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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]透明触摸屏显示器中的触觉反馈和电容性感测-CN201510502318.4有效
发明人：卡斯珀·范德阿奥斯特;皮特·杰勒德·斯蒂内肯 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：根据示例实施例，用户(触摸屏)接口具有触觉反馈。用户接口包括：衬底、衬底上方的透明底部电极、透明底部电极上方的透明起皱层、透明起皱层上方的透明顶部电极；以及透明顶部电极上方的透明保护层。当在顶部电极与底部电极之间施加电压时，透明起皱层由平滑表面变为粗糙表面；该电压生成相互吸引顶部与底部电极的静电力，以在透明起皱层上施加压缩力，该压缩力足以生成触摸可感知的表面起的程度。
透明触摸屏显示器中的触觉反馈电容性感

[发明专利]使用振膜中嵌入的Ti-W引线吸气剂的CMOS压力传感器-CN201510404305.3有效
发明人：威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;马特吉·戈森斯;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格;马藤·奥尔德森;卡斯珀·范德阿奥斯特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：多种实施例涉及一种压力传感器，包括：压力敏感振膜，悬置在腔体上，其中通过一组锚结构将所述振膜固定到衬底；以及吸气剂材料，嵌入在所述振膜中，其中所述吸气剂表面接触腔体内的任何气体，并且通过能够将通过吸气剂材料的电流传导通过衬底的锚结构来将吸气剂材料的两端点附着到所述衬底。
使用振膜中嵌入 ti 引线吸气 cmos 压力传感器

[发明专利]具有补偿的力传感器-CN201510278032.2有效
发明人： 皮特·杰勒德·斯蒂内肯;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克;威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G01L1/04 文献下载
摘要：本发明的各方面指向力传感器。可根据一个或多个实施方式实现地，一种装置包括具有谐振频率的力响应元件，以及补偿力响应元件的变化的电路。力响应元件响应于所施加的力、依照对波动敏感的弹簧系数来移动。该补偿电路基于温度确定力响应元件在谐振频率上的布朗运动，并基于所确定的布朗运动及力响应元件的移动而生成输出。该输出指示施加到该装置上的力。
具有补偿传感器

[发明专利]包括超结晶体管的装置和方法-CN201510312432.0有效
发明人： 皮特·杰勒德·斯蒂内肯;安可·赫琳哈;拉杜·苏尔代亚努;鲁克·范戴克;亨德里克·约翰内斯·伯格维德 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种包括超结晶体管的装置和方法。本公开的方面涉及包括交替交错的第一半导体材料的至少两个区域和第二半导体材料的至少两个区域的装置、方法和系统。附加地，装置、方法和系统包括作为源极和漏极操作的第一电极和第二电极。装置、方法和系统还包括具有第一半导体材料上的多个部分的第一栅极和具有第二半导体材料上的多个部分的第二栅极，其对第一电极和第二电极之间的电流进行双向地控制。
包括结晶体装置方法

[发明专利]高压电气开关-CN201310722068.6有效
发明人： 皮特·杰勒德·斯蒂内肯;阿努德·彼得·范德威 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：一种高压电气开关，包括多个串联连接的半导体开关；多个整流器，其中每个整流器被连接到其中一个半导体开关的半导体开关控制输入端；射频信号发生器；和多个电流隔离器，其中每个电流隔离器连接射频信号发生器到多个整流器中的一个，其中多个半导体开关彼此隔离。
高压电气开关

[发明专利]MEMS器件校准-CN201510317079.5有效
发明人：马特吉·戈森斯;威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;卡斯珀·范德阿奥斯特;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一个示例公开了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括具有内部环境的空腔；将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及，能够在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境的校准电路。
mems 器件校准

[发明专利]MEMS电容式压力传感器-CN201310070529.6有效
发明人：威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;马丁·古森思;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;奥拉夫·温尼克 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：压力传感器通过利用电容式读出方法测量MEMS薄膜的挠曲来测量压力。存在两种方式实施本发明。一种方式涉及集成皮拉尼传感器的使用，另一种方式涉及集成谐振器的使用，所述谐振器用作参考压力传感器，用于测量内部腔体压力。
mems 电容压力传感器

