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- [发明专利]存储装置-CN202210911539.7在审
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福田夏树;井口直
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铠侠股份有限公司
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2022-07-28
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2023-10-10
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H01L23/538
- 实施方式提供具有更小的面积的存储装置。在实施方式的存储装置中，多个第1导电体相互分离而沿着第1轴排列。存储柱沿着第1轴延伸，与多个第1导电体相对向，包括半导体和将半导体包围的膜。多个接触插塞沿着第1轴延伸，各自包括第2导电体和将第2导电体包围的第1绝缘体。第1绝缘体位于多个第1导电体与第2导电体之间。多个接触插塞各自在下表面与多个第1导电体中的不重复的一个第1导电体的上表面相接。多个接触插塞包括第1接触插塞～第3接触插塞。第1接触插塞和第2接触插塞沿着与第1轴相交的第2轴而相邻地配置。第3接触插塞在第2轴上位于第1接触插塞与第2接触插塞之间，在与第1轴以及第2轴正交的第3轴上配置在不同的位置。
- 存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202210232396.7在审
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井口直;福田夏树
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铠侠股份有限公司
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2022-03-07
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2023-04-04
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H10B41/30
- 实施方式提供容易高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板，具备在第1方向上排列的存储区域及接合区域；及多个存储构造，在与第1方向交叉的第2方向上排列。多个存储构造具备：多个导电层，在与基板的表面交叉的第3方向上排列，跨存储区域及接合区域地在第1方向上延伸；及多个接触电极，设置于接合区域，在第3方向上延伸，具备由多个导电层的一部分包围的外周面，分别连接于多个导电层中的任一者。接合区域具备在第1方向上排列的第1区域和第2区域。第1区域包括第1接触电极及第2接触电极，第2区域包括第3接触电极。第3接触电极的第3方向的长度比第1接触电极的第3方向的长度长且比第2接触电极的第3方向的长度短。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202210229394.2在审
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福田夏树;井口直
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铠侠股份有限公司
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2022-03-09
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2023-03-28
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H10B41/30
- 实施方式提供一种能够良好地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底，具备第1区域及第2区域；多个第1导电层，排列在与衬底表面交叉的方向；第1半导体层，设置在第1区域，与多个第1导电层相对向；电荷储存层，设置在多个第1导电层与第1半导体层之间；接触电极，设置在第2区域，连接于多个第1导电层中的一个；以及多个第1构造及多个第2构造，设置在第2区域，外周面被多个第1导电层包围。第1构造包括：第2半导体层，与多个第1导电层相对向，包含与第1半导体层共通的半导体材料；及第1绝缘层，设置在多个第1导电层与第2半导体层之间，包含与电荷储存层共通的绝缘材料。第2构造不包含所述半导体材料及所述绝缘材料。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202110649704.1在审
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福田夏树;井口直
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铠侠股份有限公司
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2021-06-10
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2022-09-06
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H01L27/11548
- 实施方式提供一种容易高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；在第1方向上排列并在第2方向上延伸的多个导电层；在第1方向上延伸并与多个导电层相对的半导体层；在第3方向上排列的n个接触电极区域。n是2的幂。接触电极区域具有在第2方向上排列的多个接触电极。多个导电层包括第1导电层和第2导电层，所述第2导电层是从第1导电层开始数的第n个导电层。多个接触电极包括与第1导电层连接的第1接触电极、与第2导电层连接的第2接触电极、以及设置在第1接触电极和第2接触电极之间的第3接触电极。第1接触电极、第2接触电极以及第3接触电极在第2方向或第3方向上排列。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202010817821.X在审
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大贺淳;福田夏树;矢吹宗
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铠侠股份有限公司
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2020-08-14
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2021-09-14
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H01L25/18
- 本发明的实施方式提供一种得当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的表面的多个晶体管。第2芯片具备多个第1导电层、多个第1半导体层、以及设置在多个第1导电层与多个第1半导体层的交叉部的多个存储单元。另外，第2芯片具备：第2半导体层，比多个第1导电层离半导体衬底远，且相接在多个第1半导体层；第3半导体层，比第2半导体层离半导体衬底远，且相接在第2半导体层；及第1绝缘层，包含比第3半导体层离半导体衬底远的部分、及相接在第2半导体层的部分。
- 半导体存储装置
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