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[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110180925.9有效
发明人：洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。掺杂Si的第一GaN子层可以将电子扩散的通道变窄，电子可以均匀分布，未掺的第二GaN子层则可以增大电阻，并加强电子横向分布，实现电子的均匀横向扩展，降低发光二极管外延片的工作电压。第一复合层上层叠的第二复合层包括多个交替层叠的InGaN子层与AlGaN子层，在电子得到横向扩展的基础上，可以有效限制电子的移动速率，减少电子的溢流作用，促使更多的空穴进入多量子阱层中进行发光。最终可以提高发光二极管外延片发光均匀度的同时提高发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]改善光效的发光二极管及其制备方法-CN202310284715.3在审
发明人：洪威威;尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层包括u型AlGaN层，所述第二子层和所述第四子层包括GaN层，所述第三子层包括n型GaN层。本公开实施例能改善有源层中量子垒层的制备质量，提升发光二极管的发光效率。
改善发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善内量子效率的发光二极管及其制备方法-CN202310250994.1在审
发明人：洪威威;尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括n型层和p型层，以及设置在所述n型层和所述p型层之间的有源层，所述有源层包括依次层叠在所述n型层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层均包括层叠的量子阱层和量子垒层；所述第一有源层的量子阱层的厚度小于所述第二有源层的量子阱层的厚度，所述第二有源层的量子阱层的厚度小于所述第三有源层的量子阱层的厚度。本公开实施例能改善发光二极管的内量子效率，提升发光二极管的发光效果。
改善量子效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法-CN202211095304.1在审
发明人： 尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层。本公开实施例能改善量子阱与量子垒界面处晶体质量和发光二极管的内量子效率，以提升发光效率。
提升发光效率发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202210806496.6在审
发明人： 尚玉平;张奕;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的N型层、多量子阱层以及P型层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，至少一个所述阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺Si的InGaN层，所述第二子层为掺C的InGaN层，第三子层为掺Mg和Si的InGaN层。采用本公开能够提高发光二极管外延片的发光一致性以及发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片-CN202210547434.8在审
发明人： 尚玉平;陆香花;肖云飞;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片，属于发光二极管制作领域。InGaN阱层的第一阶段的生长过程中，使铟源流量线性增加至第一铟源阈值，镓源由第一镓源阈值线性降低至第二镓源阈值，可以在短时间且较薄的InGaN阱层的厚度内形成In源富集区，提高多量子阱层的出光效率。第二阶段生长起到过渡与提高晶体质量的作用。第三阶段铟源不变而镓源线性增加，第四阶段铟源与流量均进行增加，提高发光效率。第五阶段、第六阶段中In的富集进一步减少，提高整体质量。六个阶段的In的富集程度的变化，缓解极化电场，提高电子‑空穴波函数的交叠区域，提高发光二极管的内量子效率。
提高量子效率发光二极管外延制备方法

[发明专利]提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210546955.1在审
发明人： 尚玉平;陆香花;肖云飞;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。生长发光二极管外延片的多量子阱层中的垒层时，向反应腔通入第一有机金属源与第一反应气体生长第一子层，第一有机金属源包括三甲基镓，第一反应气体包括氢气、氨气与氮气。得到的第一子层的生长速度较快，缩短垒层所需的制备时长；而第一反应气体中的氢气可以抑制In原子渗入第一子层中，保证第一子层的成形速度的同时提高得到的第一子层的晶体质量。通入三乙基镓与第二反应气体在第一子层上生长第二子层，三乙基镓可以使得到的第二子层具有更好的晶体质量与电学性能，有效提高最终得到的发光二极管外延片的发光效率与制备效率。
提高发光制备效率发光二极管外延及其方法

[发明专利]一种用于射频前端电磁防护的限幅滤波结构-CN202210508510.4在审
发明人：冯菊;常志煜;尚玉平;廖成 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频前端电磁防护的限幅滤波结构，包括限幅模块和滤波模块，限幅模块包括第一射频输入端、第一射频输出端、电容C1、电容C2、电容C3、一级限幅电路以及二级限幅电路；电容C1、电容C2和电容C3三者依次串联在第一射频输入端和第一射频输出端之间；一级限幅电路连接于电容C1和电容C2之间；二级限幅电路连接于电容C2和电容C3之间；第一射频输出端连接滤波模块。本发明通过将限幅模块与滤波模块一体化设置，能够避免匹配网络的构建并有效降低整体电路的尺寸；同时，能够在较宽的工作频带内可靠的工作，能够实现频带的独立控制，从而实现对信号进行选择，提升射频前端接收系统的灵敏度。
一种用于射频前端电磁防护限幅滤波结构

[发明专利]发光二极管外延片制备方法-CN202011443563.X有效
发明人：洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，会落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种多端口系统采样信号的拟合分析方法-CN202110638209.0有效
发明人：廖成;张胤;尚玉平;杜伟 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及信号处理技术领域，具体涉及一种多端口系统采样信号的拟合分析方法，在多端口系统的各个端口处进行相同次数的采样，并使用采样数据分别构建Hankel矩阵；将各个端口对应的Hankel矩阵按顺序排列成行，构成一个Hankel块矩阵，进行奇异值分解，得到特征值；根据特征值的大小确定起支配作用的特征值的个数，并对Hankel块矩阵进行降阶处理；分析由降阶处理后的矩阵构成的矩阵束，求出其特征值，并采用最小二乘法得到各个端口的留数。本发明实现了多端口系统端口瞬态信号的评估，同时具有分析过程简单、端口信号保留完整的特点，在应用于通信、电力、控制等领域时，本发明能有效地提升复杂设备端口的瞬态特性评估和等效建模的效率和吻合度。
一种多端系统采样信号拟合分析方法

[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法-CN202011282626.8有效
发明人：洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底、AlN缓冲层、三维成核层、u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层、低温p型层、电子阻挡层和高温p型层，多量子阱层包括多个InxGa1‑xN量子阱层和多个GaN量子垒层、以及位于InxGa1‑xN量子阱层和GaN量子垒层之间的复合结构，复合结构包括n‑InyGa1‑yN层和SiN层。n‑InyGa1‑yN层中的Si原子能够填充InGaN材料中的缺陷空位，较低In组分的InGaN材料有利于减弱极化电场，改善能带倾斜，SiN层有利于载流子在多量子阱层中的均匀扩散，提高载流子局域化效应，提高LED的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种端接频变负载的传输线系统瞬态响应分析方法-CN202111208867.2在审
发明人：钟选明;张胤;廖成;冯菊;尚玉平 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及电磁兼容技术领域，具体涉及一种端接频变负载的传输线系统瞬态响应分析方法。首先在采样频率点处对频变负载端口导纳进行测量或计算得到相应的采样导纳，并采用有理函数逼近的方式对端口导纳进行等效；然后，采用矩阵束方法求解出有理逼近函数所需的极点和留数，并将其带入到分段线性递归卷积技术中，实现传输线和频变负载连接点处电压的分段线性递归卷积表达；最后结合传输线方程实现带有频变负载的传输线系统的瞬态响应分析。本发明结合矩阵束方法(MPM)和分段线性递归卷积(PLRC)技术，实现了端接频变负载的传输线系统瞬态响应分析，同时具有计算快速、适用性强的特点，可应用于电力、控制、通信等领域电磁兼容问题的分析。
一种端接负载传输线系统瞬态响应分析方法

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