[发明专利]半导体器件和相关方法-CN201410803328.7有效
发明人：迈克尔·安托万·阿曼德·因赞德;皮特·杰勒德·斯蒂内肯 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的相关方法。器件包括：衬底，具有相距总距离的接触面和背面；垂直器件，在衬底中形成并在接触面上具有第一和第二端子；隔离沟槽，在接触面和背面之间延伸所述总距离穿过衬底，以电学地隔离垂直器件；以及端子分离沟槽，从接触面延伸入所述衬底，并布置为分离并限定垂直器件的第一和第二端子之间的导电路径。
半导体器件相关方法

[发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN201310581474.5有效
发明人：罗埃尔·达门;格哈德·库普斯;皮特·杰勒德·斯蒂内肯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种集成电路，包括：支撑物，在支撑物上方的至少三个金属层，该金属层包括具有顶板的顶部金属层和具有底板的底部金属层，在顶板和底板之间的介电材料，以便形成电容器，以及在支撑物上的多个氧化物层，该氧化物层包括顶部氧化物层，每个氧化物层各自覆盖相应的金属层。顶部氧化物层覆盖顶部金属层以及具有开口，通过该开口暴露至少部分顶板。一种通过提供具有金属和氧化物层的支撑物形成集成电路的方法，包括底板，形成腔体暴露底板，用介电材料填充腔体，应用具有顶板的另外的金属层和另外的氧化物层，以及形成开口以暴露顶板。
mim 电容器及其制造方法

[发明专利]MEMS电容性压力传感器、操作方法和制造方法-CN201210135456.X有效
发明人：威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;克劳斯·莱曼;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;奥拉夫·温尼克;雷奥特·沃尔特杰尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS压力传感器，其中电极布置中至少之一包括内电极和绕内电极设置的外电极。该传感器设置在集成电路上。可以单独测量并且可以差分地测量与内电极和外电极相关联的电容。该布置使得能够实现各种不同读出方案，并且还实现了针对器件之间变化或器件特性随时间改变的改进补偿。
mems 电容压力传感器操作方法制造方法

[发明专利]麦克风-CN201080017052.X无效
发明人：格特·兰格雷斯;特温·范利庞;弗雷迪·罗洛博姆;希尔柯·瑟伊;克劳斯·雷曼;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克;卡斯·范·德·阿沃尔特;约翰内斯·范·温格登;金·范乐;马特吉·戈森斯;皮特·杰勒德·斯蒂内肯 -专利权人：楼氏电子亚洲有限公司
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：麦克风包括衬底(20)、限定了声学输入表面的麦克风膜(10)以及背板(11)，所述背板相对于膜在背板(11)和膜(10)之间以固定间距支撑。麦克风外围区域包括膜(10)和背板(11)中的平行折皱(24)。通过对膜及背板使用相同的起皱悬浮物，最优地抑制体噪声的灵敏度。
麦克风

[发明专利]MEMS器件-CN201080010078.1有效
发明人：马丁·古森思;希尔柯·瑟伊;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件包括相对的第一和第二电极结构(22、28)，其中所述第二电极结构(28)是电动的，以便改变第一和第二电极结构的相对面之间的电极间隔。所述相对面中的至少一个具有非平坦表面，所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷。所述波峰的高度和波谷的深度在0.01t至0.1t之间，其中t是所述可移动电极的厚度。
mems 器件

[发明专利]振荡器器件-CN200980139876.1有效
发明人：金·范乐;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克;皮特·杰勒德·斯蒂内肯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-10-08 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H03B5/30 文献下载
摘要：一种振荡器器件，包括：谐振器质量块，通过弹簧装置连接至基板；以及反馈元件，用于控制谐振器质量块的振荡，反馈元件包括连接在谐振器质量块与基板之间的压阻元件。本发明提供了一种振荡器器件，其中，将两个部分(谐振器和用于闭合振荡回路的电路)组合在一个单个振荡器器件内部，该单个振荡器器件可以是MEMS器件。
振荡器器件

[发明专利]频率选择和放大设备-CN201010243706.2有效
发明人： 皮特·杰勒德·斯蒂内肯;金·范乐;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括振荡器的频率选择设备，包括：谐振器质量块(m)，通过弹簧装置(60，62)连接至基板；以及压阻元件(62)，用于控制谐振器质量块的振荡，所述压阻元件(62)包括连接至谐振器质量块(m)的压阻元件。将电流驱动通过压阻元件(62)以控制谐振器质量块的振荡。提供输入以将信号耦合至谐振器质量块，其中将根据所述信号来选择期望频率范围；使用检测器来检测被振荡器放大的信号。
频率选择放大设备

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