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[发明专利]一种基于电子背散射衍射花样的晶面间距测量方法-CN202010171439.6有效
发明人：彭帆;曾毅;张积梅;林初城;刘紫微;姜彩芬 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明公开一种基于电子背散射衍射花样的晶面间距测量方法，包括采集晶体样品的电子背散射衍射花样，定义花样平面为基准面并设定原点，记录花样中心的坐标以及样品到屏幕之间的距离并求出位于花样中心正上方的入射点的坐标，记录加速电压并计算电子波长；对菊池带进行编号，提取菊池带的靠近花样中心位置的第一边界及第二边界；从花样中心向第一边界和第二边界分别作垂线交于第一交点和第二交点，记录第一交点的坐标和第二交点的坐标；根据入射点的坐标、第一交点的坐标和第二交点的坐标，求出菊池带的对应晶面的衍射角；根据衍射角、电子波长通过布拉格公式计算出菊池带的对应晶面的晶面间距。
一种基于电子散射衍射花样间距测量方法

[发明专利]一种用于超薄样品制备的样品台-CN202010547761.4有效
发明人：张积梅;郑维;宋雪梅;林初城;刘紫微;王墉哲;姜彩芬;曾毅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种用于超薄样品制备的样品台，包括：具有一对滑槽的底座；竖直设置于底座的下表面，用于与马达连接的连接件；各自具有倾斜面，且以各自的倾斜面彼此相向的形式滑动自如地载置于一对滑槽内的一对滑块；以隔开间隔地位于一对滑槽的宽度方向两侧的形式设置于底座的一对托座；以及转动自如地支持于安装在一对托座上的一对倾转件之间，用于载置样品薄片的载网固定件；一对滑槽以相对于连接件的中心轴轴对称的形式设置；载网固定件在转动方向上具有能同时与倾斜面分别抵接的一对第一侧面。
一种用于超薄样品制备

[发明专利]一种基于聚焦离子束表征陶瓷涂层材料三维显微结构的方法-CN202010175765.4有效
发明人：宋雪梅;曾毅;吴伟;张积梅;王墉哲;姜彩芬;刘紫微;林初城;郑维 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开一种基于聚焦离子束表征陶瓷涂层材料三维显微结构的方法，包括将陶瓷涂层材料加工成长条状样品；在长条状样品的目标区域沉积保护层；使用聚焦离子束将目标区域的周边剔除；在目标区域周围设置切片定位标记和拍照定位标记；设定聚焦离子束切片条件、消除荷电预处理条件和EBSD显微结构采集条件，消除荷电预处理为Ga离子束注入；利用聚焦离子束进行连续切片，在每次切片后对每个加工截面注入Ga离子束并收集EBSD图像；通过三维重构软件对一系列的EBSD图像进行三维重建，得到陶瓷涂层材料的三维显微结构。
一种基于聚焦离子束表征陶瓷涂层材料三维显微结构方法

[发明专利]一种适合TIC3X三离子束切割仪的样品台-CN201910748487.4有效
发明人： 林初城;曾毅;郑维;张积梅;刘紫微;宋雪梅;姜彩芬 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种适合TIC3X三离子束切割仪的样品台，包括：通过旋转旋钮实现水平移动的水平位移装置；安放于所述水平位移装置上的平移平台；通过紧固螺丝固定在所述平移平台上的待加工试样安放台；通过双面导电胶固定在所述待加工样品安放台上的样品。本发明可以对超大样品直接进行加工。
一种适合 tic3x 离子束切割样品

[发明专利]一种基于电子背散射衍射花样的晶面衍射衬度的成像方法-CN202210203357.4在审
发明人：王墉哲;曾毅;张积梅;林初城 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明提供一种基于电子背散射衍射花样的晶面衍射衬度的成像方法，包括如下步骤：将待检样品表面抛光后置于扫描电镜的样品台上，样品台倾转60°‑70°，并设置电子背散射衍射分析的最佳工作距离；在经抛光的待检样品表面采集电子背散射衍射花样信号；将采集得到的衍射花样逐一导入至Matlab程序中，通过傅里叶变换、高斯低通滤波、反傅里叶变化降噪；通过霍夫变换识别菊池带中心线；逐一提取、线性叠加每一条衍射花样中心线所对应衍射花样中图像像素点，即晶面所对应的衍射花样上像素点灰度值；依据任意晶面可收集一组衍射花样上像素点灰度值，依据电子背散射衍射采集面分布图像x\y坐标，输出该晶面衍射衬度图像。
一种基于电子散射衍射花样成像方法

