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[发明专利]具有气隙间隔体的晶体管-CN201580081756.6有效
发明人：李呈光;J·朴;E-S·刘;E·S·卡西迪-康福特;W·M·哈菲兹;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：可以将微电子晶体管制造为具有气隙间隔体，所述气隙间隔体被形成为栅极侧壁间隔体，以使得所述气隙间隔体位于微电子晶体管的栅极电极与微电子晶体管的源极接触部和/或漏极接触部之间。由于气态物质的介电常数显著低于固态或半固态电介质材料的介电常数，因而气隙间隔体可以在栅极电极与源极接触部和/或漏极接触部之间产生最低的电容耦合，这样可以降低微电子晶体管的电路延迟。
有气间隔晶体管

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201810763279.7在审
发明人：金恩靚;金奉秀;金容宽;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：限定在半导体衬底中的有源区域；在半导体衬底上的第一接触插塞，第一接触插塞连接到有源区域；在半导体衬底上的位线，位线与第一接触插塞相邻；在第一接触插塞与位线之间的第一气隙间隔物；在第一接触插塞上的着落垫；在位线上的阻挡绝缘层；以及在第一气隙间隔物上的气隙盖层，气隙盖层垂直地重叠第一气隙间隔物，气隙盖层在阻挡绝缘层与着落垫之间，阻挡绝缘层的上表面在与着落垫的上表面相等或比其高的高度处。
接触插塞阻挡绝缘层气隙间隔着落垫衬底盖层气隙位线半导体半导体器件上表面源区域发明构思垂直地在位线相等制造

[发明专利]集成式EMC滤波器和电力电子装置-CN201810579969.7在审
发明人：罗新华;苏辉 -专利权人：舍弗勒技术股份两合公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01F27/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电流测量功能的集成式EMC滤波器和电力电子装置，该集成式EMC滤波器包括用于被电感绕组缠绕的第一磁芯元件和第二磁芯元件，在所述第一磁芯元件和所述第二磁芯元件之间设有气隙间隔，由所述电感绕组形成的感应磁场穿过所述气隙间隔根据本发明的设计方案，在所述气隙间隔内设置用于测量所述感应磁场的磁感应强度的测量单元，以便根据所述磁感应强度得到所述集成式EMC滤波器的输出电流。
磁芯元件气隙间隔集成式电感绕组感应磁场磁感应电力电子装置电流测量功能测量单元输出电流缠绕测量穿过

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210474739.0在审
发明人：黄玉莲;许哲铭;傅劲逢;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本揭示案有关于一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包括基材、半导体鳍部、浅沟槽隔离结构、气隙间隔物、以及栅极结构。半导体鳍部自基材向上延伸。浅沟槽隔离结构横向地环绕半导体鳍部的下部。气隙间隔物介于浅沟槽隔离结构与半导体鳍部之间。栅极结构横跨半导体鳍部。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]多栅极器件及其制造方法-CN202110882419.4在审
发明人：陈冠霖;江国诚;朱熙甯;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种方法和器件包括多栅极器件，具有设置在源极部件和漏极部件之间的沟道层、围绕沟道层的金属栅极、以及插入金属栅极和源极部件的第一气隙间隔件和插入金属栅极和漏极部件的第二气隙间隔件。
栅极器件及其制造方法

[发明专利]显示器及制造该显示器的方法-CN200810212957.7无效
发明人：卢水贵;金炯杰;鱼基汉;文俊熙;李圣俊;李明雨;尹大承;金振烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：具有第一端部的导电间隔物处于第一基板或第二基板上。单元间隙间隔物设置在第一基板和第二基板之间，并且具有第一端部的至少一个辅助单元间隙间隔物设置在第一基板或第二基板上并且处于与单元间隙间隔物相邻。单元间隙间隔物也被设置为靠近导电间隔物，并且辅助单元间隙间隔物设置为相邻单元间隙间隔物。此外，单元间隙间隔物设置在每个单元像素中，并且辅助单元间隙间隔物设置为与每个单元间隙间隔物相邻。
显示器制造方法

[发明专利]码分多址通信系统中的选通发送设备和方法-CN00818719.3有效
发明人：尹裕皙;尹淳暎;孟胜柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2000-05-29 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H04J13/00 文献下载
摘要：一种在没有从移动台发送到基站的发送消息的时间间隔内，在专用控制信道上发送由数个时隙组成的帧的方法。帧中的每个时隙由第一时隙间隔和第二时隙间隔组成。向第一时隙间隔提供功率控制信号，和在第二时隙间隔的部分间隔中不向第二时隙间隔提供信号。
码分多址通信系统中的发送设备方法

[发明专利]水平环绕式栅极元件纳米线气隙间隔的形成-CN202310083382.8在审
发明人：孙世宇;纳姆·孙·基姆;邴希·孙·伍德;吉田娜奥米;龚盛钦;金苗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开内容提供一种使用期望材料形成用于半导体晶片的水平环绕式栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的设备与方法。一个范例中，一种形成纳米线结构的方法包括将介电材料沉积在堆叠的第一侧与第二侧上。堆叠可包括重复多对的第一层与第二层。第一侧与第二侧相对，且第一侧与第二侧具有形成于第一侧与第二侧中的一个或多个凹部。该方法包括从堆叠的第一侧及第二侧移除介电材料。介电材料保留在一个或多个凹部中。该方法包括沉积应力源层及在应力源层与堆叠的第一侧及所述第二侧之间形成一个或多个侧隙。
水平环绕栅极元件纳米线气隙间隔形成

