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[发明专利]开关元件及其制造方法-CN201811309013.1在审
发明人：黑川雄斗;伊藤孝浩;渡边行彦;海老原康裕 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制电场集中并且导通电阻较低的开关元件及其制造方法。一种开关元件的制造方法，其具有：在半导体基板的上表面上形成平行地延伸的多个沟槽的工序；将具有遮挡部和开口部的掩膜，以所述遮挡部和所述开口部沿着各所述沟槽的长边方向被反复地配置在各所述沟槽上的方式而形成的工序；通过经由所述掩膜而向各所述沟槽的底面注入p型杂质，从而形成多个底部p型区域的工序。
开关元件开口部掩膜遮挡制造半导体基板导通电阻电场集中上表面长边底面平行延伸配置

[实用新型]扼流线圈用磁芯-CN201721075058.8有效
发明人：松原州宏;伊藤孝浩 -专利权人：三和无线株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扼流线圈用磁芯，其用于双系统交错式功率因数改善转换器，且能够通过使两个扼流线圈成为一体而实现小型化。上述扼流线圈将卷绕有两个线圈的两处磁芯部分割成多个，从而分别设有三处以上的空隙部。
流线圈用磁芯

[发明专利]半导体装置-CN201510232850.9在审
发明人： 伊藤孝浩;大西徹;山寺秀哉;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体层，其含有Si；阳极电极，其与半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触。阳极电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。
半导体装置

[发明专利]气相生长装置及气相生长方法-CN201180068690.9有效
发明人：小泽隆弘;中嶋健次;全基荣;伊藤孝浩 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。
相生装置方法

[发明专利]半导体膜的气相生长方法-CN201080066784.8在审
发明人： 伊藤孝浩;小泽隆弘;中岛健次;全基荣 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：半导体膜的气相生长方法包括向加热至1200～1400℃的基板的表面从与该表面垂直的方向供应包含氯硅烷气体和载气的混合原料气体的工序。氯硅烷气体的供应量相对基板每1cm2的表面而言为200μmol/分钟以上。载气包含氢气、和从氩气、氙气、氪气以及氖气中选择的至少一种以上的气体。
半导体相生方法

[发明专利]表面处理设备-CN201180016312.6有效
发明人：姜玉雁;稻垣昌英;中岛健次;牧野聪一郎;堀之内成明;伊藤孝浩 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：为了减小在表面处理设备中当表面处理材料流体沿着衬底的表面流动以排出时由于使用过的流体与出口通道的内壁碰撞而引起的紊流。表面处理设备（10）是其中盘状试料保持台（14）设置在构成圆筒状圆周壁的外壳（12）内的设备。设置在外壳（12）的上部中的圆筒状部分（22）构成材料流体供应通道，并且设置在外壳（12）中试料保持台（14）的横向侧上并随着气远离圆筒状部分（22）而扩展成形的通道构成流体排出通道（24）。流体排出通道（24）采用抛物线曲线等，其中，试料保持台（14）的最外圆周的上端的位置定义为焦点位置，并且与焦点位置对称的出口的上端的位置定义为基准位置。
表面处理设备

[发明专利]车辆-CN201080061625.9有效
发明人：益田智员;伊藤孝浩 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆（100），能够进行外部充电，所述外部充电是使用来自外部电源（500）的电力进行充电，所述车辆具有：HV-ECU（300），其用于在车辆（100）运行时和进行外部充电时的任一时都控制蓄电装置（111）；PLG-ECU（350），其用于在进行外部充电时控制充电装置（200）。通过做成这样的结构，能够在防止用于控制车辆的运行的HV-ECU（300）和用于进行外部充电的PLG-ECU（350）的功能重复的同时，进行行驶控制和充电控制。
车辆

[发明专利]电动车辆的电源系统-CN200980160817.2有效
发明人：上地健介;益田智员;植尾大辅;伊藤孝浩 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：外部充电用的PLG-ECU(82)构成为：与车辆行驶用的HC-ECU(80)分别设置，也能够控制外部充电继电器RL1、RL2的接通断开。进而，在外部充电时将充电器(10)的输出电压变换为辅机系统电压(Vs)的副DC/DC转换器(115)，与车辆行驶时使用的大容量的主DC/DC转换器(60)分别设置。在外部充电时，不启动车辆行驶系统，能够由PLG-ECU(82)执行外部充电，并且能够由副DC/DC转换器(115)产生辅机系统电压(Vs)。进而，将系统主继电器SMR1、SMR2维持为断开而执行外部充电，因此不会对后端的构成设备施加高电压(主电池的输出电压)。其结果，能够不对车辆行驶系统的构成部件的耐久性和寿命产生影响地对主电池(10)进行外部充电。
电动车辆电源系统

