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公布日期
2019-09-10 公布专利
2019-09-06 公布专利
2019-09-03 公布专利
2019-08-30 公布专利
2019-08-27 公布专利
2019-08-23 公布专利
2019-08-20 公布专利
2019-08-16 公布专利
2019-08-13 公布专利
2019-08-09 公布专利
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半导体装置的制造方法有效

申请号: CN201380005484.2 全文下载
申请日: 2013-03-29 公开/公告日: 2017-11-17
公开/公告号: CN104145326B 主分类号: H01L21/336
申请/专利权人: 富士电机株式会社
发明/设计人: 宫崎正行;吉村尚;泷下博;栗林秀直
分类号: H01L21/336;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
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【摘要】:
在成为n‑漂移层的半导体基板的内部,在背面侧的表面层设置p+集极层,在比背面侧的p+集极层更深的区域设置由多个n+层构成的n+场停止层。在半导体基板的正面形成正面元件构造后,在半导体基板的背面,通过与形成n+场停止层的深度对应的加速电压来进行质子照射(步骤S5)。接着,利用第一退火在与质子照射对应的退火温度下使质子施主化而形成场停止层(步骤S6)。通过利用适于多次质子照射条件的退火条件进行退火,能够使通过各质子照射形成的各结晶缺陷恢复而形成多个高载流子浓度的区域。另外,能够改善漏电流增加等的电特性不良。
 
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:照射工序,从第一导电型的半导体基板的背面照射质子;退火工序,使照射到所述半导体基板的背面的质子活性化,形成杂质浓度比所述半导体基板高的第一导电型的第一半导体层;以及使所述半导体基板薄板化,在薄板化后的所述半导体基板的背面注入杂质离子的离子注入的工序,所述杂质离子用于形成成为与背面电极间触点的半导体层,通过根据所述照射工序的照射条件,将所述照射工序和所述退火工序设为一组而进行多次,从而在所述半导体基板的深度方向上形成多个所述第一半导体层,多个所述第一半导体层之中,位于所述半导体基板最背面侧的第一半导体层与所述半导体层分离。
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