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[发明专利]基于开源组件版本识别的固件脆弱性判别方法及系统-CN202010169063.5有效
发明人：石志强;张国栋;杨寿国;黄晋涛;李志;李红;孙利民 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于开源组件版本识别的固件脆弱性判别方法及系统，该方法包括：对固件解码包库进行扫描，获取待分析组件的第一路径列表；对待分析组件的第一路径列表进行遍历，将待分析组件与开源组件字符串数据库进行关联和验证，获取待分析组件的第二路径列表；对待分析组件进行版本识别，得到待分析组件对应的固件开源组件版本号；遍历开源组件版本漏洞字典，若开源组件版本漏洞字典中存在固件开源组件版本号，则判断获知待分析组件为可疑漏洞组件；对可疑漏洞组件进行漏洞验证，将漏洞验证通过的待分析组件存入固件漏洞组件库。本发明实施例能高效地搜索可疑漏洞，对固件安全评估可靠性高，提升漏洞发现的效率和准确性。
基于组件版本识别脆弱判别方法系统

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备-CN202211226057.4在审
发明人：高宏伟;蒋和平;王宇;杨寿国 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供的半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，通过在多层外延工艺中控制内部注入层中第一终端P型注入结构，形成浓度渐变的终端区P型掺杂柱，从而在高温扩散推结后可以形成浓度渐变的终端区P型扩散柱。如此，在提高了产品工艺容差的同时，增加了产品雪崩耐量，极大提高了产品一致性和性能。
半导体器件制造方法电子设备

[发明专利]半导体器件及电子设备-CN202210689707.2在审
发明人： 杨寿国;张海宇;刘维;左义忠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及电子设备，所述半导体器件包括多个第一有源区沟槽场板、围绕至少部分第一场板区域的第二有源区沟槽场板、以及围绕第二有源区沟槽场板的第一终端区沟槽场板。第一有源区沟槽场板平行延伸形成第一场板区域，第二有源区沟槽场板包括与第一有源区沟槽场板平行延伸的第一延伸部分及与第一有源区沟槽场板垂直的第二延伸部分，第一终端区沟槽场板包括与第一有源区沟槽场板平行延伸的第三延伸部分及与第一有源区沟槽场板垂直的第四延伸部分。通过设置第二有源区沟槽场板对第一有源区沟槽场板进行包裹，可以提高沟槽转角换向区的工作时的温度，从而提高雪崩电压，从而降低雪崩电流密度，提高耐功率特性。
半导体器件电子设备

[发明专利]降低VDMOS恢复时间的工艺方法及其VDMOS半导体器件-CN201811545641.X有效
发明人：王鹏;杨寿国;高宏伟;张永利;孔维东 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低VDMOS恢复时间的工艺方法及其VDMOS半导体器件，涉及半导体器件制造技术领域，所述降低VDMOS恢复时间的工艺方法包括对接触孔刻蚀后的硅片依次进行减薄、背面注入、高温烘焙和金属溅射处理，解决了传统工艺方法因掺杂的重金属外逸导致半导体器件制造成本过高的技术问题，本发明提供的降低VDMOS恢复时间的工艺方法不仅节省了设备采购费用，降低了半导体器件的制造成本，而且降低了VDMOS的恢复时间、零栅压漏极电流、外延片的电阻率及外延层厚度，同时也减少了外延材料的采购成本，应用前景广泛。
降低 vdmos 恢复时间工艺方法及其半导体器件

[发明专利]一种超结功率器件及其制造方法-CN202210292800.X在审
发明人： 杨寿国;李强;高宏伟;左义忠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种超结功率器件及其制造方法，超结功率器件包括第一导电类型的衬底和外延层，外延层内设置有第二导电类型的至少两个第一掺杂柱、至少两个第二掺杂柱、以及至少两个第三掺杂柱，各第一掺杂柱分别沿第一方向延伸且彼此间隔，各第三掺杂柱分别沿与所述第一方向相交的第二方向延伸且彼此间隔，以及各第二掺杂柱位于所述第一掺杂柱与第三掺杂柱之间且往远离衬底的方向延伸。各第二掺杂柱的长度沿第一掺杂柱往第二掺杂柱的方向依次减小，各第三掺杂柱的长度沿远离衬底的方向依次增大。本实施例可以提高超结功率器件的终端效率。
一种功率器件及其制造方法

