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[发明专利]利用多芯光纤进行波分解复用的方法和光学系统-CN201410452726.9有效
发明人： J·B·海鲁克斯;德成正雄 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本公开提供了利用多芯光纤进行波分解复用的方法和光学系统。该系统包括具有多个带角度的面的耦合镜，其中所述多个带角度的面被配置成向或从多芯光纤的不同纤芯引导光。另外，复用器系统还可以包括用于生成光的激光器芯片，而解复用器系统可以包括用于检测来自多芯光纤的光的光电二极管阵列。系统还可以包括引导结构，该引导结构包括滤波器/微镜以便引导来自激光器的光或将光引导至光电二极管。
多芯光纤波分解复用光学系统引导结构滤波器光电二极管阵列复用器系统光电二极管激光器芯片解复用器激光器光引导耦合镜面被微镜纤芯检测配置

[发明专利]单端口存储器件中的读和写冲突避免方法及其半导体芯片-CN201410687013.0有效
发明人： N·哈格斯皮尔;S·荣汉斯;M·克莱纳;J·沃尔特 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：描述了单端口存储器件中的读和写冲突避免方法及其半导体芯片。将来自第一写操作的第一数据对象划分成第一偶数子数据对象和第一奇数子数据对象。将来自第二写操作的第二数据对象划分成第二偶数子数据对象和第二奇数子数据对象。当第一写操作和第二写操作同时发生时，将第一偶数子数据对象存储到第一单端口存储器件并将第二奇数子数据对象存储到第二单端口存储器件。当第一写操作和第二写操作同时发生时，将第二偶数子数据对象存储到第一单端口存储器件并将第一奇数子数据对象存储到第二单端口存储器件。
子数据对象单端口存储器写操作存储半导体芯片写冲突第一数据数据对象

[发明专利]基于控制准则的测试选择的方法和装置-CN201410526253.2有效
发明人： Y·S·阿德勒;D·E·布鲁;E·D·法尔其;O·拉兹-佩莱格;A·兹洛特尼克 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于控制准则的测试选择的方法和装置。在某些实施例中，从测试套件中排除受控测试，每个受控测试由预定数量的主控测试控制，其中如果由受控测试覆盖的每个目标也由主控测试覆盖，则所述受控测试由所述主控测试控制。在某些实施例中，确定精简测试套件，方式为：从测试套件中排除覆盖由所述精简测试套件控制N次的受控目标集合的每个测试，其中如果受控目标集合中的每个目标由测试集合中的至少N个测试覆盖，则所述受控目标集合由所述测试集合控制N次，其中N是大于1的预定数量。
测试测试套件集合受控受控目标主控方法和装置测试控制覆盖

[发明专利]在主动区上方具有气隙间隔件与栅极接触的基于晶体管的半导体装置-CN201711128692.8在审
发明人：谢瑞龙;成敏圭;朴灿柔;L·沃尔夫冈;金勋 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及在主动区上方具有气隙间隔件与栅极接触的基于晶体管的半导体装置，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、在该半导体衬底上的半导体鳍片、与该半导体鳍片整合在其顶部的晶体管，该晶体管包括主动区，该主动区包括源极、漏极以及在源极、漏极之间的沟道区域。该半导体结构进一步包括在该沟道区域上方的栅极结构，该栅极结构包括栅极电极、邻近该栅极电极的相对侧壁上的气隙间隔件对、以及用于该栅极电极的栅极接触。还提供一种制造这种半导体装置的方法。
主动区晶体管半导体装置气隙间隔栅极电极栅极接触半导体结构半导体鳍片沟道区域栅极结构衬底漏极源极半导体相对侧壁整合邻近制造