[发明专利]一种用于扫描电子显微镜测定的珠光颜料截面样品的制备方法及测定方法-CN201810415355.5有效
发明人：刘紫微;王焱;张积梅;林初城;华佳捷;王墉哲;姜彩芬;曾毅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种用于扫描电子显微镜测定的珠光颜料截面样品的制备方法及测定方法，所述制备方法包括：将液态碳导电胶和珠光颜料混合并涂覆在硅片一侧表面，干燥后得到固定有珠光颜料涂覆层的初始样品，所述珠光颜料至少包覆一层连续膜层且膜层厚度在2 nm以上；对所得初始样品进行离子束截面抛光，得到所述珠光颜料截面样品，所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为3～7 kV；样品抛光时间可为120～480分钟；电流为1.5～3mA。
一种用于扫描电子显微镜测定珠光颜料截面样品制备方法

[发明专利]一种晶粒形貌可控的热障涂层的制备方法-CN201911338071.1在审
发明人：宋雪梅;曾毅;许燕杰;张积梅;姜彩芬;刘紫微;王墉哲;林初城;郑维 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶粒形貌可控的热障涂层的制备方法，所述制备方法包括：将YSZ纳米粉体、氧化物纳米粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；将所得混合浆料进行喷雾造粒后，并在1100～1500℃下煅烧，得到造粒粉体；采用热喷涂工艺将所得造粒粉体喷涂到基体上，得到所述晶粒形貌可控的热障涂层。
一种晶粒形貌可控热障涂层制备方法

[发明专利]一种非导体陶瓷材料无荷电平衡电压的计算方法-CN201811252842.0有效
发明人：王墉哲;林初城;张积梅;姜彩芬;曾毅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种非导体陶瓷材料无荷电平衡电压的计算方法，包括：设置X射线能谱分析的最佳工作距离；扫描电镜入射加速电压以规定间隔连续变化，并采集X射线能谱信号；将采集的X射线能谱信号的全部计数点存储为TXT格式并导入Matlab程序中，采用线性拟合计算各X射线能谱信号所对应的能谱谱线的上限电压；将计算得到的上限电压导入至Matlab程序中进行分段线性拟合，并计算出分段拟合曲线与理论直线的两个交点值，两个交点值为待检样品的无荷电平衡电压。根据本发明的方法可直接应用于常见陶瓷样品及其他非导体材料的扫描电镜形貌观察，操作简单、结果准确、可重复性强。
一种非导体陶瓷材料无荷电平衡电压计算方法

[发明专利]一种基于营养元素Sr-P-Si的新型生物活性陶瓷支架及其制备方法和用途-CN201610651476.0有效
发明人：吴成铁;朱慧颖;常江;林初城;翟东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C04B35/447 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于营养元素Sr‑P‑Si的新型生物活性陶瓷支架及其制备方法和用途，包括：将Sr5(PO4)2SiO4生物活性陶瓷粉体与粘结剂均匀混合，利用计算机辅助设计软件构造生物活性陶瓷支架陶瓷素坯的结构模型，三维打印所述生物活性陶瓷支架陶瓷素坯；将所得生物活性陶瓷支架陶瓷素坯在1400～1500℃下烧结2～3小时。本发明将三维打印技术和生物活性陶瓷硅磷酸锶（Sr5(PO4)2SiO4相结合，利用三维打印技术制备的Sr5(PO4)2SiO4支架具有良好的体外生物学性能，能够更有效地促进rBMSCs和HUVECs在其表面粘附和增殖，并且具有良好的力学强度。
一种基于营养元素 sr si 新型生物活性陶瓷支架及其制备方法用途

