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[实用新型]陶瓷管壳封装功率放大器的内匹配电路-CN202222227221.5有效
发明人： 曾瑞锋;陈志勇;胡蝶;祝超;张振东;李志强;马乐;朱彦青 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种陶瓷管壳封装功率放大器的内匹配电路，包括一同封装在陶瓷管壳内的谐波阻抗、包络阻抗控制网络与所述内匹配功率放大器；所述谐波阻抗、包络阻抗控制网络的第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出内匹配电容或管壳上，第一电感L1的另一端与所述第一电容C1的一端连接，第一电容C1的另一端接地，第二电感L2的一端连接第一电容C1，另一端连接所述第一电阻R1，第一电阻R1的另一端与所述第三电感L3的一端连接，所述第三电感L3的另一端连接所述第二电容C2，所述第二电容C2的另一端接地，在陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器内加入谐波阻抗、包络阻抗控制网络，极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。
陶瓷管壳封装功率放大器匹配电路

[发明专利]降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路-CN202211012719.8在审
发明人：胡蝶;陈志勇;曾瑞锋;谢凌霄;张吕;杨蕊;朱彦青 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，技术要点是：该电路应用于陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器，其特征在于，包括包络阻抗控制网络，所述包络阻抗控制网络包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电感L2以及滤波电容C1，所述第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出电容上，所述第一电感L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电感L2的一端连接，所述第二电感L2的另一端与所述滤波电容C1的一端连接，所述滤波电容C1的另一端接地，以极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。
降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应匹配电路

[实用新型]降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路-CN202222227690.7有效
发明人：胡蝶;陈志勇;曾瑞锋;谢凌霄;张吕;杨蕊;朱彦青 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，技术要点是：该电路应用于陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器，其特征在于，包括包络阻抗控制网络，所述包络阻抗控制网络包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电感L2以及滤波电容C1，所述第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出电容上，所述第一电感L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电感L2的一端连接，所述第二电感L2的另一端与所述滤波电容C1的一端连接，所述滤波电容C1的另一端接地，以极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。
降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应匹配电路

[发明专利]陶瓷管壳封装功率放大器的内匹配电路-CN202211012736.1在审
发明人： 曾瑞锋;陈志勇;胡蝶;祝超;张振东;李志强;朱彦青 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种陶瓷管壳封装功率放大器的内匹配电路，包括一同封装在陶瓷管壳内的谐波阻抗、包络阻抗控制网络与所述内匹配功率放大器；所述谐波阻抗、包络阻抗控制网络的第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出内匹配电容或管壳上，第一电感L1的另一端与所述第一电容C1的一端连接，第一电容C1的另一端接地，第二电感L2的一端连接第一电容C1，另一端连接所述第一电阻R1，第一电阻R1的另一端与所述第三电感L3的一端连接，所述第三电感L3的另一端连接所述第二电容C2，所述第二电容C2的另一端接地，在陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器内加入谐波阻抗、包络阻抗控制网络，极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。
陶瓷管壳封装功率放大器匹配电路

[实用新型]一种新型带胶陶瓷帽的封装结构-CN202120522217.4有效
发明人：陈新宇;曾瑞锋;张振东;陈志勇 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型带胶陶瓷帽的封装结构，该封装结构包括包括陶瓷帽、胶体、多个限位柱；所述陶瓷帽为一个顶面开口的空腔长方体结构，所述陶瓷帽的侧边为双层空心结构，且空心腔厚度相同；所述多个限位柱卡入空心腔中，且限位柱的底面与空心腔的底面相贴合，多个限位柱的高度低于陶瓷帽的侧边的高度，多个限位柱沿着陶瓷帽的中心对称设置；所述胶体填充在空心腔中，且胶体的高度低于空心腔的高度；利用本实用新型公开了一种新型带胶陶瓷帽的封装结构进行封装时，由于在陶瓷管壳的侧边中设置的限位柱，限位柱不仅可以防止侧边中的胶体外溢，还可以限制封装加压时金属管壳在陶瓷管壳的封装位置，防止陶瓷管壳的侧边受力多度产生形变。
一种新型陶瓷封装结构

[实用新型]一种功率管测试压接装置-CN202022930356.9有效
发明人：李志强;朱建彬;曾瑞锋;陈志勇 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率管测试压接装置，包括测试底座，在测试底座表面开设凹槽，功率管置于凹槽内；在功率管表面覆设测试压接装置本体，测试压接装置本体将功率管的引脚、管帽压住，实现功率管在测试底座表面凹槽内的固定；本申请提供的测试压接装置本体可以实现功率管与测试底座的紧密贴合，提高了测试效率，同时测试压接装置本体能自散热，避免对功率管射频性能造成影响。
一种功率管测试装置

