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[实用新型]一种车用级压接功率模块-CN202222166791.8有效
发明人：王佳柱;姚礼军 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率模块技术领域，具体涉及一种车用级压接功率模块，包括，散热基板，散热基板上设有散热孔；外壳，与散热基板连接，外壳与散热基板形成一容纳腔，容纳腔内设有：绝缘基板，设于散热基板上，绝缘基板上设有功率芯片和插接信号端子，功率芯片与绝缘基板的导电层键合连接；绝缘基板上还设有热敏电阻，热敏电阻与绝缘基板的导电层连接；功率端子，功率端子的引脚伸入容纳腔内连接绝缘基板的导电层，本实用新型提高功率端子以及插接信号端子和绝缘基板连接的可靠性，在保证电流等级的前提下缩减模块体积，提高模块集成度，增强模块散热能力。
一种车用级压接功率模块

[发明专利]一种信号端子及功率模块封装结构-CN202211573887.4在审
发明人：陈明晔;马伟力 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号端子及功率模块封装结构，包括：伸出部分、中间部分、缓冲部分及端子脚；所述伸出部分与所述中间部分之间设置有折弯槽，所述缓冲部分为S型板，所述S型板的一端与所述中间部分相连接，所述S型板的另一端与所述端子脚相连接。该信号端子设计有S型板作为缓冲部分，缓冲部分的设计使得该信号端子及功率模块封装结构具有缓冲功能，避免了信号端子与直接键合铜之间的端子脱落的问题。
一种信号端子功率模块封装结构

[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202211166305.0有效
发明人：盛况;任娜;冉飞荣;沈华;刘志红 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心;浙江大学;嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法，包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层，外延层设置在衬底层的一端面，衬底层的另一端面设置有漏极电极层，栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面，且每组栅氧结构上设置有第一隔离层，每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构，且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层，注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层，第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面，外延层上还设置有第二隔离层，栅极电极层设置在第二隔离层上，本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。
一种 sic mosfet 器件及其制备方法

[实用新型]一种水冷散热器基板-CN202221822755.6有效
发明人：郑松林;姚礼军;陈烨 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水冷散热器基板，包括：一基板主体，基板主体内部中空形成一腔体，基板主体的上表面设有一散热面，沿基板主体的宽度方向的一侧分别设有一进液口和一出液口；多个散热翅片，每个散热翅片沿基板主体的长度方向设置于腔体内且垂直于散热面，相邻两散热翅片之间具有一空隙冷却液通过进液口流入腔体的各空隙内，并经由出液口流出形成冷却回路。有益效果是本实用新型中的水冷散热器基板于基板主体内设置多个散热翅片，冷却液在散热翅片之间的空隙内循环流动，大大增加了与冷却液的接触面积，冷却液在空隙内分布均匀，散热效果优异。
一种水冷散热器

[实用新型]一种通过键合铝带结合的半导体功率模块-CN202220667900.1有效
发明人：张海鹏 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供一种通过键合铝带结合的半导体功率模块，至少两个金属化陶瓷衬底，每个金属化陶瓷衬底的阳极分别连接有半导体芯片；金属化陶瓷衬底之间通过至少一个键合铝带进行结合。采用铝带键合工艺来替代铝线工艺，可获得更好的抗热膨胀应力及抗过电流能力，降低产品的整体厚度，更为牢靠，杜绝了虚焊，焊接不牢等情况的发生，接触电阻及热阻也明显降低，在一定程度降低半导体功率模块产热的同时，亦可增加模块的散热能力，有利于提高产品的高温可靠性。
一种通过键合铝带结合半导体功率模块

[实用新型]一种半导体芯片用双面直接水冷模块-CN202123271741.8有效
发明人：孙静;姚礼军 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体芯片用双面直接水冷模块，属于电力电子领域，如下：第一直接水冷针翅基板；第一绝缘基板，设置于所述第一直接水冷针翅基板的下方；第二绝缘基板，与所述第一绝缘基板间隔设定距离平行设置；所述第二绝缘基板的左侧连接一功率端子，右侧连接一控制端子；第二直接水冷针翅基板，设置于所述第二绝缘基板的下方；半导体芯片和导电连接块，设置于所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间；环氧塑封体，包覆所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的所有器件。有益效果：提高了模块的散热能力，简化了模块的安装方式，解决了模块安装适配问题。
一种半导体芯片双面直接水冷模块

