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[发明专利]一种高效激发NV色心的固态磁强计及其制备方法-CN202310377173.4在审
发明人： 尚正国;袁仁鹏;曾森;刘妍婧 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效激发NV色心的固态磁强计及其制备方法，属于固态磁强计的制备技术领域。本发明的固态磁强计采用可调焦菲涅尔波带片S1代替传统的物镜，以实现激发激光的准直聚焦，其焦距可通过电控调节；同时在具有NV色心的金刚石的表面制作超表结构S3，以实现微波能量的进一步集中；另外通过M/NEMS方法在金刚石侧壁形成斜面，同时镀以复合膜系结构，在实现荧光高反射的同时，对高反射膜进行有效保护。因此本发明的高效激发NV色心的固态磁强计中的NV色心在激光和磁场双重作用下，实现荧光高效激发、收集的微结构，从而克服目前NV色心磁强计体积大、集成度低及效率低的问题。
一种高效激发 nv 色心固态磁强计及其制备方法

[发明专利]一种基于NV色心的荧光高效收集固态磁强计及其制备方法-CN202310378953.0在审
发明人： 尚正国;袁仁鹏;曾森;刘婧妍 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于NV色心的荧光高效收集固态磁强计及其制备方法，属于固态磁强计的制备技术领域。本发明固态磁强计是在M/NEMS工艺基础上，引入超表结构透镜以实现激光的准直聚焦，利用N型100硅晶面各向异性湿法腐蚀的特性，结合ALD薄膜淀积及倒装焊，实现荧光的高效收集，具有工艺可操作性强，便于批量化等显著优点；同时采用超表结构透镜代替传统的物镜，以实现激发激光的准直聚焦。本发明的固态磁强计通过M/NEMS工艺在N型100硅片上实现硅的各向异性腐蚀，形成荧光反射面，同时镀以复合膜系结构，在实现荧光高反射的同时，对高反射膜进行有效保护。
一种基于 nv 色心荧光高效收集固态磁强计及其制备方法

[发明专利]一种基于种子层结构的高性能氮化铝钪的制备方法及其产品-CN202010469592.7在审
发明人： 尚正国;陈宇昕 -专利权人：重庆大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于种子层结构的高性能氮化铝钪的制备方法及其产品，属于微光机电系统技术领域。本发明采用物理气相沉积或化学气相沉积或脉冲激光沉积或分子束外延法依次在衬底层上生长种子层、氮化铝钪压电层，通过在引入的种子层上生长氮化铝钪压电层，能达到减小层间晶格失配、提高氮化铝钪晶体生长质量以及减小薄膜应力的目的；同时采用物理气相沉积、化学气相沉积、脉冲激光沉积或分子束外延的方法生长氮化铝钪压电层，通过调节生长工艺，能够进一步获得晶体生长质量优良、应力较低、具有高压电系数的高性能氮化铝钪。
一种基于种子结构性能氮化制备方法及其产品

[发明专利]一种适用于压电薄膜d33压电应变常数测量的结构及其制备工艺-CN201911314162.1在审
发明人： 尚正国;陈宇昕 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于压电薄膜d33压电应变常数测量的结构及其制备工艺，属于微光机电系统技术领域。该结构为采用脉冲直流反应磁控溅射的方式制备的压电薄膜结构，该结构包括有衬底低阻硅、下电极层、背部电极层、氮化铝压电薄膜层和上电极层；下电极层采用与硅和氮化铝晶格系数相失配度较小的金属材料进行制备，上电极层采用导电性良好、成本低的金属。与传统方法在普通硅片或氧化硅上制备的结构相比，本发明新的测试结构在测试时，衬底低阻硅是导电材料，电荷信号可直接通过衬底低阻硅引出，因此仅需一步光刻和湿法腐蚀，大大简化了测试结构的制作工艺，同时避免了由光刻和刻蚀步骤中使用的显影液、刻蚀气体对压电薄膜及电极带来的损伤，大幅提升样品良率。
一种适用于压电薄膜 d33 应变常数测量结构及其制备工艺

[发明专利]一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构-CN201911266969.2在审
发明人： 尚正国;陈宇昕 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构，属于机电技术领域。该结构从下到上依次包括：硅衬底、粘附层、下电极层、氮化铝种子层、低掺钪浓度氮化铝钪种子层和高掺钪浓度氮化铝钪压电层。以该结构为核心制备技术生长的高掺钪浓度氮化铝钪压电薄膜，具有良好的晶体生长质量、较低的应力以及较高的压电系数，以此为基础制备的压电薄膜器件具有良好的性能；而且，采用多层种子层以减小层间晶格适配，提高氮化铝钪晶体生长质量以及减小薄膜应力。
一种用于高掺钪浓度氮化生长结构

