专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210223239.X在审
  • 朱慧捷;吴杰翰;蔡政勋;李忠儒 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-09 - 2023-01-03 - H01L21/768
  • 本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例,一种半导体结构包含:第一金属化构件;第一电介质结构,其在所述第一金属化构件上方;第二金属化构件,其嵌入于所述第一电介质结构中;通路结构,其在所述第一金属化构件与所述第二金属化构件之间;及第一绝缘层,其在所述第一电介质结构与所述第一金属化构件之间且在所述第一电介质结构与所述通路结构之间。所述第一金属化构件沿着第一方向延伸,且所述第二金属化构件沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸。所述第一绝缘层沿着所述第二方向覆盖所述通路结构的第一侧壁。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]互连结构-CN202210172290.2在审
  • 朱慧捷;吴杰翰;姚欣洁;蔡政勋;李忠儒 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-07-26 - H01L21/768
  • 本公开提出一种互连结构。示例性的互连结构包括第一导电部件,具有第一厚度;第一介电材料,与第一导电部件相邻设置,其中第一介电材料具有大于第一厚度的第二厚度;第二导电部件,与第一介电材料相邻设置;第一蚀刻停止层,设置在第一导电部件上;第二蚀刻停止层,设置在第一介电材料上;以及第二介电材料,设置在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上,其中第二介电材料与第一介电材料接触。在一些实施例中,第一蚀刻停止层包括第一材料,且第二蚀刻停止层包括不同于第一材料的第二材料。
  • 互连结构

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