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[发明专利]处理腔室及基板处理装置-CN201380041764.9有效
发明人： 尹松根;李种华;高赫俊;李障赫 -专利权人： ZENSM有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及处理腔室及基板处理装置，本发明实施形态的处理腔室，包括晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，其上升所述晶舟来位于其内部空间，在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部；晶舟升降手段，其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部；基板移送闸门，其贯通所述腔室外壳的一侧壁。另外，本发明实施形态的基板处理装置，包括处理腔室，其具有间隔层叠多个基板的晶舟，其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部；负载锁定腔室，其在真空状态变化为大气状态，或在大气状态变化为真空状态；移送腔室，其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室，将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。
处理装置

[发明专利]基板加热装置及处理腔室-CN201380041765.3在审
发明人： 尹松根;李种华;高赫俊;李障赫 -专利权人：新意技术股份有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及具有基板加热装置的处理腔室，本发明实施形态的基板加热装置，根据处理腔室的加热装置，包括：第一加热体，其在所述晶舟下部产生热来加热基板，其中处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，所述晶舟位于其内部空间，通过内部侧壁将工序气体流到在晶舟间隔层叠的基板之间。还有，所述晶舟，上部面板；下部面板；多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板；多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。
加热装置处理

[发明专利]排出单元、使用该排出单元的排出方法以及包括该排出单元的基底制程装置-CN200880113502.8有效
发明人： 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勋 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部中间中相对于一个基底实施一个制程；以及一个排出单元，其用于将内部空间中的物质排出到外部。所述排出单元包括：一个第一排出板，其位于物质的排出路径的上游，该第一排出板具有第一排出孔；以及一个第二排出板，其位于排出路径的下游，该第一排出板具有第二排出孔。所述第一排出板排布在一个支撑构件的外侧，而第二排出板排布在第一排出板下方，且大致平行于第一排出板。所述排出单元还包括：第一覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第一排出孔；以及第二覆盖物，其用于选择性地打开和封闭所述第二排出孔。
排出单元使用方法以及包括基底装置

[发明专利]喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法-CN200880113503.2有效
发明人： 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种喷淋头，包括：一个第一环状件，其具有一个在其内形成的内部喷口；一个第二环状件，其被配置为围绕第一环状件，该第二环状件排布在第一环状件的外侧，使得第二环状件与第一环状件间隔开；以及一个连接构件，其用于将第一环状件和第二环状件互相连接。一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。该喷淋头还包括：一个第三环状件，其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中；以及一个第四环状件，其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口中。该第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口，且该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。
喷淋包括基底装置以及使用等离子体供应方法

[发明专利]基底制程装置-CN200880113565.3有效
发明人： 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。所述引导管被配置为柱面的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施，且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。
基底装置