璃钝化膜层直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的方式，提高了半导体器件的抗恶劣环境的能力，可避免玻璃钝化膜层产生裂纹，以提高产品的使用寿命。
一种具有 pn 保护台面半导体器件

[实用新型]一种快恢复二极管芯片-CN201220428448.X有效
发明人：周明;程万坡;穆连和;张兴杰 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种快恢复二极管芯片，涉及半导体器件的制造技术领域，包括N++结构层，在所述N++结构层的背面设置背面镀膜层，在N++结构层的正面设置N+结构层，在N+结构层的正面设置N-结构层，在N-结构层的正面设置P结构层，在P结构层的正面设置正面镀膜层；在正面镀膜层的两侧设置SiO2层，在P结构层的两侧和N-结构层两侧的局部设置台面，在所述台面的外表面设置玻璃钝化层；所述SiO2层与相应的所述玻璃钝化层相连续。本实用新型可以通过两次磷扩散和一次硼扩散的工艺方法，提高产品的反向恢复特性，使产品的反向恢复时间减小，反向恢复软度大大提高，以进一步提高产品质量，满足用户的需求，扩大产品的使用范围。
一种恢复二极管芯片

[发明专利]一种快恢复二极管芯片的制备方法-CN201210308248.5无效
发明人：周明;程万坡;穆连和;张兴杰 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种快恢复二极管芯片制备方法，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本发明中包括如下工艺步骤：硅片清洗、氧化、一次扩散、二次清洗、二次扩散、三次清洗、三次扩散、氧化、背面半导体复合中心杂质引入、一次光刻、台面成型、玻璃钝化、二次光刻、正面镀膜、三次光刻、背面镀膜，最后划成独立的芯片。本发明产品的击穿电压可以根据用户的要求进行调节；产品的反向恢复软度因子大，反向恢复时间小。
一种恢复二极管芯片制备方法

[发明专利]硅台面半导体器件的PN结保护方法-CN201210296649.3有效
发明人：周明;穆连和;顾理建;王荣元 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：硅台面半导体器件的PN结保护方法，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜；再将玻璃粉的稀释混合液涂敷在硅片表面，低温焙烧后，去除多余的玻璃粉，再将硅片置于扩散炉内，在O2气氛中烧结。本发明采用半绝缘多晶硅（SIPOS）叠加玻璃钝化膜代替传统单一的玻璃钝化膜直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的工艺方法，以提高钝化效果。
台面半导体器件 pn 保护方法

[实用新型]一种放电管芯片-CN201020620486.6有效
发明人：周明;苏学杰;穆连和;顾理健 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种放电管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N-区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N-区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是采用双面台面槽结构，产品的结电容低，漏电流控制在几十纳安以下；由于本实用新型结构的特殊性，产品的保护电压可由扩散条件调节和控制，拓宽了产品材料电阻率的使用范围，有效解决了保护电压对材料电阻率的依赖，降低了生产成本。
一种放电芯片

[实用新型]一种大功率平面结单向TVS二极管芯片-CN201020243173.3有效
发明人：周明;苏学杰;穆连和;顾理健 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种大功率平面结单向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是平面结结构，因此可采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低；镀膜可采用多层金属化方式，一次完成，工艺简单，可靠性高。产品采用平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，生产效率大大提高，操作方便，也降低了生产成本。
一种大功率平面单向 tvs 二极管芯片

[发明专利]一种大功率平面结双向TVS二极管芯片及其生产方法-CN201010216979.8无效
发明人：周明;苏学杰;穆连和;顾理健 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种大功率平面结双向TVS二极管芯片及其生产方法，涉及一种半导体器件的制造技术领域，先将硅片采用双面SiO2保护后，同时在双面光刻出扩散窗口，在扩散窗口内同时形成P型扩散区后，在P型扩散表面形成镀膜区。本发明工艺采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。生产过程中无需挖槽，可提高硅片的利用率高，提高产品的电流密度。不在玻璃钝化层上划片，避免了玻璃钝化膜应力的产生，利于结构的牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。镀膜采用多层金属化方式，一次完成，工艺简单，可靠性高。
一种大功率平面双向 tvs 二极管芯片及其生产方法

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