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[发明专利]一种用于基于用户线的通信系统的中心调制解调器-CN200410032963.6无效
发明人：约翰·宾厄姆;波·东 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1996-06-19 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H04L5/02 文献下载
摘要：一种在中心单元与远地单元之间通过共用一连接体的不同传输双绞线协调甚高速双向数据传输的方法被描述。更确切地说，周期同步的上行和下行通信周期被提供以便使其不相互重叠。共用一连接体的所有线的上行和下行通信的周期被同步。通过这种方案，所有同一连接体内的甚高速传输被同步且时分复用，这样下行通信不会在与上行通信重叠的时间进行。在一些实施例中，提供静默周期以分隔上行和下行通信周期。所述发明可与许多调制方案结合使用，包括多载波和单载波传输方案。它向后与现存系统兼容，并在高性能系统中具有特别优势。
一种用于基于用户通信系统中心调制解调器

[发明专利]图象处理装置和方法-CN98122426.1无效
发明人：寒川贤太;二宫和贵;三木阳一郎;德永尚哉;谷匡弘;宫口裕;矢口雄二;秋山强 -专利权人：松下电器产业株式会社;得克萨斯仪器公司
申请日： 1998-09-30 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：一种图象处理装置，包括：输入部分，用于接收将要处理的图象数据；数字信号处理部分，包括以一对一的关系被分配到与一扫描行相应的各个象素的多个处理单元，用以依据一个共同指令完成相同的操作，该数字信号处理部分接收、处理、并输出每一扫描行的图象数据；图象存储器，具有一个固定存储器区域并能够并行且独立地完成写入操作和读取操作，该图象存储器为每一扫描行接收和输出图象数据，输出部分，用于输出处理的图象数据；数据总线装置，用以将输入部分、数字信号处理部分、图象存储器、以及输出部分相互连接；以及控制装置，用于按照程序数据来控制输入部分、数字信号处理部分、图象存储器、以及输出部分。
图象处理装置方法

[发明专利]对位置敏感的教育用品-CN90100680.7无效
发明人：史蒂文·里·卢斯克;派屈克·罗姆;拉里·戴尔·托马斯 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1990-02-10 - 公布日： 2000-03-08 - 主分类号： G09B5/06 文献下载
摘要：一种十二面形的教育玩具（１０），在每一平面（１７—２８）上形成一不同的可见图形，位置敏感机构（５０）在该玩具（１０）内取向以通知微处理器（６２）哪一个平面（１７—２８）处于“向上”位置。一旦玩具（１０）被转动或移动，则产生一个“接通”的信号，并放出乐调，当平面（１７—２８）之一停在“向上”位置时，位置敏感机构（５０）通知微处理器（６２），并经扬声器（４４）放送对应于可见图形的声音，如果玩具（１０）被扔在一边并持续一预定时间，则玩具播出一段告警声，若玩具（１０）仍不被移动，则玩具自动“关断”。
位置敏感教育用品

[发明专利]用于电化学电池的断流器-CN97194451.2无效
发明人：维特·H·伍;卢西恩·P·方丹;威廉·T·麦克休;罗伯特·J·皮诺尔特;简·A·布莱西;斯蒂文·K·沙利文;斯蒂芬·S·约翰逊;杰弗里·J·帕奎因;加里·K·莫斯;兰斯·E·坎布拉 -专利权人：杜拉塞尔公司;得克萨斯仪器公司
申请日： 1997-04-10 - 公布日： 1999-06-02 - 主分类号： H01M2/12 文献下载
摘要：公开一种用于电化学电池的断流机械装置。把一个热起动断流机械装置(38)结合到一个用于电化学电池的端帽组件(10)中。该热敏机械装置优选地包括一个自由浮置双金属盘(40)或一个可熔材料块(175),以断开端帽组件之内的电路。该端帽组件还包括一个结合于其中的压敏断流机械装置(48)。该压敏机械装置起动,以切断端帽组件(10)之内的一个隔膜(70)与一个板(80)之间的电接触,以防止电流流过电池,并且它可以包括一个当有过度气压升高时破裂的隔膜(70)。
用于电化学电池断流