[发明专利]一种基于铁电栅介质和CdSe纳米线的光电晶体管-CN201710523329.X有效
发明人：金伟锋;王婧文;牟笑静;尚正国 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于微纳光电探测器领域，具体涉及一种基于PZT铁电薄膜栅介质的CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法。该器件为背栅结构，主要包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质和衬底。其中，沟道材料为In掺杂的CdSe纳米线，栅极为金属或SrRuO₃，栅介质为PZT铁电薄膜，衬底为SiO₂/Si或SrTiO₃基片。相比之前CdSe纳米线光电晶体管，本发明具有如下优点：1)PZT铁电薄膜的介电常数远高于SiO₂、HfO₂和Al₂O₃等传统栅介质，提高了栅极对沟道载流子调控能力；2)PZT铁电薄膜可利用剩余极化场强来调控沟道载流子，降低器件功耗；3)PZT铁电薄膜相比有机铁电材料P(VDF‑TrFE)，具有高剩余极化、低矫顽场强、性质稳定且与微电子工艺兼容等优点。
一种铁电栅介质 cdse 纳米光电晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于铁电栅介质和薄层二硫化钼沟道的光电晶体管-CN201710497580.3有效
发明人：金伟锋;牟笑静;尚正国;王婧文 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于微纳半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于铁电栅介质和薄层MoS₂沟道的光电晶体管及其制备方法。该器件包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质、金属焊盘和衬底。源极和漏极为石墨烯，沟道为薄层MoS₂，栅介质为PZT铁电薄膜。相比之前同类器件，本发明具有如下优点：1)PZT铁电薄膜大的介电常数提高了栅极对沟道载流子的调控能力；2)PZT铁电薄膜可以利用其剩余极化场强来调控沟道载流子，降低器件功耗；3)PZT铁电薄膜相比有机铁电材料P(VDF‑TrFE)，具有高剩余极化、低矫顽场强、性质稳定且与微电子工艺兼容等优点；4)石墨烯作为源极和漏极，能增强信号光透过率，提高器件光响应度和增益等性能。
一种基于铁电栅介质薄层二硫化钼沟道光电晶体管

[发明专利]一种微带能量收集器及宽频流体能量收集器-CN201710742796.1在审
发明人：牟笑静;周鸿;尚正国 -专利权人：青岛因菲尼思微电子科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种微带能量收集器，包括流体进口、喷嘴、阻流体、微型腔、微带和流体出口；所述流体进口分别连通于外部和所述喷嘴的进口，所述喷嘴的出口连通于所述微型腔；所述阻流体位于微型腔内部与所述喷嘴的出口对应的位置，当流体经过喷嘴进入微型腔并与阻流体发生作用时产生颤振；所述微带位于微型腔内，其位于阻流体沿着流体流动的方向的一侧并与之保持设定的距离；所述流体出口连通于所述微型腔的内部和外部；所述微带为压电功能薄膜材料。通过采用喷嘴以提高流体的流速，使得减少流体能量收集难度，通过在微型腔的入口添加阻流体，从而使得腔内的流体产生漩涡，带动压电功能薄膜材料发生形变，产生电能。
微型腔喷嘴阻流体微带流体连通功能薄膜材料能量收集器流体出口流体进口流体能量压电流体流动入口添加收集器形变外部漩涡颤振宽频腔内出口进口

[发明专利]一种基于流体能量收集器的气量计-CN201710742797.6在审
发明人：牟笑静;周鸿;尚正国 -专利权人：青岛因菲尼思微电子科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于流体能量收集器的气量计，包括外壳、显示表头、气体进口、气体出口、压力传感器和处理器；压力传感器和显示表头均连接于处理器；还包括微带能量收集器，流体进口分别连通于气体进口和喷嘴的进口，喷嘴的出口连通于微型腔；阻流体位于微型腔内部与喷嘴的出口对应的位置；微带位于微型腔内，其位于阻流体一侧并与之保持设定的距离；流体出口连通于微型腔的内部和气体出口；微带为压电功能薄膜材料；压力传感器至少包括有两个；所述微带为所述压力传感器、处理器和显示表头提供电能。本发明通过采用微带能量收集器为各个用电部件持续提供能量，不需要更换电池，有效节约保养成本。
微带压力传感器微型腔显示表头喷嘴处理器连通能量收集器流体能量气体出口气体进口气量计收集器阻流体功能薄膜材料保养成本持续提供更换电池流体出口流体进口用电部件压电出口节约进口