[实用新型]一种具有金属连接框架的功率模块-CN202122871011.5有效
发明人：张亦哲;陆岩 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有金属连接框架的功率模块，包括：覆铜陶瓷基板、若干设于所述覆铜陶瓷基板上的双面可焊接的芯片、连接若干所述芯片的金属键合线、连接若干所述芯片和/或连接所述芯片与所述覆铜陶瓷基板的金属连接框架。本实用新型的采用金属连接框架替代部分金属线键合的半导体功率模块不仅可以保证模块的可靠性能，而且可以提高模块的生产效率。
一种具有金属连接框架功率模块

[外观设计]车用功率模块（高集成度）-CN202230127001.8有效
发明人：胡佳佳;张根成;姚礼军 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：车用功率模块（高集成度）。2.本外观设计产品的用途：用于电子零部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
用功模块集成度

[实用新型]一种功率半导体模块-CN202122871024.2有效
发明人：马伟力 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体模块，包括：外壳以及与外壳相连接的功率半导体模块主体，功率半导体模块主体至少包括功率端子和信号端子；其中，外壳的表面向第一方向延伸形成多个凸块，每两相邻的凸块之间具有间距，每一凸块上均开设有供功率端子穿过的第一孔；外壳的表面还开设有供信号端子穿过的第二孔；外壳正对于功率端子的安装位置处开设有安装孔。本实用新型可以在宽度为60—65mm封装的功率半导体模块中制作电路，相较于目前使用的封装结构，其具有工艺方便、制作耗时短、性能强、寿命长等优势，有效提高了模块集成度。
一种功率半导体模块

[实用新型]一种带式锡片矫平装置-CN202123248857.X有效
发明人：程幸农;王稳 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B21D1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带式锡片矫平装置，第二安装板安装于第一安装板，第二安装板上安装支撑和矫辊调节装置；支撑和矫辊调节装置上安装若干上矫辊，第二安装板的一端安装上涨紧轮，第二安装板的另一端安装上驱动轮；上柔性环带依次包覆上涨紧轮、若干上矫辊、上驱动轮。第二安装板上安装若干下矫辊，第二安装板的一端安装下涨紧轮，第二安装板的另一端安装下驱动轮；下柔性环带依次包覆下涨紧轮、若干下矫辊、下驱动轮；上柔性环带的下表面与下柔性环带的上表面之间形成供锡片通过的通道。本实用新型中把不平整的锡片夹在上下柔性带之间通过上下矫辊作用区域，使锡片与柔性环带一起产生交变弯曲变形，弯曲程度从大到小逐步趋于零，得到平整的锡片。
一种带式锡片矫平装

[外观设计]半导体模块装置（变频器用高集成）-CN202130529412.5有效
发明人：沈莉 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体模块装置（变频器用高集成）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品是搭载有功率半导体元件的半导体模块。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
半导体模块装置变频器用集成

[外观设计]无基板半导体芯片（小功率）-CN202130529421.4有效
发明人：杨黎丽 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：无基板半导体芯片（小功率）。2.本外观设计产品的用途：用于电子设备上的半导体芯片。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
无基板半导体芯片功率

[外观设计]功率半导体模块（黑色C6系列）-CN202130529405.5有效
发明人：俞一豪 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：功率半导体模块（黑色C6系列）。2.本外观设计产品的用途：用于电子零部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
功率半导体模块黑色 c6 系列

[外观设计]功率半导体模块（黑色C5系列）-CN202130529397.4有效
发明人：俞一豪 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：功率半导体模块（黑色C5系列）。2.本外观设计产品的用途：用于电子零部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
功率半导体模块黑色 c5 系列

[实用新型]一种双工作模式碳化硅功率器件结构-CN202121622505.3有效
发明人：汤艺;沈华 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双工作模式碳化硅功率器件结构，该功率器件结构包括Bipolar部分及MOSFET部分，其具体包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，N型衬底的顶部设置有P‑base区，P‑base区上通过沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；P‑base区内设置有若干N+注入区和P+注入区，P‑base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，该功率器件结构的制作包括生长外延层、生长场氧化层等步骤，工艺流程和普通碳化硅MOSFET的流程兼容，不需要增加新步骤。
一种双工模式碳化硅功率器件结构