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[发明专利]基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理装置-CN201280069666.1有效
发明人：梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方式，一种基板处理模块包括：下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中形成有一通道，以引入基板；多个承座，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕预设中心被固定地且周向地布置，使得在处理期间相应的基板能够被放置在这多个承座上；旋转构件，该旋转构件被布置在所述预设中心处，从而能够绕所述预设中心旋转；多个保持件，这多个保持件均连接至所述旋转构件从而与所述旋转构件一起旋转，其中每个保持件都具有供放置相应的基板的至少一个安置表面；以及驱动模块，该驱动模块连接至所述旋转构件，从而驱动所述旋转构件并且将这些保持件中的一个保持件移动到对应于所述通道的输送位置。
处理模块以及包含装置

[发明专利]包括处理单元的基板处理装置-CN201280065485.1有效
发明人：梁日光;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明一实施方案，用于对基板进行工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部敞开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于封闭下部腔室中敞开的上部，并提供实现工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板进行工艺的工艺位置；气体供应单元，其向工艺空间供应反应性气体；以及处理单元，其设置在外部反应管的外侧，并使反应性气体活性化而对基板进行工艺。
包括处理单元装置

[发明专利]具有冷却系统的喷头及具备该喷头的基板处理装置-CN201280065269.7有效
发明人：梁日光;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明的一实施方案，所述基板处理装置包括：腔室主体，其上部打开，并提供实现对基板的工艺的内部空间；腔室盖，其设置在所述腔室主体的上部，并用于关闭所述腔室主体的上部；以及喷头，其设置在所述腔室盖的下部，并用于向所述内部空间供应反应气体，其中所述喷头具备：凸缘，其与所述腔室盖接触，并具有从上部表面凹陷的、且制冷剂在内部流动的通道；以及平板，其位于所述凸缘的内侧，并具有在其厚度方向形成的、用于喷射所述反应气体的一个以上的喷射孔。
具有冷却系统喷头具备处理装置

[发明专利]供应具有相位差的反应性气体的基板处理装置-CN201280056552.3有效
发明人：梁日光;诸成泰;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明一实施方案，用于实现对基板的工艺的基板处理装置包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在所述基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板实现所述工艺的工艺位置；以及气体供应单元，其设置在所述外部反应管的内部，并用于向所述工艺空间供应反应性气体，且形成沿着上下方向具有各不相同的相位差的所述反应性气体的流动。
供应具有相位差反应性气处理装置

[发明专利]包括辅助气体供应端口的基板处理装置-CN201280056768.X有效
发明人：梁日光;诸成泰;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。
包括辅助气体供应端口处理装置

[发明专利]具备半圆形天线的基板处理装置-CN201180048253.0有效
发明人：诸成泰;梁日光;宋炳奎;朴松焕 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，基板处理装置具备：用于实行基板加工的腔体;设置在所述腔体的内部并用于放置所述基板的基板支撑台;以及设置在所述腔体上部且用于在所述腔体内部形成电场（electricfield）的天线，所述天线具备以已设定的中心线为基准对称配置的第一天线和第二天线，所述第一天线具备：分别具有第一半径和第二半径且以已设定的中心线为基准分别位于一侧和另一侧的半圆形的第一内侧天线和第一中间天线；连接所述第一内侧天线和所述第一中间天线的第一连接天线，所述第二天线具备：分别具有所述第一半径和第二半径且以所述中心线为基准分别位于一侧和另一侧的半圆形的第二中间天线和第二内侧天线；连接所述第二中间天线和所述第二内侧天线的第二连接天线。
具备半圆形天线处理装置

[发明专利]通过对称型流入口和流出口供给反应气体的基板处理装置-CN201180048251.1无效
发明人：诸成泰;梁日光;宋炳奎;朴松焕 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，基板处理装置具备：用于实行基板加工的腔体；设置在所述腔体的内部并用于放置所述基板的基板支撑台；以及通过使流入口和流出口相对称而形成的喷头，所述流入口用于向所述腔体的内部供给反应气体，所述流出口用于排出供给至所述腔体内部的所述反应气体，所述反应气体在所述腔体内部沿着大体平行于所述基板的方向流动。
通过对称流入流出口供反应气体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体天线-CN200980143879.2有效
发明人：禹相浩;梁日光;宋炳奎 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方式，一种等离子体处理装置包括：腔室，其被设置为提供用于执行针对要处理的对象的工艺的内部空间；天线，其被设置为覆盖该腔室的侧部，该天线在内部空间中形成电场以从被提供到内部空间中的源气体产生等离子体。该天线包括：螺旋天线，其被设置为沿第一旋转方向从该腔室的一侧朝向该腔室的另一侧的螺旋形状，该螺旋天线具有沿第一旋转方向流动的电流；延长天线，其连接到该螺旋天线的设置在该腔室的一侧的一端，该延长天线具有沿第一旋转方向的相反方向流动的电流；以及连接天线，其将延长天线连接到螺旋天线。
等离子体处理装置天线

[发明专利]排出单元、使用该排出单元的排出方法以及包括该排出单元的基底制程装置-CN200880113502.8有效
发明人：尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勋 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部中间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部。所述排出单元包括：一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有第二排出孔。所述第一排出板排布在一个支撑构件的外侧，而第二排出板排布在第一排出板下方，且大致平行于第一排出板。所述排出单元还包括：第一覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第一排出孔；以及第二覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第二排出孔。
排出单元使用方法以及包括基底装置

[发明专利]喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法-CN200880113503.2有效
发明人：尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接。一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。该喷淋头还包括：一个第三环状件，其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中；以及一个第四环状件，其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口中。该第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口，且该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。
喷淋包括基底装置以及使用等离子体供应方法

[发明专利]基底制程装置-CN200880113565.3有效
发明人：尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。所述引导管被配置为柱面的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施，且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。
基底装置

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