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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]车辆的后部车身结构-CN202010120774.3有效
发明人：西村佳和;西冈浩 -专利权人：马自达汽车株式会社
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B62D25/16 文献下载
摘要：本发明涉及的车辆的后部车身结构能够极力抑制车身重量（部件数量）的增加并提高车轮罩周边的刚性。在该车辆的后部车身结构的车轮罩内件（31），设有在上下方向延伸的第2内侧加强件（15）；另外，在车轮罩外件（32）的隆起于座舱外侧的隆起部（33），具有从车辆侧面看自上方覆盖后轮的弓形的轮罩拱形状部（35）；在车轮罩外件（32）形成有上方延出棱线部（42），该上方延出棱线部（42）沿隆起部（33）向座舱外侧的隆起形状向轮罩拱形状部（35）的更上方延伸，且从车辆侧面看至少一部分与第2内侧加强件（15）重叠。
车辆后部车身结构

[发明专利]免疫刺激剂和免疫刺激用食品饮料-CN202080025447.8在审
发明人：阿部圭马;西冈浩;高野翔;高桥麻起子;松浦英幸 -专利权人：阿明诺株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： A61P37/04 文献下载
摘要：一种免疫刺激剂，含有通式I(式I中，n表示4～12的整数)所表示的化合物或其药理学上允许的盐作为有效成分。
免疫刺激剂刺激食品饮料

[发明专利]电阻可变元件及其制造方法-CN201580009845.X在审
发明人：福田夏树;福寿和纪;宫口有典;西冈浩;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种低成本的电阻可变元件及其制造方法。本发明的一个实施方式的电阻可变元件(1)具有下部电极层(3)、上部电极层(5)和氧化物半导体层(4)。上部电极层(5)由碳材料形成。氧化物半导体层(4)具有第1金属氧化物层(41)和第2金属氧化物层(42)。第1金属氧化物层(41)形成于下部电极层(3)和上部电极层(5)之间，并且具有第1电阻率。第2金属氧化物层(42)形成于第1金属氧化物层(41)和上部电极层(5)之间，并且具有与第1电阻率不同的第2电阻率。
电阻可变元件及其制造方法

[发明专利]电阻转变元件及其制作方法-CN201380003674.0有效
发明人：福田夏树;福寿和纪;西冈浩;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻转变元件(1)，该电阻转变元件(1)具有第1电极(3)、第2电极(6)、第1金属氧化物层(51)、第2金属氧化物层(52)。所述第1金属氧化物层(51)配置在所述第1电极和所述第2电极之间，具有第1电阻率。所述第2金属氧化物层(52)配置在所述第1金属氧化物层和所述第2电极之间，具有高于所述第1电阻率的第2电阻率。所述电流限制层(4)配置在所述第1电极和所述第1金属氧化物层之间，具有高于所述第1电阻率低于所述第2电阻率的第3电阻率。
电阻转变元件及其制作方法

[发明专利]可变电阻元件及其制造方法-CN201280028327.9有效
发明人： 西冈浩;堀田和正;福田夏树;菊地真;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种不需进行成型处理，就能够降低元件的电力消耗及实现精细化的可变电阻元件及其制造方法。本发明的一个实施方式中，可变电阻元件（1）具有下部电极层（3）、上部电极层（5）及氧化物半导体层（4）。氧化物半导体层（4）形成在下部电极层（3）和上部电极层（5）之间。氧化物半导体层（4）具有第1金属氧化物层（41）和第2金属氧化物层（42）。第1金属氧化层（41）与下部电极层（3）欧姆接合。第2金属氧化物层（42）形成在第1金属氧化层（41）和上部电极层（5）之间，并与上部电极层（5）欧姆接合。
可变电阻元件及其制造方法

[发明专利]硫属化物膜及其制造方法-CN200880115651.8有效
发明人：菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。
硫属化物膜及其制造方法

[发明专利]硫属化物膜及其制造方法-CN200880109516.2有效
发明人：菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹弘纲 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-10-01 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其中，在上述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在上述接触孔内埋入由硫属化合物形成的结晶层。
硫属化物膜及其制造方法

[发明专利]硫属化物膜的形成方法以及记录元件的制造方法-CN200880002896.X有效
发明人：菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种硫属化物膜的形成方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内形成硫属化物膜，该方法包括：准备与上述硫属化物膜同一组成的靶的步骤；上述靶的直径为T(m)，上述靶与上述基板之间的距离为L(m)时，将上述距离L与上述靶的直径T的比L/T设定为0.5～1.5的步骤；通过对上述基板施加偏置功率，对上述靶施加溅射功率的溅射工序，在上述接触孔内形成硫属化物膜的步骤。
硫属化物膜形成方法以及记录元件制造

[发明专利]多层膜形成方法及装置-CN200780049467.3有效
发明人：木村勲;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种多层膜形成方法，使得在不进行蚀刻处理的情况下，能够形成包括复合氧化层并具有想要的元件形状的多层膜。该方法将第一掩模(30A)定位于基片(S)上方，通过溅射粘接层靶材(T1)和下部电极层靶材(T2)，利用所述第一掩模在所述基片上形成粘接层(36)和下部电极层(37)，并且将由陶瓷材料形成的第二掩模(30B)定位于所述下部电极层的上方，通过溅射氧化物层靶材(T3)，利用所述第二掩模在所述下部电极层上叠置复合氧化物层(38)，将第三掩模(30C)定位于所述复合氧化物层的上方，并且通过溅射上部电极层靶材(T4)，利用所述第三掩模在所述复合氧化物层上叠置上部电极层(39)。
多层形成方法装置

