专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201610910281.3有效
  • 杨春艳;吴志浩;王江波;刘榕 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2016-10-19 - 2019-11-29 - H01L33/44
  • 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、透明导电层,所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽,第一电极设置在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层上,第二电极设置在所述透明导电层上,所述发光二极管芯片还包括依次层叠在所述透明导电层上的出光增强层和绝缘保护层,所述出光增强层的折射率沿所述发光二极管芯片的层叠方向逐渐变化,且所述出光增强层各个位置的折射率均在所述透明导电层的折射率和所述绝缘保护层的折射率之间。本发明提高了LED芯片的外量子效率。
  • 一种发光二极管芯片及其制造方法

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