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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980028584.4在审
发明人：加藤由晴;安喰彻;白川彻;高桥美咲;三塚要;吉村尚;小野泽勇一;泷下博;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980034474.9在审
发明人：目黒美佐稀;吉村尚;泷下博;儿玉奈绪子;阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：高精度地控制通过结晶缺陷与氢结合而产生的施主区域的范围和施主浓度。提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201680014233.4有效
发明人： 泷下博;吉村尚;田村隆博;小野泽勇一;山野彰生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，掺杂有杂质；正面侧电极，设置于半导体基板的正面侧；以及背面侧电极，设置于半导体基板的背面侧，半导体基板具有：峰区，配置于半导体基板的背面侧，并且杂质浓度具有一个以上的峰；高浓度区，配置于比峰区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度的分布比一个以上的峰平缓；以及低浓度区，配置于比高浓度区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度比高浓度区的杂质浓度和半导体基板的基板浓度低。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980021045.8在审
发明人：阿形泰典;吉村尚;泷下博;目黑美佐稀;儿玉奈绪子;伊仓巧裕;野口晴司;原田祐一;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480004196.X有效
发明人：小野泽勇一;泷下博;吉村尚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：首先，在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着，通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12)，来调整载流子寿命。接着，对n‑型半导体基板的背面进行研磨，使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后，从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14)，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着，通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化，之后形成阴极电极。因而，不会使漏电流增加，且不会使制造线发生污染，能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201980004053.1在审
发明人：吉村尚;小野泽勇一;泷下博;目黑美佐稀;洼内源宜;儿玉奈绪子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备：半导体基板；氢施主，设置在半导体基板的深度方向的内部，具有比半导体基板的掺杂剂的掺杂浓度高的掺杂浓度，在从半导体基板的一个主面起算沿半导体基板的深度方向分开了预先设定的距离的第一位置具有掺杂浓度分布的峰，并在比第一位置更靠一个主面侧的位置具有掺杂浓度比峰小的掺杂浓度分布的拖尾；以及晶体缺陷区，在半导体基板的深度方向上，在比第一位置更浅的位置具有晶体缺陷密度的中心峰。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201580002976.5有效
发明人：胁本博树;泷下博;吉村尚;田村隆博;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备：n型的半导体基板；p型的阳极区，形成在半导体基板的正面侧；n型的场停止区，在半导体基板的背面侧以质子作为施主而形成；以及n型的阴极区，形成在比场停止区更靠近半导体基板的背面侧的位置，场停止区中的深度方向的施主的浓度分布具有第一峰值和第二峰值，第二峰值比第一峰值更靠近半导体基板的背面侧，并且第二峰值的浓度比第一峰值更低，阳极区与阴极区之间的至少一部分区域中的载流子寿命比阳极区和阴极区中的任一载流子寿命更长。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201480007500.6有效
发明人：小野泽勇一;吉村尚;泷下博 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在n‑半导体基板的背面的表面层，从活性区域(10)到边缘终端结构部(11)设置有n+阴极层(4)。在n+阴极层(4)的整个表面设置有阴极电极(7)。在n‑漂移区域(1)内部的n+阴极层(4)侧，从活性区域(10)到边缘终端结构部(11)设置有n缓冲层(5)。在n‑漂移区域(1)内部的n+阴极层(4)侧，在距离基板背面比n+阴极层(4)要深的位置设置有浮空的p埋层(6)。p埋层(6)在与n+阴极层(4)相接的规定范围内均匀地进行设置。p埋层(6)的端部(6a)位于n‑半导体基板的侧面(1a)的内侧。由此，能够提供可实现软恢复化，且反向恢复容限较大的半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380005484.2有效
发明人：宫崎正行;吉村尚;泷下博;栗林秀直 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在成为n‑漂移层的半导体基板的内部，在背面侧的表面层设置p+集极层，在比背面侧的p+集极层更深的区域设置由多个n+层构成的n+场停止层。在半导体基板的正面形成正面元件构造后，在半导体基板的背面，通过与形成n+场停止层的深度对应的加速电压来进行质子照射(步骤S5)。接着，利用第一退火在与质子照射对应的退火温度下使质子施主化而形成场停止层(步骤S6)。通过利用适于多次质子照射条件的退火条件进行退火，能够使通过各质子照射形成的各结晶缺陷恢复而形成多个高载流子浓度的区域。另外，能够改善漏电流增加等的电特性不良。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380005432.5有效
发明人：宫崎正行;吉村尚;泷下博;栗林秀直 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在作为n‑漂移层的半导体基板的内部，在背面侧的表面层设置有p+集电极层，在比背面侧的p+集电极层深的区域设置有n+电场终止层。集电极与p+集电极层相接。形成p+集电极层和n+电场终止层时，在半导体基板的背面离子注入杂质离子(步骤S5)。接下来，通过第一退火使杂质离子活性化，形成p+集电极层(步骤S6)。接下来，对半导体基板的背面进行质子照射(步骤S7)。接下来，通过第二退火使质子施主化，形成电场终止层(步骤S8)。第一退火是在比第二退火高的退火温度下进行。之后，在半导体基板的背面形成集电极(步骤S9)。由此，能够避免电特性不良的产生。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201280056224.3有效
发明人：吉村尚;宫崎正行;泷下博;栗林秀直 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：通过质子注入(13)在n‑型半导体基板(1)的内部引入氢原子(14)和结晶缺陷(15)。在质子注入(13)之前或质子注入(13)之后通过电子射线照射(11)，在n‑型半导体基板(1)的内部产生结晶缺陷(15)。然后，进行用于施主生成的热处理。通过将用于生成施主的热处理中的结晶缺陷(12、15)的量控制为最优，从而能够提高施主生成率。并且，通过在用于生成施主的热处理结束的时刻，使利用电子射线照射(11)和质子注入(13)而形成的结晶缺陷(12、15)恢复并控制为适当的结晶缺陷量，从而能够实现耐压的提高以及漏电流的降低等。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380004323.1有效
发明人：宫崎正行;吉村尚;泷下博;栗林秀直 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：质子注入(16)之后，通过炉退火处理形成氢致施主，从而形成n型电场终止层(3)，进一步通过激光退火处理减少生成于质子通过区域(14)的无序，从而形成n型无序减少区域(18)。如此，本发明能够提供形成基于质子注入(16)的n型电场终止层(3)和n型无序减少区域(18)，导通电阻低且能够改善漏电流等电特性的稳定、低廉的半导体装置及其制造方法。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201280056282.6有效
发明人： 泷下博;吉村尚;宫崎正行;林秀直 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：从作为n^-漂移层的n型半导体基板的背面重复进行多次质子照射，在n^-漂移层的基板背面侧的内部，形成电阻比n型半导体基板低的n型FS层。进行用于形成该n型FS层的多次质子照射时，为了补偿前次的质子照射中残留的无序(7)所导致的迁移率降低，进行下次的质子照射。此时，对于第二次之后的质子照射，以利用其前一次的质子照射形成的无序(7)的位置为目标进行质子照射。由此，即使在质子照射和热处理后，也能够形成无序(7)也少、能够抑制漏电流的增加等的特性不良的产生、并且具有高浓度的氢相关施主层的n型FS层。
半导体装置制造方法

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