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[发明专利]一种调控榴弹炮射制导弹丸炮口转速的方法-CN202211650249.8在审
发明人：杨波;袁秦鲁;陈红星;王天明;张意;胡文谦;齐竹昌;刘瑞卿;张启;鱼博;张培健;杨力;李敏 -专利权人：西安现代控制技术研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F42B10/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控榴弹炮射制导弹丸炮口转速的方法，属于榴弹炮设计领域。本发明通过车削的方法，在制导炮弹滑动弹带与弹体接触赋旋的钢环表面增加一个环型的下凹槽，对滑动弹带的钢环与弹体接触赋旋表面的面积进行调控。本发明突出优点是，以原有滑动弹带结构为基础，无需重新考虑并验证滑动弹带在发射工况下的强度、刚度以及闭气性能，结构和加工制作工艺的继承性强，技术成熟度高，对表面加工质量及涂层性能的要求低，经济性强，便于使用，具有很大的推广应用空间。
一种调控榴弹炮制导弹丸炮口转速方法

[发明专利]一种存储器件的制备方法及存储器件-CN202310178238.2在审
发明人：仵韵辰;谭开洲;张培健;石艳斌;洪敏;魏佳男;易孝辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科芯片技术（集团）有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器件的制备方法及存储器件，通过电输运层刻蚀成写入线与读取线，且写入线与读取线呈十字交叉结构，在交叉区域上使用磁性金属薄膜和反铁磁金属薄膜性形成磁性耦合结构，与下层的电输运层和上层的金属保护层之间形成异质结结构的存储器；在写入线中通入大电流时，可以通过SOT作用固定磁性耦合结构中磁性金属薄膜的磁矩方向；其后在写入线中通入小电流时，会在读取线两端产生电势差，从而可以读取电阻状态。相当于写入线通过金属导线与一个MOS晶体管的源极电极电连接，通过控制MOS管栅极电压状态和漏极电压状态，即可进行存储器的写入和读取操作。所以，本发明的工艺复杂度和制造成本较低，具有明显的优势和广泛的应用前景。
一种存储器件制备方法

[发明专利]一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统-CN202310166000.8在审
发明人：魏佳男;张培健;徐学良;傅婧;陈仙;易孝辉;谭开洲;洪敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明提供一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统，该方法包括：利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；再基于单粒子效应敏感区域平面图计算单粒子效应敏感区域的表面积，同时获取预先或实时基于待测半导体器件构建的三维数值仿真模型，并基于三维数值仿真模型确定出单粒子效应敏感区域的深度；最后将单粒子效应敏感区域的表面积和深度进行结合，得到待测半导体器件的单粒子效应敏感区域。由此可知，本发明可以确定出待测半导体的单粒子效应敏感区域表面积和深度。本发明通过数值仿真方法缓解了重离子实验机时短缺、费用昂贵的问题，大幅提高实验效率，节约了实验成本。
一种粒子效应敏感区域确定方法系统

[发明专利]一种多孔复合水凝胶的快速制备方法及在光热海水淡化中的应用-CN202211586208.7在审
发明人：钱晨;叶杰克;张培健;林俊伟;傅雅琴 -专利权人：浙江理工大学;现代纺织技术创新中心（鉴湖实验室）
申请日： 2022-12-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： D06M15/285 文献下载
摘要：本发明涉及水凝胶技术领域，特别涉及一种多孔复合水凝胶的快速制备方法，包括：步骤1，将丙烯酰胺与N‑异丙基丙烯酰胺单体溶解于去离子水和二甲基亚砜的混合溶剂中，得到AM/NIPAM混合液；然后将交联剂与光引发剂依次加入上述AM/NIPAM混合液中，混合均匀，得到水凝胶预制液；步骤2，将碳纤维毡平铺于模具中，然后将上述水凝胶预制液滴加至模具中；步骤3，对模具中的水凝胶预制液进行紫外光辐射处理，完成辐射交联，制得多孔复合水凝胶。该方法工艺过程简单易行，采用本方法制备的多孔复合水凝胶，其孔结构高度连通开放、可调节，通过毛细作用持续输送水分，保证蒸发过程的持续进行。
一种多孔复合凝胶快速制备方法光热海水淡化中的应用

