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[实用新型]一种三钩双活塞起吊装置-CN201821799362.1有效
发明人：唐晓锋;唐晓莉 -专利权人：金华市熙和环保科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B66C1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种吊起垃圾箱的三钩双活塞起吊装置，该起吊装置包括吊头、上连接板、外壳、左执行器、连接件、右执行器、左钩、中钩、右钩，所述吊头安装在上连接板上方，左执行器、连接件、右执行器安装在上连接板下方，左钩与左执行器铰接，中钩与连接件铰接，右钩与右执行器铰接，外壳固定安装在上连接板下端。本实用新型具有如下优点：1.稳定性高，采用液压执行部件，能够承受箱门较大的力；2.适应性强，能够与多种起吊设备配合安装；3.结构合理，通过增加执行部件实现在吊起垃圾箱的同时实现箱门的开合。
上连接板起吊装置连接件铰接本实用新型双活塞垃圾箱吊起吊头箱门右钩左钩液压执行部件配合安装起吊设备外壳固定开合下端

[发明专利]一种基于各向异性磁电阻的压控存储单元及其实现方法-CN201910106493.X在审
发明人： 唐晓莉;刘梦丽;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种基于各向异性磁电阻的压控存储单元及其实现方法，属于磁存储领域。所述压控存储单元包括四层结构，自下而上依次为底电极、压电基片、磁性薄膜层和顶电极，在底电极和顶电极之间施加电压，压电基片产生应力并通过磁性薄膜磁致伸缩效应实现对磁矩方向的改变，进而在磁性薄膜中获得高、低阻态，实现磁存储。本发明通过在存储单元的基片上施加或不施加电压实现信息“1”、“0”的存储，存储单元磁矩的翻转无需外加磁场，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。
存储单元各向异性磁电阻磁性薄膜施加电压压电基片磁存储底电极顶电极磁矩磁致伸缩效应磁性薄膜层工艺难度四层结构外加磁场低功耗低阻态翻转存储施加

[发明专利]一种基于自旋泵浦效应的微波功率探测器及其制备方法-CN201710322407.X有效
发明人：金立川;张怀武;饶毅恒;钟智勇;唐晓莉;杨青慧;文岐业;李颉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01R21/08 文献下载
摘要：本发明涉及微波电子设备技术领域，提供一种基于自旋泵浦效应的微波功率探测器及其制备方法，该基于自旋泵浦效应的微波功率探测器包括微纳尺度器件，该微纳尺度器件包括由磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，非磁性重金属薄膜层是在磁性薄膜层上生长所得；微纳尺度器件的磁性薄膜层磁矩在微波激励下发生铁磁共振拉莫尔进动，自旋泵浦产生自旋流注入到非磁性重金属薄膜层中，在逆自旋霍尔电压的测试过程中，逆自旋霍尔电压的磁场积分数值与微波功率的数值满足一定线性关系，该探测器结构简单，降低探测器制作成本，测试频率范围宽，测试微波功率的线性度高，应用范围广。
一种基于自旋效应微波功率探测器及其制备方法

[发明专利]自卸式子母垃圾箱-CN201910103542.4在审
发明人：唐晓锋;唐晓莉 -专利权人：金华市熙和环保科技有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B65F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种自卸式子母垃圾箱，包括子箱、母箱、智能控制电路和杀菌装置，其中，子箱为收纳箱，母箱为储存箱，子箱的底部与母箱的顶部固定连接在一起；子箱的垃圾出口与母箱的垃圾进口相配合，在母箱底部的垃圾卸料口处设有可活动的挡料板；在母箱上设有吊点结构；在所述的子箱上的垃圾入口处设有活动盖；在自卸式子母垃圾箱上设有驱动挡料板运动的驱动装置；所述的智能控制电路包括主控制板、垃圾容量传感器、数据传输电路、电源电路、报警电路；所述的杀菌装置包括紫外线杀菌器和臭氧发生器中的一种或二种。本发明具有储存垃圾容量大，可对垃圾箱中的垃圾进行杀菌消毒处理，在对垃圾的收集处理过程中省时省力，成本低，效率高的特点。
母箱子箱垃圾箱自卸智能控制电路垃圾容量杀菌装置挡料板垃圾数据传输电路紫外线杀菌器臭氧发生器垃圾入口处报警电路电源电路垃圾出口垃圾进口驱动装置杀菌消毒收集处理主控制板储存箱活动盖可活动收纳箱卸料口传感器吊点省时省力储存驱动配合

