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[实用新型]半导体发光元件-CN201220521920.4有效
发明人：梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体发光元件。所述半导体发光元件包括第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘，所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次层叠设置，所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层电连接，所述发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射，所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中，并位于所述第一电极焊盘的下方；所述电流阻挡层使得电流至少更多流向未被所述电流阻挡层遮蔽的发光层区域本实用新型的半导体发光元件能够提高所述半导体发光元件的发光效率。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN202010716581.4在审
发明人：朴恩铉;金炅珉;金奉焕 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本公开涉及半导体发光元件，其包括：外部基板，其具备底部以及与第一半导体发光元件芯片的电极以及第二半导体发光元件芯片的电极电连接的导电层；第一半导体发光元件芯片，其设置在外部基板，并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成紫外线的有源层的多个半导体层以及与多个半导体层电连接的电极；透镜，其形成为包围第一半导体发光元件芯片，从而折射来自第一半导体发光元件芯片的紫外线，并且上述透镜形成规定范围的取向角；以及第二半导体发光元件芯片，其设置在外部基板，并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成可见光的有源层的多个半导体层以及与多个半导体层电连接的电极，并且第二半导体发光元件芯片位于被透镜折射的取向角外。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN202110344768.0有效
发明人：毕京锋;范伟宏;高默然;邬元杰;张成军;曾家明 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光元件，依次包括：衬底、n型氮化物半导体层、量子阱层以及p型氮化物半导体层，所述半导体发光元件还包括调控层，其位于所述n型氮化物半导体层与所述量子阱层之间，或者位于所述量子阱层与p型氮化物半导体层之间。即通过在所述半导体发光元件中增加一层调控层，能够调控V‑pits的开启和密度，增加空穴注入和载流子辐射复合效率，以及增加电流扩展能力，进而提升所述半导体发光元件的发光效率。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201910427242.1在审
发明人：吴永胜;张帆;汪雪琴 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提出半导体发光元件，所述发光元件包括发光结构；所述发光结构包括自下而上层叠设置的第一型半导体层、活性层及第二型半导体层，发光结构各层的侧沿处设有透光面，各层侧沿处的透光面自下而上地首尾相连形成台阶结构；本发明可提高半导体发光元件的光释放效率。
半导体发光元件发光结构透光面侧沿第二型半导体层第一型半导体层层叠设置发光元件首尾相连台阶结构活性层释放

[发明专利]半导体发光元件-CN202110662667.8有效
发明人：郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN200510004321.X无效
发明人：秋田胜史;中村孝夫;平山秀树 -专利权人：住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所
申请日： 2005-01-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1Al_X1Ga_1－X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2Al_X2Ga_{1－X2<该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1Al_X1Ga_1－X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2Al_X2Ga_1－X2N半导体层被设于发光区域和第1Al_X1Ga_1－X1N半导体层之间。}
半导体发光元件

[实用新型]半导体发光元件-CN201920594298.1有效
发明人：吴永胜;李培双;刘德意 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体发光元件。包括：发光结构，其包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；第二型电极，其与所述第二型半导体层电气连接；第一型电极，其通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接；第一型及第二型电极为指型电极，为了切断电流从第一型电极和第二型电极流入活性层而在其下方配置有第一绝缘膜和第二绝缘膜。本实用新型半导体发光元件结构，能够扩大半导体发光元件的发光区域。
电极半导体发光元件第二型半导体层第一型半导体层活性层本实用新型电气连接电极孔绝缘膜发光结构发光区域依次层叠指型贯通配置

[发明专利]半导体发光元件-CN201780005645.6有效
发明人：全水根;晋根模;朴俊阐;郑然湖;崔日均 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201310688058.5无效
发明人：程田高史 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件，具有：层叠了n型半导体层、发光层以及p型半导体层的叠层半导体层；多个n侧电极，其层叠在n型半导体层上且与n型半导体层电连接，该多个n侧电极配置为从层叠方向观察时包围发光层以及p型半导体层的至少一部分的区域；p侧电极，其设在p型半导体层上，对于从发光层输出的光具有反射性，并且与p型半导体层电连接，在从层叠方向观察时，该p侧电极在被多个n侧电极包围的区域具有用于与外部电连接的连接部由此，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中，解决发光集中于芯片的中央部分且发光效率降低的问题和ESD破坏耐电压的问题。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201180072220.X无效
发明人：金载润;金制远;李进馥;黄硕珉;河海秀;李守烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201410309048.0在审
发明人：胜野弘;斎藤真司;桥本玲;黄钟日;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN200710159720.2有效
发明人：冈崎治彦;菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201110306829.0无效
发明人：森敬洋 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件，使其在单一基板上设置有多个发光部的半导体发光元件中，与不使用本构成的情况相比提高光取出效率。半导体发光元件具有：发光部，其在基板上具有半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括夹设在第1导电类型层与第2导电类型层之间的发光层；发光部，其具有设置在基板上的与发光部分离的不同区域，且具有包括夹设在第1导电类型层与第2导电类型层之间的发光层的半导体层叠构造；内部布线层，其将发光部的第1导电类型层与发光部的第2导电类型层电连接；和反射层，其设置在发光部的发光层以及发光部的发光层中的至少任意一个发光层与内部布线层之间，反射从发光部的发光层以及发光部的发光层的至少任意一个的发光层发出的光的至少一部分。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN200410005240.7有效
发明人：近藤且章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能提高从活性层中取出光的效率，同时能把该光高效率地取出到元件外侧的半导体发光元件。其特征在于具有：第1半导体层(WL)；半导体发光层(EM)，它有选择地被设置在上述第1半导体层上；高阻的电流区层(CB)，它被设置在上述第1半导体层上的上述半导体发光层的周围；第2半导体层(WL)，它被设置在上述半导体发光层和电流区层上；第1电极(UE)，它被设置在上述第2半导体层上；以及，第2电极(LE)，它被设置在上述第1半导体层的背面上，从上述半导体发光层放射出的光的一部分(L1)通过上述第1半导体层而被放射到外部，从上述半导体发光层放射出的光的一部分(L2)通过上述第2半导体层而被放射到外部。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201310075837.8无效
发明人：村本卫司;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。
半导体发光元件

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