专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果14个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]MIM电容器的制作方法-CN202011206496.X有效
  • 曲厚任;邵迎亚;刘伯昌 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2020-11-03 - 2021-03-02 - H01L21/02
  • 本发明提供一种MIM电容器的制作方法,包括提供前端结构,并在所述前端结构上形成第一电极层,对所述第一电极层采用DSP溶液清洗,然后在所述第一电极层上依次形成电介质层和第二电极层。本发明采用DSP溶液对第一电极层进行清洗,减少第一电极层表面的杂质,提高了器件的可靠性,提升了产品的良率。进一步的,本发明采用DSP溶液对第一电极层进行单片式清洗,能够使稳定地控制第一电极层表面的杂质数量,保证了器件性能的稳定性。
  • mim电容器制作方法
  • [发明专利]深沟槽功率MOS器件及其制造方法-CN201310076509.X有效
  • 黄晓橹;王代利;刘伯昌;陈逸清 - 中航(重庆)微电子有限公司
  • 2013-03-11 - 2013-06-12 - H01L21/8234
  • 本发明提供一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法,其包括元胞区、栅极电性接触区和终端保护区,所述元胞区中,利用反型制备的且与体区同型的体接触区使源区和体区实现等电位。本发明的元胞间距最小可达0.76μm,使本发明的器件为高元胞密度;本发明采用了无掩膜版注入(BlankImplantation),简化工艺;在保证0.16μm的最小光刻胶线宽的同时,本发明避免了小线宽光刻工艺中光刻胶宽度过小而导致的倒胶问题;本发明可进一步增加体接触区的掺杂浓度,以降低体接触区与源体接触金属层之间、以及体接触区与体接触金属层之间的接触电阻;本发明改进了常规栅极电性接触方法,降低了工艺难度。
  • 深沟功率mos器件及其制造方法
  • [发明专利]深沟槽功率MOS器件及其制备方法-CN201310076379.X有效
  • 黄晓橹;刘伯昌;王代利;陈逸清 - 中航(重庆)微电子有限公司
  • 2013-03-11 - 2013-06-12 - H01L21/8234
  • 本发明提供一种深沟槽功率MOS器件及其制备方法,其包括元胞区、栅极电性接触区和终端保护区,所述元胞区中,利用反型制备的且与体区同型的体接触区使源区和体区实现等电位。本发明的元胞间距最小可达0.76μm,使本发明的器件为高元胞密度;本发明采用了无掩膜版注入(BlankImplantation),简化工艺;在保证0.16μm的最小光刻胶线宽的同时,本发明避免了小线宽光刻工艺中光刻胶宽度过小而导致的倒胶问题;本发明可进一步增加体接触区的掺杂浓度,以降低体接触区与源体接触金属层之间、以及体接触区与体接触金属层之间的接触电阻;本发明改进了常规栅极电性接触方法,降低了工艺难度。
  • 深沟功率mos器件及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top