[发明专利]使用强化栅极盖体及间隔物部分的自对准接触部保护-CN201711086530.2在审
发明人：谢瑞龙;成敏圭;金勋;朴灿柔 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及使用强化栅极盖体及间隔物部分的自对准接触部保护，其中，一方法包括：提供起始结构，起始结构包含半导体衬底、源极与漏极、位在源极与漏极上方的硬罩衬垫层、位在硬罩衬垫层上方的底端介电层、介于源极与漏极间的金属栅极，其中金属栅极通过间隔物所界定、介于对应间隔物间并且位在金属栅极上面的栅极盖体开口、以及位在底端介电层上面并且位在栅极盖体开口中的顶端介电层，从而产生栅极盖体。该方法更包括移除顶端介电层的部分，该移除导致接触开口及位于间隔物及/或栅极盖体的顶端部分处的凹坑，以及以蚀刻终止材料来填充凹坑，蚀刻终止材料具有比间隔物与栅极盖体的材料更佳的蚀刻终止能力。亦揭示所产生的半导体结构。
使用强化栅极间隔部分对准接触保护

[发明专利]数据存储系统中的存储管理方法和系统-CN201410512576.6有效
发明人：安德鲁·戴尔·沃尔斯 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开涉及数据存储系统中的存储管理方法和系统。在数据存储系统中，响应于接收到来自处理器系统的包括地址和数据的写输入/输出操作(IOP)，数据存储系统的存储控制器确定该地址是否为较频繁访问的热地址。响应于确定该地址是热地址，存储控制器在数据存储系统中以未压缩的形式存储该数据。响应于确定该地址不是热地址，存储控制器压缩该数据以获得压缩数据并且在数据存储系统中存储该压缩数据。
数据存储系统中的存储管理方法系统

[发明专利]用于实现事务内存区域提升的代码版本控制的方法和设备-CN201410560186.6有效
发明人：王恺婷;高耀清;H·伯蒂格;M·欧玛克特 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：本发明涉及用于实现事务内存区域提升的代码版本控制的方法和设备。一种用于实现事务内存区域提升的代码版本控制的计算机实现的处理的说明性实施例接收一部分候选源代码，并且概括接收的该部分候选源代码以用于并行执行。所述计算机实现的处理还利用进入和离开例程包裹关键区域以进入推测子处理，其中进入和离开例程还在运行时搜集冲突统计数据。执行概括代码部分以根据在运行时搜集的冲突统计数据确定使用多个循环版本中的特定循环版本。
用于实现事务内存区域提升代码版本控制方法设备

[发明专利]在带驱动存储通道中的组合软检测/软解码-CN201380021522.3有效
发明人： R·D·塞德希延;R·A·胡钦斯;T·米特尔豪泽;S·奥尔瑟 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H03M13/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括在第一时间间隔期间对信号采样块执行检测算法的第一前向循环，在第二时间间隔期间对该块执行检测算法的第一反向循环以产生第一软信息，使用第一软信息在第三时间间隔期间对该块执行解码算法以产生第二软信息，使用第二软信息在第四时间间隔期间对该块执行检测算法的第二前向循环，在第五时间间隔期间对该块执行检测算法的第二反向循环以产生第三软信息，使用第三软信息在第六时间间隔期间对该块执行解码算法以产生解码的信号采样块，并且输出该解码的信号采样块。
驱动存储通道中的组合检测解码

[发明专利]横向扩散的金属氧化物半导体（LDMOS）-CN201410273083.1有效
发明人： S·夏尔马;石云;A·K·斯坦珀 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：横向扩散的金属氧化物半导体（LDMOS）包括半导体衬底，在衬底的顶表面中具有STI结构；在STI结构下方的漂移区域以及在STI结构的相对侧上的源极区域和漏极区域。栅极导体在STI结构与源极区域之间的间隙之上的衬底上并且部分地叠置漂移区域。保形电介质层在顶表面上并且在栅极导体上方形成台面。保形电介质层具有嵌入在其中的保形刻蚀停止层。接触突起延伸通过电介质层和刻蚀停止层，并且连接到源极区域、漏极区域和栅极导体。源极电极连接源极接触突起，栅极电极连接栅极接触突起，漏极电极连接漏极接触突起。漂移电极在漂移区域之上。
横向扩散金属氧化物半导体 ldmos