[发明专利]一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法-CN201811308918.7在审
发明人：金立川;何昱杰;张岱南;贾侃成;张怀武;唐晓莉;钟智勇;白飞明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]_n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。本发明提供的一种电压可调控的各向异性磁阻传感器在实现良好的传感特性的同时，还具有磁场探测范围和磁电阻变化率同时可调的特性，可广泛应用于转速控制、角度控制、磁场探测和磁开关等智能控制领域。
各向异性磁阻传感器可调控磁场探测制备传感器技术领域磁电阻变化率智能控制领域磁阻传感器非磁性金属传感特性磁性响应多层薄膜角度控制氧化薄膜转速控制自旋电子磁开关调控层非磁性可调的重金属薄膜应用

[发明专利]一种Li基低介低损耗LTCC材料及其制备方法-CN201610405387.8有效
发明人：苏桦;赖元明;唐晓莉;荆玉兰;张怀武;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Li基低介电常数的LTCC材料及其制备方法。该材料按照Li₂MoSi_1+xO_6+2x(‑0.2≤x≤0.2)化学计量，通过固相反应合成，最终得到包含两相的复合陶瓷，主晶相为菱方晶系的Li₂MoO₄，第二相为六方晶系的SiO₂。其制备方法为以Li₂CO₃，MoO₃及SiO₂为原料，按照配比称取，通过球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等一系列工艺过程，最终得到低介低损耗的Li基LTCC材料。该LTCC材料具有在低温烧结(≤900℃)条件下低介(≤5.0)低损耗(7137～14895GHz)的特征，在LTCC基板及集成器件中具有广阔的应用前景。
一种 li 基低介低损耗 ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料及其制备方法和用途-CN201710321593.5有效
发明人：金立川;张怀武;李明明;饶毅恒;唐晓莉;钟智勇;杨青慧;李颉;廖宇龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料，包括铁磁性基片，所述铁磁性基片采用钇铁石榴石材质基片或镍铁材质基片；以及铋铂合金薄膜，所述铋铂合金薄膜使用铂金靶材上贴高纯铋金属薄片或者铋铂Bi_xPt_100‑x靶材的方式控制铋的含量在2％‑20％之间、采用真空磁控溅射生长于所述铁磁性基片表面而得到的纳米级厚度的铋铂合金薄膜。本发明同时涉及该合金薄膜材料的制备方法和用途。本发明自旋流的产生效率增加了，同时降低了材料成本。
合金薄膜材料铁磁性基片铂合金自旋薄膜霍尔效应靶材制备真空磁控溅射钇铁石榴石材料成本方式控制金属薄片效率增加高纯铋纳米级铂金镍铁生长

[发明专利]具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途-CN201710329753.0有效
发明人：金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;唐晓莉;钟智勇;白飞明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：具有室温铁磁性的稀磁半导体材料，包括一锗基片，一锗缓冲层，所述锗缓冲层生长于所述锗基片的表面，以及一锗铁薄膜，所述锗铁薄膜生长于所述锗缓冲层的表面，所述锗铁薄膜的组分为Ge_1‑xFe_x，且x＝0.02‑0.05。本发明同时提供了该材料的制备方法。本发明得到的锗铁薄膜在室温(20℃)时具有铁磁性，饱和磁化强度4πMs在320‑450Gs范围，且导电性能强，电阻率在10^‑3Ω·cm量级，由于其具有半导体和磁性材料的性质，即可以同时调控电子的电荷和自旋两种自由度，并且在室温下就具有铁磁性，在存储、通讯、计算等诸多领域将有极大的应用前景。
具有室温铁磁性半导体材料及其制备方法用途

[发明专利]一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法-CN201811236407.9在审
发明人：唐伟恒;苏桦;李元勋;陈加旺;唐晓莉 -专利权人：江西国创产业园发展有限公司;江西兴康电子科技有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料及其制造领域，特别涉及一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法；本发明为由Li₂Mg_1‑xZn_xSiO₄(x=0.3‑0.5)内掺杂助溶剂制成；该Li₂Mg_1‑xZn_xSiO₄为按摩尔比为Li₂CO₃：MgO：ZnO:SiO₂=1：1‑x：x：1(x=0.3‑0.5)配制而成；在本发明中，针对Mg₂SiO₄微波介电陶瓷材料在实现低温烧结并维持低介电损耗方面的不足，本发明提供了以Li、Zn共替代及助熔剂掺杂而制备的一种陶瓷材料，使其烧结温度在900℃且介电常数也合格的材料。
陶瓷材料制备低温烧结微波微波介电陶瓷材料电子陶瓷材料掺杂助溶剂低介电损耗低温烧结介电常数烧结助熔剂配制按摩掺杂替代制造

