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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制备光掩模数据及制造光掩模的方法-CN202210252194.9在审
发明人：余志如;冯妍;张林;彭丹平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明实施例涉及制备光掩模数据及制造光掩模的方法。在一种制造用于半导体装置制造的集成电路的光刻掩模的方法中，对所述集成电路的布局图案执行光学近接校正OPC工艺以产生经校正布局图案。还对所述经校正布局图案执行逆光刻技术ILT工艺以增强所述经校正布局图案以产生所述光刻掩模的经OPC‑ILT增强的布局图案。当将所述光刻掩模的所述经OPC‑ILT增强的布局图案投影于晶片上时，产生与所述经OPC‑ILT增强的布局图案相关联的第一轮廓图像。提取所述经产生的第一轮廓图像的特征。且产生与所述经OPC‑ILT增强的布局图案相关联的作为深度神经网络的输出的所述晶片上的经显影光致抗蚀剂图案的第二轮廓图像。
制备光掩模数据制造方法

[发明专利]掩模建模方法-CN201710979135.0有效
发明人：赖建任;周欣;彭丹平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供一种掩模建模方法，包括：接收一掩模布局，掩模布局包括一非曼哈顿图案，其中非曼哈顿图案包括二或多个曲线边缘；将一无交互作用的掩模模型应用于掩模布局；将一边缘交互作用的模型应用于掩模布局的至少非曼哈顿图案，边缘交互作用的模型描述由彼此交互作用的曲线边缘的多个组合所引起的影响；将一薄掩模模型应用于掩模布局；以及基于无交互作用的掩模模型的应用、边缘交互作用的模型的应用以及薄掩模模型的应用来决定一近场。
建模方法

[发明专利]具有任意角的图案的掩模建模方法-CN201710982988.X有效
发明人：赖建任;周欣;彭丹平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供一种具有任意角的图案的掩模建模方法，步骤包括：接收一掩模布局；根据一组预选的掩模布局样本产生一组二维核函数；将上述组二维核函数应用于接收到的掩模布局，以取得一校正场；以及根据校正场的一部分，判断接收到的掩模布局的一近场。本公开提供的具有任意角的图案的掩模建模方法可以精确地建模具有自由形状或者任意掩模图案的反向光刻技术掩模。
具有任意图案建模方法

[发明专利]基于机器学习的模型构建器及其在半导体制造中的图案转移应用-CN202210078072.2在审
发明人：余志如;张林;彭丹平;雷俊江 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明实施例涉及基于机器学习的模型构建器及其在半导体制造中的图案转移应用。在此揭露了一种系统和方法用于光掩模的掩模图案的优化光学邻近校正模型。基于机器学习的模型构建器包括：光学邻近校正模型、测量数据和随机项生成器。随机项由随机项生成器在M维空间中生成。基于机器学习的模型构建器通过应用分类规则将随机项分类为群集。在经分类群集中确定随机项的代表子集，并将代表子集加到光学邻近校正模型中。
基于机器学习模型构建及其半导体制造中的图案转移应用

[发明专利]用于向量光学图像模拟的多组件内核-CN202210058456.8在审
发明人：何力键;赖建任;山添贤治;周欣;彭丹平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于向量光学图像模拟的多组件内核。根据本发明的一些实施例，一种增强布局图案的方法包含基于光刻系统的光学系统的照明源及所述光学系统的出射光瞳来确定所述光刻系统的所述光学系统的向量透射交叉系数(向量TCC)算子。所述方法还包含执行光掩模的布局图案的光学近接校正OPC操作以产生OPC校正的布局图案。所述OPC操作使用所述向量TCC算子来确定所述光掩模的所述布局图案在晶片上的投影图案。所述方法包含在掩模坯料上产生所述OPC校正的布局图案以产生光掩模。
用于向量光学图像模拟组件内核

[发明专利]半导体元件制造的方法-CN202010159948.7在审
发明人：山添贤治;雷俊江;彭丹平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：提供半导体元件制造的方法。在实施例中，一种半导体元件制造的方法包括接收包括第一遮罩函数的第一遮罩设计，决定曝光工具的透射交叉系数(TCC)，将TCC分解为复数阶个特征值及复数阶个特征函数，基于复数阶个特征值及复数阶个特征函数来计算内核，以及通过对第一遮罩函数与内核进行卷积来决定第一次解析度辅助特征(SRAF)种图。
半导体元件制造方法

[发明专利]光罩的制作方法-CN201910540819.X在审
发明人：余志如;彭丹平;雷俊江;方源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：一种光罩的制作方法，包括针对用于执行微影制程的给定光罩布局计算光罩体积校正矩阵的步骤。光罩体积校正矩阵表示预定厚度的光罩材料的绕射场。通过将光罩体积校正矩阵应用于给定光罩布局来计算模拟光罩图案。将模拟光罩图案提供给光罩制作工具。
光罩体积校正矩阵光罩材料光罩图案计算模拟矩阵表示矩阵应用微影制程制作工具模拟光绕射场图案制作

[发明专利]用于集成电路制作的方法-CN201810195079.6在审
发明人： 彭丹平;屈帅哥;徐方博;裴大牛;何力键;雷俊江 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本文中公开用于大面积光刻仿真的同步化平行图块计算技术的实例来解决图块边界问题。一种用于集成电路(IC)制作的示例性方法包括：接收IC设计布局；将所述IC设计布局分割成多个图块；对所述多个图块实行仿真成像过程；通过对来自所述多个图块的最终同步化图像值进行组合，来产生经修改IC设计布局；以及提供所述经修改IC设计布局来用于制作掩模。实行所述仿真成像过程包括对所述多个图块中的每一者执行多个成像步骤。执行所述多个成像步骤中的每一者包括通过相邻图块之间的数据交换，对来自所述多个图块的图像值进行同步。
图块成像步骤仿真成像同步化集成电路制作图像边界问题数据交换相邻图块光刻掩模制作集成电路平行分割

[发明专利]用于光刻法的系统、掩模和方法-CN200680039952.8有效
发明人： D·艾布拉姆斯;彭丹平;S·奥谢尔 -专利权人：朗明科技公司
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：使用通过掩模函数定义的轮廓来表示光掩模图案。给出目标图案，将轮廓最优化，以便当在光刻法工艺中使用所定义的光掩模时，印刷晶片图案忠实于目标图案。最优化利用“效益函数”，用于对以下方面进行编码：光刻法工艺、关于得到的图案(例如，约束为直线型图案)的优选选项、抗工艺变化的鲁棒性、以及关于光掩模的实际和经济制造性而实施的约束。
用于光刻系统方法

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