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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

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2023-09-22 公布专利

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华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

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[发明专利]发光元件及其制作方法-CN201110255651.1有效
发明人：吴俊德;李玉柱 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光元件，包含第一披覆层、发光层、第二披覆层、铟镓氧化物，及电极单元，第一披覆层以半导体材料构成，发光层设置于第一披覆层上并在接受电能时将电能转换为光，第二披覆层设置于发光层上并与第一披覆层呈相反电性，铟镓氧化物的化学式为InyGa1-yOxN1-x，0＜y＜1，0＜x≤1，且铟镓氧化物设置于第二披覆层上，电极单元传送来自外界的电能至该发光层。本发明利用铟镓氧化物降低与电极单元间的接触电阻，并同时降低元件的工作电压，及增加元件整体的导电率，进而增加元件整体的发光效率。本发明还提供该发光元件的制作方法。
发光元件及其制作方法

[发明专利]具有滤光元件的发光二极管封装结构-CN201110181022.9无效
发明人：孙圣渊;苏柏仁 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种具有滤光元件的发光二极管封装结构，包含导线架、发光光源、透光元件、光激发元件，及滤光元件，导线架对外固着且电连接，发光光源固着于导线架上并与之电连接，而可将电能转换为光能以发出第一波长范围的光，透光元件供第一波长范围的光穿透，光激发元件可被第一波长范围的光激发而发出第二波长范围的光，滤光元件安装于透光元件及光激发元件间，以供第一波长范围的光穿透并反射第二波长范围的光，借此，可增加第二波长范围的光的出光效率，从而提升整体的发光亮度。
具有滤光元件发光二极管封装结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201110195997.7有效
发明人：陈正言;许国君;李允立 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、第一电极以及第二电极。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极配置于第一型掺杂半导体层上，且包括多个分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上，第二电极圈围出至少一封闭区域，且封闭区域位于相邻的二分支部之间。
发光二极管结构

[发明专利]发光元件结构及其制作方法-CN201110110088.9有效
发明人：赖彦霖;李玉柱;李允立 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光元件结构，包括基板以及磊晶体。基板具有表面与数个间隔排列且凸起表面的弧形凸起部。这些弧形凸起部分别具有弧形曲面，其中这些弧形曲面与表面连接，且各弧形曲面相对于表面的斜率绝对值随着靠近基板的方向上递增。磊晶体配置于基板的表面与这些弧形凸起部上。磊晶体与这些弧形凸起部相配合而界定出数个环形间隙，其中各环形间隙环绕各弧形凸起部。本发明亦提供一种发光元件结构的制作方法。本发明可提高发光元件结构的光取出率。
发光元件结构及其制作方法

[发明专利]发光二极管结构-CN201110098792.7无效
发明人：赖彦霖;王信介;黄吉丰;林京亮;李允立 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管结构，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一导电层以及第二导电层。发光层配置于第一型半导体层上。发光层包括数个能障层以及数个量子井层，其中这些量子井层分别夹设于这些能障层之间。第二型半导体层配置于发光层上，其中最靠近第二型半导体层的量子井层的厚度至少大于等于其他量子井层的平均厚度的1.1倍。第一导电层电性连接第一型半导体层。第二导电层电性连接第二型半导体层。该发光二极管结构可提升发光二极管结构的整体发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]非接触式三维立体控制显示设备-CN201110082242.6无效
发明人：邱少雄 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式三维立体控制显示设备，所述设备包括：可触控屏、支撑所述触控屏的外框、电荷侦测组件、运算器，外框环绕设置在触控屏周边支撑触控屏，电荷侦测组件固定设置于外框上，电荷侦测组件与运算器电连接，运算器与触控屏电连接；电荷侦测组件在带电荷物体靠近时产生电信号，该电信号传输给运算器，运算器对该电信号进行处理并控制显示设备工作。所述显示设备具有触控屏和电荷侦测组件，电荷侦测组件在非接触的情况产生一可用于控制所述显示设备的信号，使显示设备达到非接触式三维立体控制。
接触三维立体控制显示设备