[发明专利]基于机器学习的大规模嵌入式设备在线固件智能识别方法-CN201910526064.8有效
发明人：石志强;张国栋;杨寿国;刘明东;马原;孙利民 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F16/955 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于机器学习的大规模嵌入式设备在线固件智能识别方法，所述方法包括：获取待识别的嵌入式设备厂商的网站域内的所有URL；提取每个URL的多维特征，并将多维特征转化为数值特征，并利用词频‑逆向文件频率TF‑IDF算法获取每个URL的文本特征；将所有URL的数值特征输入至第一嵌入式设备固件URL识别模型中，获得第一嵌入式设备固件URL集合，将所有URL的文本特征输入至第二嵌入式设备固件URL识别模型中，获得第二嵌入式设备固件URL集合；取两个嵌入式设备固件URL集合的交集进行输出。本发明实施例可应用于大规模地嵌入式设备固件URL下载，URL识别难度小、爬取效率高、下载速度快。
基于机器学习大规模嵌入式设备在线智能识别方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201811551962.0有效
发明人：左义忠;杨寿国;高宏伟;邢文超 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底硅片，以及在衬底硅片表面的电极金属；其中，衬底硅片内嵌有变径沟槽；变径沟槽包括变径区和非变径区；变径沟槽的内壁设置有栅氧化层；栅氧化层的内壁设置有多晶硅材料；其中，在栅氧化层的指定位置处设置有源区；多晶硅材料的内壁设置有氧化物；衬底硅片的预设区域设置有P阱区；P阱区的P+注入窗口处设置有P+区。本发明通过将源区设置在栅氧化层的指定位置，改变了源区与栅氧化层之间的相对位置，从而降低寄生晶体管的基区电阻，进而提高半导体器件的抗闩锁能力。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法-CN201811521396.9有效
发明人：左义忠;杨寿国;王修忠;高宏伟;邢文超 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法，涉及半导体器件技术领域，包括N型单晶硅、多晶硅电极、P+层、金属层、沟槽形电容的绝缘氧化层、CS电荷存储层以及半导体的P阱区；多晶硅电极通过沟槽形电容的绝缘氧化层与CS电荷存储层以及N型单晶硅形成沟槽形负反馈电容；多晶硅电极以及P+层通过金属层与半导体的P阱区进行欧姆接触；负反馈电容进行充放电时，充放电电流通过半导体的P阱区形成压降，该方式通过在IGBT原胞中设置沟槽形负反馈电容降低了米勒电容的产生的偏压，提高了IGBT器件的开关性能。
具有负反馈电容 igbt 器件制作方法

[发明专利]一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法-CN201810131402.3有效
发明人：张熠鑫;李强;杨寿国;高宏伟 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法，属于微电子芯片领域。方法包括：提供形成有外延层的衬底，且外延层具有远离衬底的顶表面、从顶表面向内部延伸形成的凹槽，凹槽由底壁和侧壁限定，底壁与外延层的顶表面平行，侧壁沿顶表面向外延层的方向延伸；在侧壁的部分或全部形成薄膜。利用此方法进行光刻标记有利于在后续的制造过程中获得较好、更易实现的对准效果。
一种改善光刻标记对准方法用于外延超级制备

[发明专利]一种基于二进制程序的漏洞检测方法及相关设备-CN202011474805.1在审
发明人：石志强;杨寿国;曾怡诚;宋站威;朱红松;孙利民 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二进制程序的漏洞检测方法及相关设备，属于计算机信息安全技术领域，所述方法包括：基于预先给出的已知漏洞的二进制函数集合，计算所述已知漏洞的二进制函数集合的每个已知漏洞函数与目标二进制程序中所有函数的相似度；当第一已知漏洞函数与所述目标二进制中的第二函数的相似度大于阈值时，则确定所述第二函数与所述第一已知漏洞函数是同源函数，所述第二函数具有与所述第一已知漏洞函数相似的漏洞。本发明基于已知一个漏洞函数的情况下，通过找到目标二进制程序中与已知漏洞函数的同源函数，实现了对目标二进制程序的漏洞检测。
一种基于二进制程序漏洞检测方法相关设备

