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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480057180.5有效
发明人： 有吉惠子;清水达雄;四户孝;先崎纯寿;原田信介;小岛贵仁 -专利权人：株式会社东芝;独立行政法人产业技术综合研究所;富士电机株式会社
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极、第二电极、控制电极和绝缘膜。第一半导体区域是第一导电型的并且包含SiC。第二半导体区域设置在第一半导体区域上并且具有第一表面。第二半导体区域是第二导电型的并且包含SiC。第三半导体区域设置在第二半导体区域上、是第一导电型的并且包含SiC。第一电极电连接到第一半导体区域。第二电极电连接到第三半导体区域。控制电极设置在第二半导体区域上。绝缘膜设置在第二半导体区域与控制电极之间。绝缘膜接触第一表面以及控制电极并且包含氮。氮的浓度分布的峰值的位置远离第一表面至少2nm但小于10nm，峰值的半峰宽为至少10nm但小于20nm。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210321805.7无效
发明人： 有吉惠子;铃木拓马;河野洋志;四户孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括第一、第二、第三和第四半导体区、控制电极、浮动电极和绝缘膜。第一区包含碳化硅。第二区设置在第一区上且包含碳化硅。第三区设置在第二区上且包含碳化硅。第四区设置在第三区上且包含碳化硅。控制电极设置在第四区、第三区和第二区中所形成的沟槽中。浮动电极设置在控制电极与沟槽的底表面之间。绝缘膜设置在沟槽与控制电极之间、沟槽与浮动电极之间以及控制电极与浮动电极之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储元件-CN200910007879.1无效
发明人：井野恒洋;安田直树;村冈浩一;藤木润;菊地祥子;有吉惠子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。
半导体存储元件

[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法-CN200910008226.5无效
发明人： 有吉惠子;高岛章;菊地祥子;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。
非易失性存储元件及其制造方法