专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201910090397.0有效
  • 大贺淳;原川秀明;永岛贤史;福田夏树 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-01-30 - 2023-07-18 - H10B41/27
  • 实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括:第1层叠体,包括第1半导体层、第1存储膜、多个第1布线层、第2半导体层、第2存储膜以及多个第2布线层;接合部件,设置于第1半导体层以及第2半导体层上;第1层,配置在接合部件的上方,覆盖第1半导体层以及第1存储膜;第2层,配置在接合部件的上方,覆盖第2半导体层以及第2存储膜;以及第2层叠体。第2层叠体包括第3半导体层、第3存储膜、多个第3布线层、第4半导体层、第4存储膜以及多个第4布线层。第5半导体层设置于第1层与第2层之间,将第3半导体层与第4半导体层电连接并且电连接于接合部件。
  • 半导体存储装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202010817821.X在审
  • 大贺淳;福田夏树;矢吹宗 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-08-14 - 2021-09-14 - H01L25/18
  • 本发明的实施方式提供一种得当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的表面的多个晶体管。第2芯片具备多个第1导电层、多个第1半导体层、以及设置在多个第1导电层与多个第1半导体层的交叉部的多个存储单元。另外,第2芯片具备:第2半导体层,比多个第1导电层离半导体衬底远,且相接在多个第1半导体层;第3半导体层,比第2半导体层离半导体衬底远,且相接在第2半导体层;及第1绝缘层,包含比第3半导体层离半导体衬底远的部分、及相接在第2半导体层的部分。
  • 半导体存储装置

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