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[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201911108953.9有效
发明人：中田高行;谷山智志;白子贤治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其设置在上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向移载室的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；上部管道，其与第1缓冲室相邻地形成；和第1供给部，其设置在上部管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；下部管道，其与第2缓冲室相邻地形成；和第2供给部，其设置在下部管道的下端。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法-CN201910803261.X有效
发明人： 白子贤治;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置及半导体装置的制造方法，在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。该基板处理装置具备：第一处理模块；第二处理模块；第一排气箱；第二排气箱；通用供给箱；第一阀组；以及第二阀组，为了在第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜，而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理，关于所错开的时间，通过以多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。
处理装置半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序-CN201980093297.1在审
发明人： 白子贤治;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：基板处理装置具备：舟皿，其具有多个保持基板的插槽；对由舟皿保持的基板进行处理的处理炉；使舟皿升降的舟皿升降机；移载机，其在保存有基板的载体与舟皿之间移载基板；以及控制器，其构成为能够控制舟皿升降机和移载机。控制器构成为将用于供移载机移载基板的多个位置设定于舟皿升降机，在移载机从多个载体将基板搬入舟皿以成为能够装填至处理炉的状态的动作、以及移载机从舟皿向多个载体搬出由处理炉处理后的基板的动作的各动作中，以使舟皿升降机的多个位置之间的过渡的次数或过渡所需的时间的合计成为最小的方式进行选择。
处理装置半导体器件制造方法以及程序

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN202110320162.3在审
发明人：上村大义;谷山智志;白子贤治;嶋田宽哲;堀井明;中田高行;山岛规裕 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，提供能够减少占用空间并提高排气效率的构成。包括：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器和在正面侧设置的衬底的搬入口；第1设备系统，其包含向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统，所述第1设备系统与所述第1处理组件的背面接近配置；以及第1真空排气装置，其配置在所述第1处理组件的后方，对所述第1处理容器内进行排气，所述第1真空排气装置的外侧的侧面以与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向外侧突出的方式构成。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201710059927.6有效
发明人：中田高行;谷山智志;白子贤治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。
处理装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置和方法以及半导体器件制造方法-CN201210041776.9无效
发明人：室林正季;山口天和;白子贤治;西堂周平;佐藤明博;今井义则 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及衬底处理装置和方法以及半导体器件制造方法。衬底处理装置包括：处理室，配置成处理多个衬底；衬底保持物，容纳于处理室内并且配置成以竖直分隔的关系保持衬底；热绝缘部分，配置成在处理室内从下方支撑衬底保持物；加热单元，提供为包围处理室内的衬底容纳区域；以及气体供应系统，配置成至少向处理室内的热绝缘部分容纳区域供应指定气体。
衬底处理装置方法以及半导体器件制造

[发明专利]衬底处理装置、衬底的制造方法及半导体器件的制造方法-CN201110442414.6有效
发明人： 白子贤治;福田正直;佐佐木隆史;今井义则;原大介;西堂周平;栗林幸永 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。
衬底处理装置制造方法半导体器件

[发明专利]衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法-CN201110319007.6有效
发明人：杉浦忍;上野正昭;田中和夫;杉下雅士;山口英人;白子贤治 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置。能够抑制利用温度传感器控制热处理时的不良情况。衬底处理装置具有：加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；第一温度检测机构，其利用第一热电偶对衬底的附近的温度进行检测；第二温度检测机构，其利用第二热电偶对加热机构的附近的温度进行检测；第一控制机构，其根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对加热机构进行控制；控制切换机构，其以控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换的方式，根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对控制机构进行控制，第一热电偶的耐热性比第二热电偶的耐热性大，第二热电偶的温度检测性能比第一热电偶的温度检测性能高。
衬底处理装置温度控制方法加热

[发明专利]半导体制造装置-CN201010128802.2无效
发明人：山口天和;白子贤治;平松宏朗 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使反应室内的等离子体密度均匀的半导体制造装置，该半导体制造装置具有处理衬底的处理室(52)、设在该处理室(52)内用于生成等离子体的等离子体室(76)、设在处理室(52)外侧的多个高频天线(84)、以及隔开规定间隔地配置在由等离子体室(76)和多个高频天线(84)夹持的位置上并将由高频天线(84)产生的电场屏蔽的屏蔽罩(90)，越趋向多个高频天线(84)的接近部(位置P)，屏蔽罩(90)的间隔越窄。
半导体制造装置

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