[发明专利]具有带反射部件的导光板的面光源装置-CN201080013831.2无效
发明人：曾根尚也;伊藤孝浩;小林信之;四宫时彦 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;夏普株式会社
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：在导光板的混色区域(R1)的入光端面的两端，以包围LED的方式形成白色高反射层(101)。或者，在导光板的混色区域(R1)的入光端面的两端，在以与导光板相同的材料延伸并以包围LED的方式伸出的伸出部分(102)的终端形成白色高反射层(103)。或者，在导光板的混色区域(R1)的入光端面的两端，在以与导光板相同的材料延伸并以包围LED的方式伸出的伸出部分(104)的终端形成由金属薄膜例如银(Ag)或铝(Al)构成的镜面高反射层(105)。
具有反射部件导光板光源装置

[发明专利]具有分离的混色部件和有效部件的面光源装置-CN201080013826.1无效
发明人：曾根尚也;伊藤孝浩;小林信之;花咲公一;四宫时彦 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;夏普株式会社
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：通过将一个以上的作为一次光源的LED(311)、…和引导来自LED(311)、…的一次光并进行混色或使得亮度均匀的混色部件(R1(411))、…分配给各调光区域来构成混色部(R1)。从混色部件接收二次光并出射的有效部件(R2)覆盖混色部件的全体。LED(311)、…和混色部件(R1(411))是彼此非重叠的。
具有分离部件有效光源装置

[发明专利]混合动力车辆-CN200880132476.3有效
发明人： 伊藤孝浩;釜贺隆市 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： B60W10/00 文献下载
摘要：开关(82)，在不执行手动操作时，通过将控制线(81)电连接于第一节点(85)，将控制线(81)的电压电平设定为与第一电压对应的第一电平。在执行手动操作的期间，开关(82)通过将控制线(81)电连接于第二节点(84)，将控制线(81)的电压电平设定为与第二电压对应的第二电平。ECU(30)基于控制线(81)的电压电平的从第一电平向第二电平的变化以及控制线(81)的电压电平的从第二电平向第一电平的变化，将具有第一和第二动力源的混合动力车辆(1000)的行驶模式在优先将第一动力源用于混合动力车辆(1000)的行驶的第一模式以及优先将第二动力源用于所述混合动力车辆(1000)的行驶的第二模式之间切换。
混合动力车辆

[发明专利]成膜设备以及成膜方法-CN200980148378.3有效
发明人： 伊藤孝浩;中岛健次 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供能够抑制由副产品气体引起的成膜速度的下降的成膜设备以及成膜方法。成膜设备用于在晶片的表面上形成膜，并具有：腔室，在所述腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。
设备以及方法

[发明专利]车辆的充电控制装置以及车辆-CN200880124439.8无效
发明人： 伊藤孝浩;釜贺隆市;井上侑起;唐见昌宏 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：EVSE控制装置(334)生成导频信号(CPLT)并向车辆发送。电阻电路(502)与传送导频信号(CPLT)的控制导频线(L1)连接，被构成为能够根据车辆的状态将导频信号(CPLT)的电位降低到规定的电位。下拉电阻(R4)和开关(SW2)在控制导频线(L1)与接地线(L2)之间串联连接。CPU(508)在检测出导频信号(CPLT)的异常时接通开关(SW2)。
车辆充电控制装置以及

[发明专利]吡唑-3-基-苯甲酰胺衍生物的制造方法-CN200880108930.1无效
发明人：浅川坚一;泽田直隆;钓谷孝之;伊藤孝浩;间濑俊明;高桥启治;徐风;吉川直树 -专利权人：万有制药株式会社;默沙东公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明提供作为药物有用的下式所表示的吡唑-3-基-苯甲酰胺衍生物的高效的工业制造方法。(式中，R²、R³及R⁴分别独立地表示低级烷基)
吡唑甲酰胺衍生物制造方法

[发明专利]4(3H)－喹唑啉酮衍生物的制造方法-CN200680024641.4无效
发明人：泽田直隆;钓谷孝之;佐藤公彦;伊藤孝浩;赤尾淳史;门胁千惠;饭田刚彦;安田修祥;间瀬俊明 -专利权人：万有制药株式会社;默克公司
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C07D403/12 文献下载
摘要：本发明涉及2－甲基－3－{4－[3－(1－吡咯烷基)丙氧基]苯基}－5－三氟甲基－4(3H)－喹唑啉酮的制造方法，该制造方法包括在乙酸系催化剂的存在下使2－甲基－5－三氟甲基－4H－3，1－苯并噁嗪－4－酮与4－[3－(1－吡咯烷基)丙氧基]苯胺或其酸加成盐、或者4－(1－环丁基－4－哌啶基)氧代苯胺或其酸加成盐反应的工序。
喹唑啉酮衍生物制造方法

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