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[实用新型]一种预应力钢绞线废线头夹具结构-CN202220941369.2有效
发明人：常振明;田俊;马坤华 -专利权人：张家港新华预应力钢绞线有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： D07B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预应力钢绞线废线头夹具结构，包括工作台和多适应夹持机构，工作台上连接有多适应夹持机构，多适应夹持机构包括夹持座，夹持座内设有从动夹持盘，夹持座上设有多个夹持件，夹持件上连接有夹持弧板，夹持座上开凿有与夹持件相匹配的夹持槽，夹持件下设有位移块，从动夹持盘上开凿有与位移块相匹配的转向槽，夹持件与位移块之间连接有转向轴。本实用新型通过废线头夹具上相应机构的设置，使废线头夹具能够适应多种型号的钢绞线，减少了更换夹具的次数，不仅缩减了时间的浪费，还减小了工人的工作量，同时提升了夹具的使用效率，降低了对钢绞线生产质量的影响，提升了实用性。
一种预应力钢绞线废线头夹具结构

[实用新型]一种农业用营养土的粉碎装置-CN202020487171.2有效
发明人： 马坤华;郭金鑫 -专利权人： 马坤华
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种农业用营养土的粉碎装置，包括装置框体、粉碎箱、盛料盒、固定管，固定管树立在装置框体内，粉碎箱固定在装置框体上；所述装置框体内底部树立有挡板，挡板上支撑有支撑架。二号电机开启，二号电机通过旋转杆带动齿轮转动的同时也将会通过皮带带动传输带进行开启。粉碎轮将其营养土进行粉碎掉入装置框体中的滤网上，衔接框上的振动电机开启振动，从而迫使其衔接框通过压缩弹簧在滑竿上垂直振动，较小的颗粒将会掉入盛料盒中，而较大的则会掉入装置框体内的挡板一侧，一号电机开启，一号电机带动螺旋杆进行旋转，可将其大颗粒的营养土通过出料管排至传输带中，最后通过传输带的运输重新进入到粉碎箱中，二次粉碎。
一种农业营养粉碎装置

[实用新型]一种农业废料回收用秸秆破碎装置-CN202020692597.1有效
发明人： 马坤华;王伟芳 -专利权人： 马坤华
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： A01F29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种农业废料回收用秸秆破碎装置，包括箱体，所述箱体的顶部外壁开有开口，且开口的内壁设置有进料斗，所述箱体的一侧外壁设置有保护壳，且保护壳的一侧内壁设置有电机，所述电机的输出轴一端设置有转动杆，且转动杆的两侧外壁均设置有破碎板，所述箱体的一侧外壁设置有鼓风机。本实用新型人们将秸秆通过进料斗加入至箱体内时启动电动推杆，电动推杆带动压板进行横向移动，通过压板可以将堆积在缓冲板上的秸秆压破，从而提高了装置后续对秸秆的破碎效率，同时压板一侧外壁的齿块可以对秸秆进行充分压破，且在电动推杆带动压板回收时连接柱可以带动倒刺将缓冲板上的秸秆带出落入箱体底部进行破碎工作。
一种农业废料回收秸秆破碎装置

[发明专利]一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN201210281409.6有效
发明人：杜江锋;尹江龙;马坤华;张新川;赵子奇;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化镓接触的栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与p型掺杂氮化镓形成肖特基接触，其特征在于，它还包括一层位于氮化镓沟道层和氮化铝成核层之间的p-AlxGayN/n-AlxGayN/……/p-AlxGayN/n-AlxGayN复合缓冲层，简称pn结复合缓冲层，其中p-AlxGayN代表p型掺杂铝镓氮，n-AlxGayN代表n型掺杂铝镓氮，以抑制电子在缓冲层内的输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压。
一种具有纵向复合缓冲氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201210341509.3有效
发明人：杜江锋;赵子奇;马坤华;尹江龙;张新川;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成的源极，漏极和栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，在氮化镓（GaN）沟道层和氮化铝（AlN）成核层之间还设有横向p-n结复合缓冲层以抑制缓冲层内的载流子输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压与输出功率。
一种具有横向复合缓冲结构氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201210324418.9有效
发明人：杜江峰;赵子奇;尹江龙;张新川;马坤华;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，该氮化镓基异质结场效应晶体管还包括与衬底接触的背电极。本发明中的背电极通过调制器件缓冲层电势分布，增大二维电子气沟道与P型铝铟镓氮缓冲层之间的电势差，使沟道二维电子气与缓冲层内P型杂质达到完全耗尽，从而使器件沟道电场分布更加均匀，提升器件的击穿电压。
一种具有电极结构氮化镓基异质结场效应晶体管