[发明专利]降低VDMOS恢复时间的工艺方法及其VDMOS半导体器件有效
申请号: | 201811545641.X | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109659236B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 王鹏;杨寿国;高宏伟;张永利;孔维东 | 申请(专利权)人: | 吉林华微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 132013 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供了一种降低VDMOS恢复时间的工艺方法及其VDMOS半导体器件,涉及半导体器件制造技术领域,所述降低VDMOS恢复时间的工艺方法包括对接触孔刻蚀后的硅片依次进行减薄、背面注入、高温烘焙和金属溅射处理,解决了传统工艺方法因掺杂的重金属外逸导致半导体器件制造成本过高的技术问题,本发明提供的降低VDMOS恢复时间的工艺方法不仅节省了设备采购费用,降低了半导体器件的制造成本,而且降低了VDMOS的恢复时间、零栅压漏极电流、外延片的电阻率及外延层厚度,同时也减少了外延材料的采购成本,应用前景广泛。 | ||
搜索关键词: | 降低 vdmos 恢复时间 工艺 方法 及其 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种降低VDMOS恢复时间的工艺方法,其特征在于,包括对接触孔刻蚀后的硅片依次进行减薄、背面注入、高温烘焙和金属溅射处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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