[发明专利]一种多级耦合结构的振动能量收集器-CN201710742799.5在审
发明人：牟笑静;周鸿;尚正国 -专利权人：青岛因菲尼思微电子科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级耦合结构的振动能量收集器，包括悬臂梁结构，所述悬臂梁结构主要由悬臂梁、质量块和压电层组成，所述压电层从上往下依次包括上电极、压电材料和下电极；所述压电层设于所述悬臂梁的表面，所述质量块连接于所述悬臂梁；所述振动能量收集器至少包括两个悬臂梁结构，每个悬臂梁结构之间相耦合。本发明通过采用悬臂梁多级耦合的连接方式，并使得不同级之间的弹性系数不同，从而拓宽能量收集器的频带范围。
悬臂梁结构悬臂梁振动能量收集器压电层多级耦合结构质量块能量收集器弹性系数多级耦合连接方式压电材料下电极相耦合电极

[发明专利]一种基于宽频能量收集器的实时监控系统-CN201710744915.7在审
发明人：牟笑静;周鸿;尚正国 -专利权人：青岛因菲尼思微电子科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宽频能量收集器的实时监控系统，包括无线传感节点、数据转换器、GPS卫星、地面通信基站、信号塔和接收终端，所述无线传感节点主要由无线传感模块和宽频能量收集器组成；所述宽频能量收集器为所述无线传感模块提供电能，所述无线传感模块无线通讯连接于所述数据转换器，所述数据转换器则通讯连接于所述GPS卫星；GPS卫星通过所述地面通信基站和信号塔通讯连接所述接收终端。本发明通过采用宽频能量收集器作为电能的收集和提供者，可以在一次安装之后长时间使用，克服了电池供电的缺点。
能量收集器宽频无线传感模块数据转换器实时监控系统无线传感节点地面通信接收终端通讯连接信号塔基站无线通讯连接电池供电一次安装

[发明专利]一种基于宽频振动能量收集器的无线传感模块-CN201710744916.1在审
发明人：牟笑静;周鸿;尚正国 -专利权人：青岛因菲尼思微电子科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宽频振动能量收集器的无线传感模块，包括传感器、A/D转换模块、处理器、存储器和无线发射器，所述传感器连接于所述A/D转换模块，所述A/D转换模块、存储器、无线发射器均连接于所述处理器；还包括超级电容和宽频振动能量收集器，所述宽频振动能量收集器的能量输出端连接于所述超级电容的能量输入端，所述超级电容为所述传感器、A/D转换模块、处理器、存储器和无线发射器提供电源。本发明通过采用宽频振动能量收集器收集能量并为各部分提供电能，使得无线传感模块简化成一个微小的功能模块，实现了功能的集成化，降低了应用成本，并可以作为独立的产品进行生产和工作。
振动能量收集器宽频无线传感模块无线发射器超级电容存储器处理器传感器传感器连接能量输出端能量输入端应用成本集成化电源生产

[实用新型]差分双谐振器型声波压力传感器-CN201821170825.8有效
发明人：牟笑静;陈俊霏;窦韶旭;尚正国 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种差分双谐振器型声波压力传感器，其包括衬底1及在其上形成的底电极2，在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室，第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4，第二腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第二谐振器5。本实用新型通过消除了温度波动对谐振器的影响，提高了压力传感器的灵敏度。
底电极谐振器本实用新型声波压力双谐振压电层传感器衬底压力传感器第二腔室第一腔室结构参数温度波动灵敏度腔室密封敞开

[实用新型]双谐振器声波拉伸应变传感器芯片-CN201820905635.X有效
发明人：牟笑静;曹健;窦韶旭;尚正国 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01B17/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其包括第一谐振器和第二谐振器，第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀，构成兰姆波器件；也可以选择在基底层背部不刻蚀，构成声表面波器件。由于两谐振器结构完全相同，故二者感受到的由温度引起的频率漂移相同。第一谐振器的声波传播方向与待测主应变方向垂直，第二谐振器的声波传播方向与待测主应变方向平行，二者感受到的由应变引起的频率漂移相反。本实用新型不仅能够消除温度对应变检测的干扰，还能增大应变灵敏度。
谐振器声波传播方向本实用新型传感器芯片主应变方向声波拉伸应变频率漂移基底层双谐振声表面波器件兰姆波器件谐振器结构谐振器区域应变灵敏度垂直放置温度引起应变检测深刻蚀刻蚀平行垂直

[发明专利]硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法-CN201710470903.X有效
发明人： 尚正国;牟笑静 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件层衬底形成空腔，布拉格反射层位于空腔正上方，辅助层作为功能层图形化的辅助层和功能层并列设置在晶种层之上。本发明的谐振器通过布拉格反射层与空腔型结构的有机结合，可最大限度地抑制声波损耗，提高器件的性能。
硅基 scaln 薄膜 ghz 谐振器及其制备方法

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