[发明专利]空间光调制器的象素的复位方法-CN93114495.7无效
发明人：拉里Ｊ·霍恩贝克 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1989-03-16 - 公布日： 1998-07-08 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种空间光调制器的象素的复位方法。在一种有“软着陆”电极的空间光调制器中，存在着偏转片附着在着陆电极上的可能。本发明提供的方法包括（１）施加一个电压以存储能量于偏转片的铰链里，然后（２）去除电压以释放所存储的能量。
空间调制器象素复位方法

[发明专利]超大规模集成电路静态随机存储器-CN89103683.0无效
发明人：罗杰·A·纳肯;汤姆士·C·哈罗伟;汤姆士·E·塔;魏切常;蒙蒂·A·道格拉斯;里拉·雷海特;里查德·A·查普曼;戴维·A·比尔;罗伯特·格罗夫III -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1986-04-30 - 公布日： 1997-04-09 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：在氨气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。
超大规模集成电路静态随机存储器

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN89108268.9无效
发明人：凯利帕特纳姆·维维克·罗;吉姆斯·L·佩塔森 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1987-03-31 - 公布日： 1995-12-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面，本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的，这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶，然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]空间光调制器-CN89101512.4无效
发明人：拉里·J·霍恩贝克 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1989-03-16 - 公布日： 1994-07-13 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：一种可静电偏转的偏转片式空间光调制器，它具有偏转片(30)、寻址电极(42，46)和着陆电极(40，41)可保证偏转片在着陆电极(40，41)上软着陆，它给出均匀的大角度偏转外加高的可靠性。
空间调制器

[发明专利]采用块移动指令的微处理机-CN86101043.4无效
发明人：萨里德·S·马格尔;里查德·D·辛普森;丹尼尔·L·依辛;爱德华特·R·柯得尔;斯蒂芬·P·马斯霍尔;凯文·麦克唐纳 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1986-02-08 - 公布日： 1993-05-26 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：实时数字信号处理中的系统，使用具有芯片上的分开的程序和数据存储器的单片微机，芯片有程序和数据分开的地址和数据通路。外部程序地址总线允许芯片外的程序以扩展方式取指并由数据总线返回操作码。总线互换组件允许在分开的内部程序和数据总线间在特定环境中传送。内部总线为16位，ALU和累加器为32位，乘法器电路产生单态为16×16的乘法功能且与ALU分开，32位输出接到ALU。ALU的一输入通过0-15位的有符号扩展的移位器。
采用移动指令微处理机

[发明专利]动态随机存取存储单元-CN90108147.7无效
发明人：克拉伦斯·腾万生;罗伯特·阿·都灵;阿斯维应·海·沙夏 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-03-01 - 公布日： 1992-12-23 - 主分类号： G11C11/404 文献下载
摘要：在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。
动态随机存取存储单元

[发明专利]垂直双极型晶体管-CN90108153.1无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1992-10-21 - 主分类号： H01L29/50 文献下载
摘要：双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区城嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
垂直双极型晶体管

[发明专利]集成电路隔离方法-CN90106499.8无效
发明人：理查德·A·恰普曼;克莱伦斯·邓万生 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1987-07-03 - 公布日： 1992-07-29 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹■隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源■壕区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使得有源区的宽度损失量极小。
集成电路隔离方法

[发明专利]用于动态随机存储器冗余设置的激光链路译码器-CN91104338.1无效
发明人：希普·特伦 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1991-06-19 - 公布日： 1992-01-01 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：本文揭示了一种用于存储器冗余设置的译码器，它允许按照多个熔断器的状态替换许多地址上的存储单元。
用于动态随机存储器冗余设置激光译码器

[发明专利]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺-CN88100546.0无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型互补金属氧化物半导体晶体管集成制造工艺

[发明专利]集成电路隔离工艺-CN87104640.7无效
发明人：理查德·A·恰普曼;克莱伦斯·邓万生 -专利权人： 得克萨斯仪器公司
申请日： 1987-07-03 - 公布日： 1991-07-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽隔离工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使电有源区的宽度损失量极小。
集成电路隔离工艺

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