[发明专利]垂直式发光二极管结构及其制作方法-CN201110089895.7无效
发明人：黄侯魁;蔡百扬 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种垂直式发光二极管结构，包括半导体堆叠层、绝缘阻障层以及金属堆叠层。半导体堆叠层包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，且主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。绝缘阻障层覆盖半导体堆叠层并具有开口，且开口暴露出半导体堆叠层。金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内而与第二型半导体层实体连接。金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间，且欧姆接触层与第二型半导体层实体连接。一种垂直式发光二极管结构的制作方法亦被提出。本发明可有效地阻挡反射层的金属原子迁移，使垂直式发光二极管结构具有较佳的光电表现效益。
垂直发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]发光二极管结构-CN201110064946.0有效
发明人：赖育弘 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其是设置复数个第一金属导线于一第一半导体层，一主动层设于部分第一半导体层，一第二半导体层设于主动层，主动层与第二半导体层具有复数个凹槽，第一金属导线分别位于复数个凹槽内，复数个绝缘层覆盖第一金属导线与第一半导体层，一透明导电层设于第二半导体层，并覆盖于复数个绝缘层，复数个第二金属导线设于透明导电层，第二金属导线对应第二半导体层。通过第一金属导线与第二金属导线以将发光二极管的电流平均分布，并且藉由绝缘层以避免电流集中于第一金属导线与第二金属导线之间，而透明导电层为连续式覆盖于第二半导体层，以使电流更均匀的分布于第二半导体层，以增加发光二极管结构的发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]以磁力固晶的发光二极管封装组件-CN201110058443.2无效
发明人：苏柏仁;李允立 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种以磁力固晶的发光二极管封装组件，包含一组支架，及至少一个发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒包括一个供电后以光电效应产生光的本体，及一层形成于该本体底面的接触层，该支架及该接触层其中至少一者包括有磁性材料，该支架及该接触层其中的另一者包括有吸附至该磁性材料的材料，该支架与该接触层产生相互吸引的磁力，而使该发光二极管晶粒固晶于该支架，本发明以磁力相互吸引取代传统的用黏着剂的方式将发光二极管晶粒固晶于支架上，以减少封装材料成本，以及减少封装制程步骤。
磁力发光二极管封装组件

[发明专利]发光二极管结构-CN201210018405.9无效
发明人：林子暘;赖育弘 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其是于一发光二极管晶粒的透明导电层上方设置一光学滤光膜，通过光学滤光膜对不同波长的光具有选择性反射率及穿透率，因此，发光二极管晶粒所发出的光可穿透光学滤光膜，而二极管晶粒所发出的光激发荧光材料后所产生的激发光则被反射，如此可减少激发光散射回晶粒后被吸收所造成的光能损失，进而增提高发光二极管的亮度。
发光二极管结构

[发明专利]氮化物系半导体发光结构-CN201110062150.1无效
发明人：李允立;赖彦霖 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间，其中氮化物系半导体主动层包含井层与障壁层交互积层而构成的多重量子井构造，上述主动层的障壁层中，靠近P型氮化物系半导体层侧的障壁层共掺杂有P型及N型离子。此外，氮化物系半导体主动层包含发光区及非发光区，发光区及非发光区皆由至少一障壁层与至少一井层所组成，每一个障壁层及井层彼此交互积层。
氮化物半导体发光结构

[发明专利]氮化物系半导体发光结构-CN201110053394.3有效
发明人：赖彦霖 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其发光主波长介于500至540纳米之间，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述的氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间。此外，氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构，每一对量子井结构堆栈成为夹层状。再者，每一对量子井结构包含一井层及一阻障层，其中每一阻障层的厚度介于10至25纳米之间。
氮化物半导体发光结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201210018435.X无效
发明人：林子暘;赖育弘 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其依序设置一基板、一磊晶层、一透明导电层，磊晶层设于基板上方，透明导电层设于磊晶层上方，电流阻绝层设于磊晶层之中并位于透明导电层下方与基板的上方，磊晶层上方设有一第一金属电极，透明导电层上方设有一第二金属电极，电流阻绝层位于与该第二金属电极的下方。通过电流阻绝层以避免位于第二金属电极下方的磊晶层所发光线被吸收，进而增加发光二极管结构的发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管组件-CN201110274485.X无效
发明人：苏柏仁 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管组件，其包含一基板以及复数个发光主波长波段介于440纳米至490纳米之间的半导体发光晶粒，该半导体发光晶粒设置在该基板上，同时半导体发光晶粒与基板电性连接。这些半导体发光晶粒中，最大与最小发光主波长间的波长差至少是10纳米，平均发光主波长介于450纳米至470纳米之间。通过上述配置，不仅可使本发明所述的发光二极管组件发光均匀化，更能够消化生产在线多余的库存半导体发光晶粒。
发光二极管组件

[发明专利]发光二极管装置-CN201110415505.0有效
发明人：苏柏仁 -专利权人： 新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管装置，其包含一基材、至少一发光二极管晶粒、一反射体及一光学镜体。其中，发光二极管晶粒固晶于基材上。再者，反射体位于基材上且环设于发光二极管晶粒的侧边，光学镜体可同时覆盖基材并包覆反射体且反射体在与基材接合处具有一小于80度的倾角。因此，光学镜体的光学焦点可配合发光二极管晶粒的发光中心而设置，倘若光学焦点能与发光中心重叠，则本发明的发光二极管装置的照明亮度即能够优化。
发光二极管装置

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