[发明专利]应用于有源负载牵引系统中的宽带测试夹具及测试方法-CN202110272591.8在审
发明人：马乐;祝超;陈志勇;曾瑞锋 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于有源负载牵引系统中的宽带测试夹具及测试方法，包括底座、可拆卸组合架、PCB电路组件和压紧块；可拆卸组合架包括测试支架、左滑板和右滑板；测试支架的尺寸与测试件本体的尺寸相一致；PCB电路组件包括左右PCB测试板和切比雪夫阻抗变换器；左右PCB测试板上各布设一个关于测试件本体对称的切比雪夫阻抗变换器；每个切比雪夫阻抗变换器均包括高阻抗输入端和低阻抗输出端；压紧块，能将放置在测试支架上方的待测功率器件进行压紧。本申请通用性强，能适用于不同规格型号待测功率器件的阻抗测试。同时，能实现在较宽的工作带宽内准确地测出大功率晶体管的最佳匹配阻抗，同时能够便捷的实现对夹具参数的提取。
应用于有源负载牵引系统中的宽带测试夹具方法

[发明专利]一种新型带胶陶瓷帽的封装结构及其封装方法-CN202110272592.2在审
发明人：陈新宇;曾瑞锋;张振东;陈志勇 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型带胶陶瓷帽的封装结构及其封装方法，该封装结构包括包括陶瓷帽、胶体、多个限位柱；所述陶瓷帽为一个顶面开口的空腔长方体结构，所述陶瓷帽的侧边为双层空心结构，且空心腔厚度相同；所述多个限位柱卡入空心腔中，且限位柱的底面与空心腔的底面相贴合，多个限位柱的高度低于陶瓷帽的侧边的高度，多个限位柱沿着陶瓷帽的中心对称设置；所述胶体填充在空心腔中，且胶体的高度低于空心腔的高度；利用本发明公开了一种新型带胶陶瓷帽的封装结构进行封装时，由于在陶瓷管壳的侧边中设置的限位柱，限位柱不仅可以防止侧边中的胶体外溢，还可以限制封装加压时金属管壳在陶瓷管壳的封装位置，防止陶瓷管壳的侧边受力多度产生形变。
一种新型陶瓷封装结构及其方法

[发明专利]一种功率管测试压接装置-CN202011430353.7在审
发明人：李志强;朱建彬;曾瑞锋;陈志勇 -专利权人：南京国博电子有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率管测试压接装置，包括测试底座，在测试底座表面开设凹槽，功率管置于凹槽内；在功率管表面覆设测试压接装置本体，测试压接装置本体将功率管的引脚、管帽压住，实现功率管在测试底座表面凹槽内的固定；本申请提供的测试压接装置本体可以实现功率管与测试底座的紧密贴合，提高了测试效率，同时测试压接装置本体能自散热，避免对功率管射频性能造成影响。
一种功率管测试装置

[发明专利]一种多尔蒂功率放大器及其输入信号处理方法-CN201910654502.9有效
发明人： 曾瑞锋;陈志勇;张振东;陈新宇 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多尔蒂功率放大器及其输入信号处理方法。本发明的多尔蒂功率放大器包括限幅控制单元、峰值放大器、载波放大器，所述限幅控制单元包括耦合器、检波电路、控制电路，其特征在于：还包括输入信号处理单元，所述输入信号处理单元包括功率分配器、第一环形器、第一限幅器、第二环形器、第二限幅器；所述输入信号处理单元的输入端接射频输入信号，所述输入信号处理单元的第一输出端接载波放大器的输入端，所述输入信号处理单元的第二输出端接峰值放大器的输入端，所述输入信号处理单元的控制端接控制电路的输出端。本发明的输入信号处理方法能够有效提高多尔蒂功率放大器的饱和输出功率，改善多尔蒂功率放大器的线性度。
一种多尔蒂功率放大器及其输入信号处理方法

[实用新型]一种宽带多尔蒂功率放大器-CN201721472473.7有效
发明人： 曾瑞锋;陈志勇;李昂;陈新宇 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽带多尔蒂功率放大器，其结构包括一个3dB电桥、A延迟线和B延迟线、A输入匹配电路和B输入匹配电路、载波放大器和峰值放大器，A双匹配电路和B双匹配电路、特性阻抗2R0的λ/4阻抗变换线以及特性阻抗R0传输线；本实用新型的优点：可以使多尔蒂功率放大器在一个较宽的工作带宽工作，且载波放大器和峰值放大器采用相同的GAN功率管，以配合电路实现宽的工作带宽。
一种宽带多尔蒂功率放大器

[发明专利]一种宽带多尔蒂功率放大器-CN201711087145.X在审
发明人： 曾瑞锋;陈志勇;李昂;陈新宇 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带多尔蒂功率放大器，其结构包括一个3dB电桥、A延迟线和B延迟线、A输入匹配电路和B输入匹配电路、载波放大器和峰值放大器，A双匹配电路和B双匹配电路、特性阻抗2R0的λ/4阻抗变换线以及特性阻抗R0传输线。本发明的优点可以使多尔蒂功率放大器在一个较宽的工作带宽工作。且本发明载波放大器和峰值放大器采用相同的GAN功率管，以配合电路实现宽的工作带宽。
一种宽带多尔蒂功率放大器

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