[发明专利]一种硅晶圆腐蚀装置-CN202211170246.4在审
发明人：陈仙;张培健;唐新悦;洪敏;易孝辉;魏佳男;罗婷;仵韵辰;张静;谭开洲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶圆腐蚀装置，包括：承载机构，承载机构包括用于承载硅晶圆的承载盘；旋转机构，与所述承载机构连接，并驱动所述承载机构旋转；喷液机构，设置在所述承载盘上方，用于向所述承载盘上的所述硅晶圆喷射液体；集液流道，环绕于所述承载盘边缘地设置在所述承载盘的外侧，所述集液流道在朝向所述承载盘的方向设置有集液口，所述承载机构旋转时，所述承载盘上的液体在离心作用下进入所述集液流道。本申请能够与硅晶圆的机械减薄工序配合进一步对硅晶圆进行减薄，有效消除了硅晶圆背面所受的机械损伤，有利于提高硅基超薄柔性芯片加工成品率，增加柔性芯片产品可靠性，提高制造效率，具有结构巧妙、实用性强、控制精度高等特点。
一种硅晶圆腐蚀装置

[实用新型]一种条烟输送缓冲装置-CN202222013788.2有效
发明人：李亚;郑蜀仁;刘磊;赵景瑞;施少卿;徐秀;张培健;许良 -专利权人：安徽中烟工业有限责任公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B65G47/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种条烟输送缓冲装置，包括位于条烟输送带上方左右两侧的两个缓冲机构，条烟输送带安装在输送轨道上且沿前后方向延伸，每个缓冲机构包括缓冲组件以及用于支撑缓冲组件的支撑架，两个缓冲机构的支撑架底部分别滑动设置在一个升降平台上，支撑架能沿着升降平台的左右方向来回滑动，升降平台底部通过升降机构支撑，并通过升降机构驱动升降平台升降，升降平台上设有能带动两个支撑架左右滑动的滑移机构。本实用新型相比现有技术具有以下优点：其与输送轨道为独立设计，实现了缓冲装置方便快捷的安装和取下，且能方便快捷的调整两个缓冲机构的间距。
一种输送缓冲装置

[发明专利]深槽隔离双极晶体管及其制造方法-CN202210933000.1在审
发明人：罗婷;魏佳男;张培健;付晓君;王鹏;陈仙;易孝辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明提供一种深槽隔离双极晶体管及其制造方法，通过设置在第一杂质类型衬底内的第一杂质类型重掺杂区，在过剩载流子向集电区‑衬底PN结输运的路径上引入了高复合率区域，减少了被集电区收集的过剩载流子数量，能够有效降低瞬时光电流的幅值并缩短其持续时间，从而大幅提高了深槽隔离双极晶体管的抗瞬时剂量率效应能力；第一杂质类型重掺杂区位于衬底中，不改变器件的本征区域结构和工艺流程，不影响器件的常规电学参数；第一杂质类型重掺杂区的形成方法简单，与常规器件相比，仅需增加一次离子注入流程，同时不需引出单独的金属接触，有利于降低工艺复杂度和制造成本；同时，在提高抗瞬时剂量率效应能力的同时，还能够提高抗单粒子效应能力。
隔离双极晶体管及其制造方法

[发明专利]厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法-CN202110381198.2在审
发明人：陈仙;张培健;洪敏;廖希异;王妍;邱盛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，该制备方法包括步骤：制备Si/SiO2/Si复合结构衬底，并调节控制顶层硅层的厚度；在Si/SiO2/Si复合结构衬底上制备柔性电子器件层；利用化学腐蚀工艺去除Si/SiO2/Si复合结构衬底中的底层硅层。本发明通过控制Si/SiO2/Si复合结构中顶层硅层的厚度来控制柔性电子器件的总厚度，并利用腐蚀液体对Si与SiO2不同的腐蚀速率实现底层硅层的完全去除，从而制备出厚度可控、背面无微缺陷的硅基超薄柔性晶圆；采用普通硅片进行加工，成本较低，且兼容标准COMS工艺，适合硅基超薄柔性电子器件的大规模批量制备；采用化学腐蚀方法去除底层硅层，可有效避免常规机械减薄工艺产生的微缺陷残留，有效提升了硅基超薄柔性电子器件的可靠性。
厚度可控晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法

[发明专利]基于CMOS器件的电流补偿电路、电流补偿方法及超薄柔性芯片-CN202210692865.3在审
发明人：洪敏;陈仙;张培健;罗婷;唐新悦;易孝辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种基于CMOS器件的电流补偿电路、电流补偿方法及超薄柔性芯片，电流补偿电路包括第一级CMOS模块、检测及反馈模块、第二级CMOS模块；本发明通过“第一级CMOS模块+检测及反馈模块+第二级CMOS模块”的结构设计，基于第一级CMOS模块能对沿第一方向的单轴弯曲应力作用下待补偿CMOS器件的工作电流变化量进行补偿调节，基于第一级CMOS模块和第二级CMOS模块能对沿第二方向的单轴弯曲应力作用下待补偿CMOS器件的工作电流变化量进行补偿调节，对外输出稳定的工作电流，可使得超薄柔性芯片中的CMOS器件始终保持稳定的电信号输出，可解决因第一方向或者第二方向的弯曲形变应力而导致的器件参数漂移和性能退化问题，提升了超薄柔性芯片的性能稳定性。
基于 cmos 器件电流补偿电路方法超薄柔性芯片