[发明专利]形成多层膜的方法及装置-CN200780046756.8无效
发明人：木村勳;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种多层薄膜形成方法和多层薄膜形成装置，其提高了由铅基钙钛矿复合氧化物形成的薄膜的介电特性和压电特性。所述多层薄膜形成方法包括：通过溅射下部电极层靶材(TG2)，在基片(S)上形成包含贵重金属的下部电极层(32b)；以及通过溅射包括铅的氧化物层靶材(TG3)，在所述下部电极层(32b)上叠置铅基复合氧化物层(33)。所述下部电极层(32b)的厚度限制为10到30nm，并且所述铅基复合氧化物层(33)的厚度限制为0.2到5.0μm。
形成多层方法装置

[发明专利]成膜槽上盖与喷头的一体化构造体-CN200910006426.7有效
发明人：山田贵一;增田健;梶沼雅彦;西冈浩;植松正纪;邹红罡 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种可在生产性、批量生产性上优异的成膜槽上盖与喷头的一体化构造体，具有组装在该上盖上的包括气体扩展部分的喷头构造、构成喷头的表面的喷淋板，和设于该上盖内部的温媒循环路径；该温媒循环路径配置成使其大部分与组装在该上盖内部的喷淋板的表面接触，该喷淋板的表面积与成膜槽顶部的面积为相同程度，根据成膜条件，可对喷头进行温度控制。
成膜槽上盖喷头一体化构造

[发明专利]原花色素低聚物的制造方法-CN200680006041.5有效
发明人：田中隆;野中源一郎;河野功;藤井创;中川乔;西冈浩 -专利权人：国立大学法人长崎大学;鸟犀圆制药株式会社;阿明诺化学株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C07D311/62 文献下载
摘要：本发明涉及含有原花色素低聚物作为主成分的组合物、其制造方法及该组合物在健康食品和药品等中的用途，所述原花色素低聚物是在酸性溶液中对含有原花色素聚合物的植物原料或其提取物与具有间苯三酚环或间苯二酚环结构的物质进行加热而获得的，且通过在末端键合具有间苯三/二酚环结构的物质而低分子化。根据本发明，可以高效、简单地获得难以从植物原料中以高产量获得的原花色素低聚物，该原花色素低聚物具有生物活性、在末端键合有具有间苯三酚或间苯二酚环结构的物质、且低分子化至生物体可吸收的程度。
花色素低聚物制造方法

[发明专利]氧化物薄膜制造方法及其制造装置-CN200480024317.3有效
发明人： 西冈浩;梶沼雅彦;山田贵一;增田健;植松正纪;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置。本发明是通过实现氧化物薄膜的氧缺损的降低和外延生长的促进，制造有优异特性的氧化物薄膜的薄膜制造方法，通过利用加热手段维持在不引起原料的液化、析出、成膜的温度的气体活化手段由喷射板向反应室内的加热基板上供给原料气、载气及氧化气体混合得到的混合气进行反应，在基板上制造氧化物薄膜。此时，按混合气基准使氧化气体的比例为大于等于60％。另外，使形成核形成的初期层的场合，其成膜工艺中的氧化气体流量比例不足60％，使其后的成膜工艺中的氧化气体流量比例为大于等于60％进行制造。此外，在氧化物薄膜制造装置中，在混合器与喷射板之间具有加热手段。
氧化物薄膜制造方法及其装置

[发明专利]薄膜制造装置以及制造方法-CN200410056311.6有效
发明人：山田贵一;增田健;梶沼雅彦;西冈浩;植松正纪;邹红罡 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种可在生产性、批量生产性上优异的薄膜制造装置以及制造方法，该薄膜制造装置再现了良好的膜厚分布、组成分布、成膜速率，同时可长期稳定地进行粒子数少的连续成膜。薄膜制造装置是从作为反应空间的反应室上部通过喷头将成膜气体导入到反应室内，在加热基板上成膜的CVD装置，上部的反应空间是由不旋转或升降的基板台和喷头及防粘板构成的，由防粘板和基板台构成的同心圆的间隙是作为气体排气路径而设置的，使惰性气体从该气体排气路径的上方沿防粘板流动地构成，于是，在气体排气路径的2次侧设置下部空间。
薄膜制造装置以及方法

[发明专利]喷头、薄膜制造装置以及制造方法-CN200410056309.9有效
发明人：山田贵一;增田健;梶沼雅彦;西冈浩;植松正纪;邹红罡 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种可在生产性、批量生产性上优异的薄膜制造装置以及制造方法，该薄膜制造装置再现根据成膜条件可进行温度控制的喷头、良好的膜厚分布、组成分布、成膜速率，同时，可长期稳定地进行粒子数少的连续成膜。其构成为，将喷头构造组装到成膜槽的上盖，通过在上盖上设置热交换装置，对上盖进行温度控制，在构成喷头表面的喷淋板和上盖的接触面上进行热交换，根据成膜条件，可对喷头进行温度控制。是在成膜槽上具有该喷头的薄膜制造装置，使用该装置制造薄膜。
喷头薄膜制造装置以及方法

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