[发明专利]用于改进的FIN器件性能的气隙间隔件集成-CN201510680634.0有效
发明人：保罗·雷蒙德·贝塞尔;巴特·范·斯拉文迪克;木村良枝;格拉尔多·A·德尔加迪尼奥;哈拉尔德·奥科伦-施密特;杨邓良 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明涉及用于改进的FIN器件性能的气隙间隔件集成。一种用于提供气隙间隔件给鳍式场效晶体管器件的方法，其包括：提供包括多个鳍片和布置成横向于所述多个鳍片的虚设栅极的衬底；在所述虚设栅极的周围沉积牺牲间隔件；在所述牺牲间隔件的周围沉积第一层间电介质(ILD)层；相对于所述第一ILD层和所述牺牲间隔件选择性地蚀刻所述虚设栅极；沉积替代金属栅极(RMG)；蚀刻所述RMG的一部分，以创建被所述牺牲间隔件包围的凹部；以及在所述凹部中沉积栅极覆盖层。所述栅极覆盖层至少部分地由所述牺牲间隔件包围，并由碳氧化硅(SiOC)制成。
用于改进 fin 器件性能间隔集成

[发明专利]水平环绕式栅极元件纳米线气隙间隔的形成-CN201780025153.3有效
发明人：孙世宇;纳姆·孙·基姆;邴希·孙·伍德;吉田娜奥米;龚盛钦;金苗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本公开内容提供一种使用期望材料形成用于半导体晶片的水平环绕式栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的设备与方法。一个范例中，一种形成纳米线结构的方法包括将介电材料沉积在堆叠的第一侧与第二侧上。堆叠可包括重复多对的第一层与第二层。第一侧与第二侧相对，且第一侧与第二侧具有形成于第一侧与第二侧中的一个或多个凹部。该方法包括从堆叠的第一侧及第二侧移除介电材料。介电材料保留在一个或多个凹部中。该方法包括沉积应力源层及在应力源层与堆叠的第一侧及所述第二侧之间形成一个或多个侧隙。
水平环绕栅极元件纳米线气隙间隔形成

[发明专利]包括转子和两个定子的电力发电机-CN202080005788.9在审
发明人：海部·沃尔特·马克格鲁 -专利权人： KMN履行信托的临时受托人
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H02K16/04 文献下载
摘要：在转子的径向内侧设置有通过内气隙间隔开的内定子，并且在转子的径向外侧设置有通过外气隙间隔开的外定子。转子包括多个磁极结构，所述多个磁极结构被配置成提供或产生具有多个磁极的磁场。转子的截面厚度不均匀，其中：转子的内表面在磁极结构处向内突出，内气隙是不均匀的，因为内气隙在磁极结构处径向较短而在磁极结构之间径向较长；以及转子的外表面在磁极结构处向外突出，外气隙是不均匀的，因为外气隙在磁极结构处径向较短而在磁极结构之间径向较长
包括转子两个定子电力发电机

[发明专利]一种宽带时分双工系统上行链路信号发送方法-CN200710087429.9有效
发明人：夏树强;喻斌 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H04B7/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽带时分双工系统上行链路信号发送方法，包括：按标准要求和采样率确定上行时隙和各符号数据部分整数样点长度以及符号总数；在各符号循环前缀部分整数样点长度一致、上行时隙间隔整数样点长度小于等于对应下行时隙中下行时隙间隔的基础上确定可选循环前缀部分整数样点长度及其对应上行时隙间隔整数样点长度参数集合；按所述标准要求和所述集合中选定的循环前缀部分整数样点长度及其对应上行时隙间隔整数样点长度参数在上行时隙顺序发送若干由循环前缀部分和数据部分构成的符号和一个上行时隙间隔；所述上行时隙间隔整数样点长度在Normal
一种宽带时分双工系统上行信号发送方法

[发明专利]移动终端安全通信方法、装置、终端设备及存储介质-CN202011140194.7有效
发明人：俞斌 -专利权人：山东纽克信息技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04W12/03 文献下载
摘要：本发明实施例的发送设备在通信数据传输过程的多个时隙中设置至少一时隙间隔；在所述时隙间隔的相邻所述时隙向接收设备传输冗余数据；向所述接收设备发送所述时隙间隔包括所述时隙的数量，和传输所述冗余数据的所述时隙与所述时隙间隔的先后顺序接收设备接收发送设备传输的通信数据、冗余数据、时隙间隔包括的时隙的数量和传输所述冗余数据的所述时隙与所述时隙间隔的先后顺序；确定所述冗余数据相对所述通信数据的位置；删除所述冗余数据，从而增强通信过程中的安全性
移动终端安全通信方法装置终端设备存储介质

[发明专利]一种空气隙零级波片-CN201210551202.6无效
发明人：朱一村;吴季;郑熠 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气隙零级波片，包括两片多级波片和一个空气隙间隔层，所述空气隙间隔层由中央开孔的树脂薄膜或者玻璃块构成，空气隙间隔层厚度为20μm~1000μm，将空气隙间隔层夹在两片多级波片之间，且在通光孔径之外固定
一种空气隙零级波片

[发明专利]一种柴油机用间隔排气管-CN201310580844.3无效
发明人：田永海;殷玉恩;刘胜;张志军;孙丹红;赵春生;崔艳军;丁技峰 -专利权人：中国北方发动机研究所(天津)
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： F01N13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种柴油机用间隔排气管，包括排气外管(1)、排气内管(2)，支撑结构(3)，所述排气外管(1)和排气内管(2)之间由支撑结构(3)连接和支撑，所述排气外管(1)和排气内管(2)之间形成空隙间隔(4)，所述空隙间隔(4)充满气体。本发明的优点是：利用气体和金属的不同传热系数，减少涡轮前排气的能量向外传递，提高涡轮前可用的排气能量，降低废气涡轮增压柴油机燃油消耗量；降低车的动力舱温度，减轻动力舱的热负荷，提高废气涡轮增压柴油机的进气能力
一种柴油机间隔排气管

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