[发明专利]一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法-CN201610170027.4有效
发明人： 唐晓莉;余尤;苏桦;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。
一种线性各向异性磁阻传感器制备方法

[发明专利]一种夹具用工件支撑结构-CN201811162698.1在审
发明人：唐晓锋;唐晓莉 -专利权人：金华市辰星精密机械有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： F15B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种夹具用工件支撑结构，包括主体、上活塞杆、下活塞杆、上活塞、下活塞、锁紧块、活动柱、上缸盖、下缸盖、弹簧；所述上活塞杆、下活塞杆安装在主体的指定位置，上活塞安装在上活塞杆的头部，所述下活塞安装在下活塞杆的头部，所述锁紧块、活动柱、弹簧同心安装在主体内；特色与优势：1.稳定性高，活塞杆和固定件之间通过斜面接触，增加了接触面积，故在连接时使得工件固定更为稳定；2.可靠性高,通过斜面连接，当受到很大的力的时候，活塞杆无法发生转动。
上活塞杆活塞杆夹具下活塞杆支撑结构活动柱上活塞锁紧块下活塞弹簧工件固定同心安装斜面接触斜面连接固定件上缸盖下缸盖转动

[发明专利]一种自偏置的自旋波波导及其制备方法-CN201610770300.7有效
发明人：钟智勇;张怀武;金立川;文天龙;廖宇龙;唐晓莉;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换‑弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。
一种偏置自旋波导及其制备方法

[发明专利]一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法-CN201610142101.1有效
发明人：苏桦;沈洁;张硕;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;刘保元 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚度10nm～500微米，上电极厚度10‑500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm。使用时，将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上，PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好，使用方便；节约能源；中心频率连续可调。
一种非易失性频率可调噪声干扰抑制器及其制备方法

[发明专利]一种NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料及其制备方法-CN201610118951.8有效
发明人：苏桦;杨红星;周振华;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;刘保元 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有高磁导率、高品质因数的NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料及其制备方法。该铁氧体磁屏蔽材料，其主晶相为尖晶石结构，分子结构表达式为Ni0.34‑xZn0.48+xCu0.18Fe1.98O4，其中0＜x≤0.01；主配方由分析纯的原料NiO、ZnO、CuO、Fe2O3按摩尔比(0.34‑x)∶(0.48+x)∶0.18∶0.99构成；掺杂剂为Bi2O3：0.5wt％，Co2O3：0.4wt％和CaCO3：0.04wt％～0.06wt％。该铁氧体磁屏蔽材料在工作频点13.56MHz时起始磁导率195～205，品质因数50～60。预烧温度高于最终的烧结温度，收缩率有较大程度的下降，更好的保证了加工NFC磁片时不容易出现翘曲开裂。生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低。
一种 nfc 手机支付铁氧体屏蔽材料及其制备方法

[实用新型]一种液位监测装置及其超声波液位计的安装底座-CN201820479920.X有效
发明人：黎明;王敬冲;马瑞;张国防;翟向纪;孔亮;吉耀伟;陈国利;张政委;李明;高静;程江涛;田磊;侯鹏;叶二鑫;谢海涛;金瑞峰;张志鹏;任琳琳;唐晓莉 -专利权人：河南华润电力首阳山有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01F23/296 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声波液位计的安装底座，包括用于将超声波液位计固定在蓄水结构上端口的法兰装置和用于使法兰装置与蓄水结构上端口连接的固定装置，法兰装置的中部设有用于固定超声波液位计的安装通孔，法兰装置设有沿厚度方向贯穿的镂空部。本实用新型提供的安装底座设置有镂空部，镂空部起到了流通气体、降低蓄水结构内部与换能器温差的作用。即使处于低温环境中，接触换能器的液体也不易液化成水雾，进而保障了数据监测的准确性。
超声波液位计安装底座法兰装置蓄水结构镂空部本实用新型换能器上端口固定超声波安装通孔低温环境固定装置监测装置流通气体数据监测液位计水雾液化种液温差贯穿