专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN201610813163.0有效
  • 吴志浩;杨春艳;王江波;刘榕 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2016-09-09 - 2019-06-11 - H01L25/075
  • 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法,属于半导体技术领域。包括:在衬底上形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层;在p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层;在第一光学反射层上形成n型电极和p型电极;对衬底、n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层进行切割,得到若干独立的芯片单元,芯片单元均包括两个n型电极和两个p型电极;将若干芯片单元中的n型电极和p型电极固定在支撑材料上,各个芯片单元的间距大于0;在衬底上、以及芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层;将各个芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。本发明可以满足背光源的出光要求。
  • 一种发光二极管芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制作方法-CN201710574349.X有效
  • 兰叶;顾小云;徐瑾;吴志浩;王江波;刘榕 - 华灿光电(苏州)有限公司
  • 2017-07-14 - 2019-06-11 - H01L33/32
  • 本发明公开了一种高压发光二极管芯片及其制作方法,属于半导体技术领域。芯片包括多个子芯片,每个子芯片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极线,P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽,N型半导体上设有延伸至衬底的第二凹槽;一个P型半导体层上设有P型焊盘,一个N型半导体层上设有N型焊盘,其它N型半导体层上设有N型电极线;第二凹槽内设有第一电极线,在没有设置P型焊盘的子芯片中,P型电极线由第二电极线组成,在设有N型电极线的子芯片中,N型电极线由第三电极线组成,第二电极线和第三电极线分别第一电极线连接。本发明在略微改善芯片电压的情况下提高了芯片的发光亮度。
  • 一种高压发光二极管芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201610808053.5有效
  • 杨春艳;吴志浩;王江波;刘榕 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2016-09-06 - 2019-05-14 - H01L33/02
  • 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层、透明导电层,第二Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽,第一电极设置在第一Ⅲ族氮化物半导体层上,第二电极设置在透明导电层上。本发明通过Ⅱ‑Ⅵ族半导体层极大地提高了空穴浓度,同时透明导电层促进了电流的扩散,从而极大地提高空穴注入效率、降低LED工作电压,显著改善LED的外量子效率在大的电流注入下的衰减问题。而且还可以提高光线的透过率、以及LED的发光亮度。
  • 一种发光二极管及其制造方法
  • [发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201610807699.1有效
  • 吴志浩;杨春艳;王江波;刘榕 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2016-09-06 - 2019-05-14 - H01L33/44
  • 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法,属于半导体技术领域。发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层、金属层、绝缘钝化层,绝缘钝化层上设有延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层的第一凹槽、以及延伸至金属层的第二凹槽,第一电极设置在绝缘钝化层上并通过第一凹槽延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层,第二电极设置在绝缘钝化层上并通过第二凹槽延伸至金属层。本发明通过Ⅱ‑Ⅵ族半导体层极大地提高了空穴浓度,进而提高空穴注入效率、降低LED工作电压,显著改善LED的外量子效率在大的电流注入下的衰减问题。
  • 一种发光二极管及其制造方法

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