[发明专利]数字集成电路仿真方法及仿真器-CN201410127820.7有效
发明人：刘洋;李德贤;刘丹;李宇飞 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字集成电路仿真方法和仿真器，方法包括获得所述数字集成电路的电路图及该电路图中的检测节点；根据所述检测节点确定所述电路图中与两值和多值的仿真边界相关的节点以及该相关节点的状态；根据所述相关节点以及该相关节点的状态，确定所述电路图中两值和多值的仿真边界的边界位置及该边界位置的边界类型；在所述边界位置根据该边界位置的边界类型插入转换电路；以及对插入转换电路的电路图进行建模及仿真。该方法和仿真器在保证数字集成电路芯片功能的正确性的情况下，能够减少仿真时间和需要的存储资源。
数字集成电路仿真方法仿真器

[发明专利]无线通信网络中的定位系统-CN201410156032.0有效
发明人： G·菲根布拉特;O·富克斯;T·桑德班克 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H04W64/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及无线通信网络中的定位系统。提供用于确定目标设备在目标区域中的位置的机器、系统和方法。该方法包括将传感器1至N放置于目标区域中，其中传感器在时间段期间对由目标设备发送且在传感器处捕获的数据帧的数目进行计数；为目标设备计算用于传感器1至N的相对捕获帧计数（RCFC）值；以及比较用于目标设备的计算的RCFC值与为目标区域中的多个采样点计算的预先存在的RCFC值以从多个采样点之中找到与用于目标设备的计算的RCFC值最相似的至少X个点。
无线通信网络中的定位系统

[发明专利]基于工作负载实施对高速缓存的动态启用和禁用的方法和计算机系统-CN201410383754.X有效
发明人： C·A·安德森;A·C·格哈德;D·纳瓦罗 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G06F12/0802 文献下载
摘要：一种用于在计算机系统中基于工作负载实施高速缓存的动态启用和禁用的方法、系统和存储器控制器。在高速缓存被启用之时监视预定义的信息集合以识别工作负载的变化，并且响应于所识别的第一预定义工作负载而选择性地禁用高速缓存。在高速缓存被禁用之时监视预定义信息以识别第二预定义工作负载，并且响应于所述所识别的第二预定义工作负载而选择性地启用高速缓存。
基于工作负载实施高速缓存动态启用禁用方法计算机系统

[发明专利]用于激光加热和离子注入的装置和方法-CN201410679836.9有效
发明人： N·布雷尔 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本公开涉及用于激光加热和离子注入的装置和方法。处理包括将衬底暴露于离子束，并且同时地或者在离子注入之后立刻使用激光来使表面退火。另外，可以利用激光器以在离子注入之前预热衬底。激光器将衬底加热到不导致抗蚀剂层被损伤的温度。通过利用激光器以从顶表面加热衬底，抗蚀剂不受损，从而允许使用光致抗蚀剂材料。
用于激光热和离子注入装置方法

[发明专利]用于生成测试串的方法和系统-CN201410472028.5有效
发明人：比彻特律子;S·布德罗;R·H·伯恩斯;S·拉什德 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种用于生成测试串的方法和系统。该方法包括标识与在用户接口中定义的至少一个字段关联的元数据。处理与在用户接口中定义的字段关联的元数据以标识在用户接口中定义的字段的至少一个特性。基于该特性，生成测试串以用作向在用户接口中定义的字段中的输入来对该字段执行验证。
用于生成测试方法系统

[发明专利]在电话通话期间的选择性语音传输-CN201410520646.2有效
发明人：朱珍;S.L.戴蒙德;方磊;P.B.霍姆;李珊珊;李靖娜 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H04M1/19 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及选择性语音传输，并且包括接收对于电话通话的一个或多个被授权的讲话者的标识以及取回所述一个或多个被授权的讲话者的每个的语音样本。实施例还包括接收对于该电话通话的一个或多个音频信号以及通过移除所述一个或多个音频信号的一部分来过滤所述一个或多个音频信号，该部分不包含所述一个或多个音频信号中的所述一个或多个被授权的讲话者的至少一个的语音。
电话通话期间选择性语音传输