[发明专利]一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法-CN201910849849.9在审
发明人：刘紫微;姚秀敏;梁汉琴;张积梅;林初城;姜彩芬;郑维;曾毅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明提供一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法，具体涉及一种利用离子束截面抛光技术制备扫描电子显微镜观察的碳化硅陶瓷截面样品的方法，包括：将碳化硅陶瓷进行离子束截面抛光，得到所述碳化硅陶瓷截面样品；所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为5～8 kV；样品抛光时间为120～300分钟；电流为1.5～3 mA。
碳化硅陶瓷离子束抛光截面样品扫描电子显微镜观察加速电压抛光技术样品制备晶粒制备分析

[发明专利]扫描电镜中透射电子菊池衍射装置及分析方法-CN201511011847.0在审
发明人：华佳捷;林初城;王墉哲;刘紫微;姜彩芬;曾毅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种扫描电镜中透射电子菊池衍射装置及分析方法，该装置包括：用于对样品照射电子束的电子束照射单元；位于所述电子束照射单元下方的背散射电子衍射探测器和样品台；所述样品台配置为使载置于其上的所述样品与水平面之间形成倾斜角；所述探测器具备配置为采集并接收所述样品发出的透射电子信号的磷屏。本发明能够获得清晰的透射电子菊池衍射图谱，实现对纳米尺度晶粒的相鉴定及相比例计算、纳米尺度织构及取向差分析，晶粒尺寸及形状的分析，晶界、亚晶及孪晶性质的分析等。
扫描电镜透射电子衍射装置分析方法

[发明专利]通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法-CN201410056468.2有效
发明人：孙程;曾毅;吴伟;华佳捷;刘紫微;林初城;姜彩芬 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法，包括：步骤（1）：采用冷镶嵌材料将铜导线熔痕镶嵌以获得经镶嵌的铜导线；步骤（2）：对步骤（1）所得的经镶嵌的铜导线进行机械抛光以获得具有光滑无划痕的铜导线截面的经机械抛光的铜导线；步骤（3）：对步骤（2）所得的经机械抛光的铜导线进行振动抛光以去除铜导线表面的应力；步骤（4）：对步骤（3）所得的铜导线进行离子束刻蚀处理以获得具有适合背散射电子衍射测试的铜导线截面的待测试铜导线；以及步骤（5）：对步骤（4）所得的待测试铜导线进行背散射电子衍射测试，根据测试得到的铜导线熔痕区域的晶界取向判定铜导线熔痕的类型。
通过散射电子衍射测试方法判断导线

[发明专利]一种高耐磨碳化硼涂层及其制备方法-CN201210148858.3有效
发明人：朱慧颖;牛亚然;林初城;黄利平;郑学斌 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高耐磨碳化硼涂层及其制备方法，所述涂层是由碳化硼硬质相和富镍连续相组成的B4C-Ni复合涂层，且所述富镍连续相中含有单质Ni、Ni-B化合物和Ni-C化合物。本发明所述涂层的制备是采用真空等离子体喷涂技术在金属基材上喷涂B4C-Ni复合粉体。本发明提供的碳化硼涂层的摩擦系数和磨损率均较纯B4C涂层明显降低，耐磨性能得到了显著提高；而且，本发明的制备方法简单，可制得厚度达200~500μm的涂层，能满足在耐摩擦磨损领域的广泛应用要求，具有实用价值。
一种耐磨碳化涂层及其制备方法

[发明专利]一种制备碳化硼-钼复合涂层的方法-CN201210148678.5无效
发明人：朱慧颖;牛亚然;林初城;黄利平;郑学斌 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备碳化硼-钼复合涂层的方法，所述方法是采用真空等离子体喷涂技术在金属基材上喷涂B4C-Mo复合粉体。与现有技术相比，采用本发明方法制得的碳化硼-钼复合涂层的摩擦系数较纯B4C涂层明显降低，耐磨性能得到了显著提高；而且，本发明的制备方法简单，可制得厚度达200μm以上的涂层，能满足在耐摩擦磨损领域的广泛应用要求，具有实用价值。
一种制备碳化复合涂层方法

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