[发明专利]半导体硅基光波导器件及其制备方法-CN201811528791.X有效
发明人：孙喆禹;邢文超;孙宣;夏忠财;杨寿国 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体硅基光波导器件及其制备方法，涉及光波导芯片生产制造领域，所述半导体硅基光波导器件的制备方法包括以下步骤：(a)单面抛光硅片非抛光面淀积底包层；(b)在单面抛光硅片抛光面依次层叠淀积下包层、芯层以及掩膜层；(c)刻蚀芯层后形成波导通道并去除掩膜层；(d)在刻蚀后的芯层上淀积上包层，即得到半导体硅基光波导器件；优选地，所述掩膜层为金属掩膜层，解决了常规波导器件使用石英衬底片，对衬底片质量依赖性大且需订制专门的石英加工设备进行制造的技术问题，本发明提供的半导体硅基光波导器件的制备方法采用半导体硅为衬底片，与硅半导体制造设备兼容性好，不受衬底片折射率的影响，设计与制造更加灵活。
半导体硅基光波导器件及其制备方法

[发明专利]功率半导体模块及其封装方法-CN201811507321.5有效
发明人：左义忠;杨寿国;高宏伟;邢文超 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体模块及其封装方法，涉及功率半导体模块开发技术领域，其中功率半导体模块包含阻尼模块，所述阻尼模块包括封装在一起的电压阻断芯片和阻尼芯片，所述电压阻断芯片的负极与所述阻尼芯片的正极相连接。通过本发明提供的功率半导体模块，其中的阻尼模块可替代传统功率半导体模块中与开关芯片并联的快速恢复二极管，缓解了反向恢复过程中产生的电压尖峰，降低了开关芯片驱动设计难度。
功率半导体模块及其封装方法

[发明专利]一种电网嵌入式终端的固件编译优化选项识别方法及装置-CN201911113611.6在审
发明人：朱朝阳;杨寿国;周亮;张国栋;应欢;王海翔;缪思薇;石志强;孙利民;韩丽芳 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;中国科学院信息工程研究所;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种电网嵌入式终端的固件编译优化选项识别方法，包括：对电网嵌入式终端的固件的源码进行编译，获得在不同编译优化选项下生成的可执行二进制文件；将所述二进制文件的原始字节内容输入预先构建的基于卷积神经网络的编译优化选项识别模型进行识别；所述识别模型经计算后输出所述二进制文件的原始字节内容对应的编译优化选项的编译优化水平，解决目前针对可执行文件中电网嵌入式终端固件的二进制内容的编译优化水平识别技术的需求问题。
一种电网嵌入式终端编译优化选项识别方法装置

[发明专利]一种针对智能设备固件的脆弱哈希函数的识别与破解方法-CN201811406960.2有效
发明人：石志强;张国栋;杨寿国;孙利民 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G06F21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种针对智能设备固件的脆弱哈希函数的识别与破解方法，主要步骤包括：固件的预处理，获取待分析的二进制文件；提取不受架构和编译优化选项影响或受其影响小于预设阈值的脆弱哈希函数的共性特征，对特征进行数值化处理，对特征数据进行训练和测试，构建一个可靠的基于逻辑回归的神经网络模型，基于结构化匹配方法进行固件的脆弱哈希函数识别与定位；对脆弱哈希函数的代码进行结构划分和提取，将机器码或汇编代码转化为中间语言VEX IR语句，构建基于符号执行的Z3 SMT求解表达式，添加求解约束条件，逆向破解出碰撞值，验证碰撞值是否正确。本方法针对固件的脆弱哈希函数具有识别误报率低、定位准确、破解速率快的有益效果。
一种针对智能设备脆弱函数识别破解方法

[发明专利]同源二进制代码的检索方法及装置-CN201910526523.2在审
发明人：石志强;马原;张国栋;杨寿国;朱红松;孙利民 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种同源二进制代码的检索方法及装置，其中方法包括，确定待检测函数的所有基本块以及每个基本块的基本块级别信息，生成待检测函数的控制流图，将所有基本块的基本块级别信息以及依赖关系作为待检测函数的控制调用信息；将控制调用信息输入至预先训练的神经网络模型中，输出待检测函数的编码向量，计算编码向量的哈希签名，作为待检索哈希签名；在预先构建的哈希签名库中检索是否存在与待检索哈希签名相同的哈希签名，若存在，则将检索到的哈希签名对应的二进制代码作为待检测函数的同源二进制代码。本发明实施例对可能存在漏洞风险的固件进行风险评估并为漏洞安全研究人员提供分析参考依据。
哈希基本块检索二进制代码检测同源编码向量调用信息级别信息神经网络模型安全研究参考依据风险评估控制流图依赖关系漏洞签名库构建输出分析

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