[发明专利]电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法-CN202110919735.4在审
发明人：谭开洲;肖添;张嘉浩;杨永晖;蒋和全;李儒章;张培健;钟怡;李孝权;王鹏飞;王鹏;王育新;唐昭焕;裴颖;李光波 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二个电阻场板结构的顶端引出控制电极，当MOSFET结构的源极电极与控制电极同电位连接时，由于两个电阻场板结构的结构不对称、存在差异，二者产生的电场耦合效果更好，更适应提升MOSFET耐压漂移区杂质浓度，降低了漂移区导通电阻而同时保持耐压，优化了导通电阻与耐压之间的基本矛盾，同时，电场耦合效果更好，对相邻的其他最小可重复单元的排斥挤压也降低，从而便于最小可重复单元的结构压缩，有利于结构小型化设计和高密度化设计。
电阻场板非对称场效应器件及其制备方法

[发明专利]抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法-CN202210861707.6在审
发明人：张广胜;朱坤峰;杨永晖;徐青;张培健;钱呈;钟怡;杨法明;裴颖;黄磊;任芳;邱盛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法，在本发明中，采用集成抗辐射的双栅氧化层工艺，在一个衬底上同时形成低压NMOS结构、低压PMOS结构、高压对称nLDMOS结构、高压非对称nLDMOS结构、高压对称pLDMOS结构、高压非对称pLDMOS结构、多晶高值电阻结构、MOS电容结构，实现了成套抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构，通过双栅氧化层工艺，采用了硅栅自对准注入的工艺方式，在多晶栅刻蚀之后再形成源漏，匹配全流程热预算设计，形成的低压NMOS结构和高压nLDMOS结构具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低的漏电和较小的阈值电压漂移，有效解决了宇航用抗辐射高低压CMOS类产品工艺制造难题。
辐射低压兼容模拟 cmos 器件集成结构及其制造方法

[发明专利]电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法-CN202210625457.6在审
发明人：洪敏;陈仙;张培健;罗婷;唐新悦;易孝辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明提供一种电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法，电流补偿电路包括第一PMOS模块及第二PMOS模块；本发明通过“并联设置的、沟道电流方向相互垂直的且电参数特性相同的第一PMOS模块和第二PMOS模块”的结构设计，在任意单轴弯曲应力作用下，将第一PMOS模块的工作电流变化量与第二PMOS模块的工作电流变化量对冲抵消，使得第一PMOS模块或者第二PMOS模块中的PMOS器件的工作电流变化量随之抵消，对外输出经过补偿调节的工作电流，进而使得硅基超薄柔性芯片中的PMOS器件始终保持稳定的电信号输出，可有效解决因弯曲形变应力而导致的器件参数漂移和性能退化问题，明显提升了硅基超薄柔性芯片的性能稳定性。
电流补偿电路超薄柔性芯片方法

[发明专利]介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法-CN202011233504.X有效
发明人：谭开洲;肖添;张嘉浩;李孝权;王鹏飞;裴颖;李光波;杨永晖;蒋和全;张培健;邱盛;陈良;崔伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
介质共用电阻场效应 mos 器件及其制备方法

[发明专利]半导体改进结构及功率半导体器件-CN202110101143.1在审
发明人：谭开洲;蒋和全;张培健;肖添;钟怡;王健安;王育新;杨永晖;崔伟;张霞;黄东 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，其工艺相对其他现有高压低漂移区导通电阻半导体元胞结构更容易实现，降低了同样的电压因电荷失配导致的损失，包括介质层电荷引起的失配，这对降低工艺实施难度和工艺能力的要求，提高成品率有很大冗余度和好处，同时也提高了该结构工作的稳定性。
半导体改进结构功率半导体器件

[发明专利]一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路-CN202010661652.5有效
发明人：王妍;张培健;徐鸣远;陈仙;蒋飞宇;廖希异;邱盛;张正元;李儒章;蒋和全;戴永红 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提出一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路，包括获取存储数据地址，将所述存储数据地址划分为多个位段，每个所述位段经过译码后，通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号；每组所述控制信号接入一组数据选择器，通过多组所述数据选择器依次串接，在每组所述控制信号作用下将输入所述数据选择器的选择电压输出至反熔丝单元，并对所述存储数据地址对应的反熔丝单元进行编码或读取；其中，所述选择电压至少包括：编码选择电压、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压；本发明在实现编程/读取的同时，可有效减少管子的数量，节约版图面积。
一种反熔丝存储器阵列电压控制方法电路